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公开(公告)号：CN209584367U
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201920153423.5
申请日：2019-01-29
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/26
Abstract: 本实用新型提供了一种化学气相沉积装置，用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209442655U
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201920038866.X
申请日：2019-01-09
IPC: C01B32/194
Abstract: 本实用新型提供了一种石墨烯薄膜转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底。石墨烯薄膜转移装置包括壳体、刻蚀与清洗组件以及蠕动组件。壳体包括第一进水口和第一出水口，壳体内部形成真空腔体。刻蚀与清洗组件设于真空腔体内，包括腔室以及限位框。腔室包括第二进水口和第二出水口，分别连通于第一进水口和第一出水口。限位框悬浮于腔室内的液体，限位框形成一限域，石墨烯薄膜设于限域内，目标基底设于腔室的底部。蠕动组件用于控制液体进出的流速。其中，随着液面下移，石墨烯薄膜转移至目标基底。
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公开(公告)号：CN209238603U
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201821828586.0
申请日：2018-11-07
IPC: B08B7/00
Abstract: 本实用新型提供了一种带形物品清洗装置，清洗装置包括腔室以及至少一滚轮。腔室包括供带形物品进出的进料口以及出料口；至少一滚轮设置在腔室内，每一滚轮的轴线垂直于进料口和出料口的连线，每一滚轮表面设置有吸附剂；其中，在清洗过程中，带形物品与至少一滚轮表面的吸附剂接触。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209242684U
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201821846250.7
申请日：2018-11-09
IPC: C01B32/186
Abstract: 本实用新型提供了一种利用CVD方法生长石墨烯薄膜的载具，用于放置在CVD设备的石英管内。载具包括底座、矩形底板以及多个矩形托板。矩形底板水平地设置在底座上方，且固定连接于底座；多个矩形托板用于承载石墨烯生长衬底，每一矩形托板上表面的四周设置有多个支撑体，石墨烯生长衬底容纳于多个支撑体围成的空间，多个矩形托板可层叠地放置在矩形底板上，相邻两个矩形托板之间用支撑体隔开。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208440698U
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201820925014.8
申请日：2018-06-14
Abstract: 本实用新型提供了一种石墨烯的清洁装置，包括动力系统和滚轮；所述动力系统包括动力轴；所述滚轮表面设置有吸附剂；所述滚轮能够在所述动力轴的作用下对所述石墨烯的表面进行滚压吸附处理。本实用新型一实施方式的石墨烯的清洁装置，通过具有吸附性的滚轮对石墨烯表面进行滚压处理，可以获得超洁净石墨烯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107500276B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710845504.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：按照气路由上游至下游的方向，依次间隔放置醋酸铜和铜基底，通入氢气进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述超洁净石墨烯；所述醋酸铜所处温区的温度为醋酸铜的挥发温度。该制备方法简单，原料易得，石墨烯洁净度优于甲烷生长得到的结果，可以得到超洁净、高质量的单层石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN106769287B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201611079512.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯单晶支撑膜载网实现高效率液体封装的方法。该方法包括：将两片分别生长在不同生长基底上的石墨烯均由生长基底转移至透射基底上后，滴加待封装液体至其中一片石墨烯的表面后，在其上覆盖另一片石墨烯，完成封装，得到大量可供透射电镜下原位表征的液泡。该方法工艺简单，可重复性高，可重复性高，可控性强，兼容性强，可在短时间内在几毫米尺寸的样品上制备数千个被石墨烯封装保护的液体池，供透射电镜下原位表征，大大提高了从原子尺度研究反应机理的可能。
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公开(公告)号：CN108732187A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710260012.1
申请日：2017-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积石墨烯洁净度的快速评估方法。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：采用四氯化钛熏蒸的方式在石墨烯样品上沉积二氧化钛纳米颗粒；根据所述二氧化钛纳米颗粒的沉积情形，即实现对石墨烯样品洁净度的评估；所述熏蒸的条件如下：温度为0～30℃；湿度为10～70％；时间为5s～600s；将所述石墨烯样品置于四氯化钛的上方。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：成本低廉、操作方便，且可实现对样品洁净度的大面快速表征。
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公开(公告)号：CN108070903A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611203602.2
申请日：2016-12-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种对衬底加电调控薄膜材料生长的装置。该装置为在现有的化学气相沉积反应装置的基础上增加衬底通电系统；所述衬底通电系统包括导电线路、金属极板、插头和电源；所述金属极板位于CVD反应腔内；所述插头和电源位于CVD反应腔外；所述金属极板通过所述导电线路与所述插头和电源相连。利用该装置可对导电衬底加正负静电荷或电流，对绝缘衬底进行极化从而在其表面可控地产生静电荷，从而达到调控任意生长衬底的电势、吸附性、电子能态和催化活性。利用该装置及生长方法，可以在薄膜材料制备过程中方便地控制其单晶大小、均匀度、掺杂浓度、层数、层间堆垛方式及扭转角度、手性、洁净度等。
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公开(公告)号：CN107500276A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710845504.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：按照气路由上游至下游的方向，依次间隔放置醋酸铜和铜基底，通入氢气进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述超洁净石墨烯；所述醋酸铜所处温区的温度为醋酸铜的挥发温度。该制备方法简单，原料易得，石墨烯洁净度优于甲烷生长得到的结果，可以得到超洁净、高质量的单层石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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