一种适用于惯性空间观测卫星的热环境保障设计方法

    公开(公告)号:CN109858151A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910094884.4

    申请日:2019-01-31

    Abstract: 本发明涉及一种适用于惯性空间观测卫星的热环境保障设计方法:(1)、确定惯性空间观测卫星本体坐标系和固定对日面;(2)、设计姿态控制算法,使卫星观测时星体各面可能出现的最大太阳照射角与热控设计对星体的受照约束中所要求的卫星本体各面最大太阳照射角约束之间的差距最小;(3)、协同设计观测卫星星体固定对日面遮阳装置尺寸和科学观测约束条件,使得卫星执行满足观测约束条件的观测任务时,始终满足星体受照约束要求;(4)、判断步骤(3)所确定的观测约束是否在科学观测可接受范围内,是,则结束,否则,重新执行步骤(2)~(4)。本发明为卫星平台和有效载荷热控设计提供较好的太阳受照条件,降低了卫星热控系统设计难度。

    一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法

    公开(公告)号:CN105869679B

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201610183678.7

    申请日:2016-03-28

    Abstract: 本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法,步骤如下:(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N;(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入,运行FPGA,记录FPGA输出是否出现错误;(3)重复第(2)k次,直到失效率在30%到70%;(4)根据实际条件,按照最终选定的N,进行尽量多次的故障注入,获得较好的统计性,推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次;(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN,然后用1‑(1‑λN)M/N估计电路的失效率上限,得到电路设计的SEU数目M‑电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入,即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价,大大减少了实验的次数和评估的周期。

    用于可见光遥感航天器的摄影任务自动规划系统和方法

    公开(公告)号:CN107816973A

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201710908782.2

    申请日:2017-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种用于可见光遥感航天器的摄影任务自动规划方法,设定一个时间单元,在每个时间单元内基于用户提出的摄影区域要求,根据测控系统提供的轨道数据、气象局提供的气象信息、星载存储器剩余容量和相机使用约束,进行该时间单元内的摄影规划,生成摄影开关机指令;在时间单元内,当气象信息变化时,重新进行摄影规划;时间单元的设定范围小于或等于24小时。本发明还提供了一种摄影任务自动规划系统。本发明使用最新的轨道数据做摄影规划,克服了按照理论轨道计算摄影指令造成的摄影区域偏差较大的缺陷,最大限度的减少星载存储资源和地面接收站资源浪费,提高航天器观测效率。

    一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法

    公开(公告)号:CN104878355B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201510219988.5

    申请日:2015-04-30

    Abstract: 一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法,在衬底上旋涂正胶,利用电子束曝光技术,制作一个正方形掩膜窗口。利用磁控溅射镀膜技术在掩膜窗口内,在额定的背底真空条件下,以80~150watt的功率,0~5sccm的氧气流量,30~100sccm的氩气流量,的速度溅射制备金属氧化物薄膜。并利用丁酮试剂经过加热、超声,完成剥离。测试结果表明,采用此发明可获得表面粗糙度为1nm,厚度范围为3~10nm,氧钛比可调控范围为1.40~1.93,含三种价态钛。本发明可实现对纳米介质层面积、表面粗糙度、厚度、氧化程度的调控,为进一步制备性能优异的金属‑介质‑金属型整流器提供关键材料。

    一种基于氧等离子体工艺的纳米介质层制备方法

    公开(公告)号:CN104882378A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201510164377.5

    申请日:2015-04-09

    CPC classification number: H01L29/66151 H01L21/02244 H01L21/02252

    Abstract: 本发明介绍了一种基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法;利用电子束曝光技术,在基底金属层薄膜上打开一个正方形掩膜窗口。利用氧等离子体氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层薄膜进行氧化,具体工艺条件为:利用氧等离子体,在0.3~0.7Torr真空下,10~50sccm氧气流量,60~140watt功率刻蚀1~5min。丁酮试剂中经过加热、超声,完成掩膜剥离。表征结果显示,基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层,制备工艺简单,无需添加材料,界面共格性好、缺陷少,有望广泛应用于科研与生产。

    一种三模冗余防护结构FPGA单粒子翻转失效概率的评估方法

    公开(公告)号:CN104462658A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410638260.1

    申请日:2014-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种三模冗余防护结构FPGA单粒子翻转失效概率的评估方法,根据FPGA器件中划分的功能模块,将待评估的FPGA器件划分成多组,每个组包括三个具有相同比特位数的单元,由此模拟三模冗余防护结构,分别计算器件的单粒子本征翻转率和无防护时的失效率,最后得到带有三模冗余防护结构的失效概率,为抗单粒子效应的评估提供一套实用的理论方法,同时得到的失效概率能够真实反映三模冗余防护结果抗单粒子翻转性能。

Patent Agency Ranking