一种3D打印汽车活塞
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113482793A

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202110568019.6

    申请日:2021-05-25

    Inventor: 张钧翀 曾勇

    Abstract: 一种3D打印汽车活塞涉及汽车活塞技术领域,包含活塞顶部、活塞环槽部以及活塞裙部。活塞外部壳状结构,内部由抗冲击结构阵列排布而成,当活塞在使用中发生摩擦碰撞时,点阵结构通过吸收能量来减轻对活塞整体的伤害,起到保护作用;同时,在活塞工作时,这种特殊的结构使得活塞整体的受力更均匀,可以抵抗更多冲击力;此外,活塞采用AlSi10Mg材料进行3D打印而成,镂空的点阵结构设计减轻了活塞的重量同体积的材料质量减少50%,使用更加安全可靠,使用寿命也相应得到提高。

    一种基于激光选区熔化技术的Ti/Al异种合金的成形方法

    公开(公告)号:CN110756806A

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201911104581.2

    申请日:2019-11-13

    Inventor: 曾勇 黄昊

    Abstract: 本发明公开了一种基于激光选区熔化技术的Ti/Al异种合金的成形方法。对铝合金和钛合金粉末进行烘干及预筛处理;再进行程序文件和SLM设备的准备;然后通过激光选区熔化技术首先成形底部钛合金部分,成形结束后SLM设备供粉舱的钛合金粉末更换为铝合金粉末后继续通过激光选区熔化技术在钛合金基体上成形上部铝合金部分;最终使用线切割设备将零件从基板上切下即可;激光选区熔化技术可以直接成形复杂零件,缩短生产周期,提高成形效率,对于航空航天领域具有很大的生产应用价值;另外,采用激光选区熔化技术,冷却速率可达106数量级,熔池急速凝固,极大的提高了铝在钛合金中的固溶度,克服了成分偏析现象并达到细晶强化的效果。

    一种制备富受主型ZnO微米管的方法

    公开(公告)号:CN105858715A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610366213.5

    申请日:2016-05-28

    Abstract: 本发明涉及半导体材料和光学技术领域,是一种制备富受主型ZnO微米管的方法。其以ZnO粉末为原料;球磨烘干、200目过筛;装入长条橡胶气球,压实封闭、抽真空,等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒;将该棒放入提拉旋转烧结炉中烧结为陶瓷棒;将陶瓷棒放入光学浮区炉中,设置浮区炉卤素灯输出功率为900?1050W/h,通入速率氧气/空气,保温一定时间,经过光学气化过饱和析出的生长过程,制备出富受主型ZnO微米管,受主态长效稳定,为p型ZnO材料的制备提供了新的思路,同时该微米管尺寸较大,形貌完整,具有规则六边形截面,并且具有新颖的室温光致发光特性。

    一种增强发光薄膜光致荧光发光强度的三明治结构及制备方法

    公开(公告)号:CN103756671A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410015279.0

    申请日:2014-01-13

    Abstract: 本发明涉及一种增强发光薄膜光致荧光发光强度的三明治结构及制备方法,该三明治结构为微米透明介电小球单层密铺于发光薄膜表面形成的衬底—发光薄膜—单层密铺小球阵列的三明治结构;所使用的微米介电小球要对光致荧光发光中激发光和荧光波长具有较高的透射率;所使用的荧光增强媒介—微米级透明介电小球的价格低廉,适合工业规模化应用;所使用的微米透明介电小球在空气环境下无氧化,可长期稳定地增强发光薄膜光致荧光发光强度;所使用的微米透明介电小球对发光薄膜及衬底没有要求,衬底可为非金属或金属,有效地扩展了发光薄膜光致荧光发光增强技术的应用范围。

    一种采用激光辐照碳化硅直接制备石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN102502613B

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN201110382636.3

    申请日:2011-11-25

    Abstract: 本发明是一种采用激光辐照碳化硅直接制备石墨烯的方法,属于材料制备领域。与其他制备石墨烯的方法相比,激光辐照SiC直接制备石墨烯具有制备工艺简单、易操作、可以通过掩膜或激光扫描路径设计获得面积可控的图形化的石墨烯层等特点,更有望直接制成电子器件,进行批量生产。本发明先将SiC晶片进行预处理,去除表面污染及有机残留等,改善表面晶格缺陷,采用308nm-532nm的激光器对SiC进行辐照,单脉冲能量密度1.0-1.33J/cm2,在表面几nm的深度内获得石墨烯层,经测试鉴定,具有石墨烯拉曼频谱特征峰:D峰(~1350cm-1)、G峰(~1580cm-1)、2D峰(~2710cm-1)。经辐照后的样品表面电阻由MΩ级下降到Ω级,导电性能提高了近6个数量级。

    一种采用激光辐照碳化硅直接制备石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN102502613A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201110382636.3

    申请日:2011-11-25

    Abstract: 本发明是一种采用激光辐照碳化硅直接制备石墨烯的方法,属于材料制备领域。与其他制备石墨烯的方法相比,激光辐照SiC直接制备石墨烯具有制备工艺简单、易操作、可以通过掩膜或激光扫描路径设计获得面积可控的图形化的石墨烯层等特点,更有望直接制成电子器件,进行批量生产。本发明先将SiC晶片进行预处理,去除表面污染及有机残留等,改善表面晶格缺陷,采用308nm-532nm的激光器对SiC进行辐照,单脉冲能量密度1.0-1.33J/cm2,在表面几nm的深度内获得石墨烯层,经测试鉴定,具有石墨烯拉曼频谱特征峰:D峰(~1350cm-1)、G峰(~1580cm-1)、2D峰(~2710cm-1)。经辐照后的样品表面电阻由MΩ级下降到Ω级,导电性能提高了近6个数量级。

    一种基于机器学习的增材制造智能路径规划方法

    公开(公告)号:CN119636083A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202510027705.0

    申请日:2025-01-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习的增材制造智能路径规划方法,通过对层级轮廓信息进行多边形凸分解形成多个子区域,然后根据机器学习模型预测最佳扫描方式生成子区域的子路径,最后将子路径连接起来。主要目的在于减少增材制造过程中打印制件的变形,提高零件的表面质量。本发明能够根据待填充物体切片轮廓的几何特征及打印参数进行动态的规划扫描路径方式。本发明能够更好地适应不同形状和复杂度的打印对象,生成具有高强度、高表面质量的成型件,具有广泛的应用前景。本发明对每层切片轮廓进行多层次的等距轮廓偏置,能够更好地控制打印件的形状和尺寸精度,确保最终打印件的表面质量,提高整体强度和耐久性。

Patent Agency Ranking