公开(公告)号：CN105858715A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610366213.5

申请日：2016-05-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 闫胤洲 ,  王强 ,  蒋毅坚 ,  曾勇 ,  胡硕鹏

IPC: C01G9/03

CPC classification number: C01G9/03 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/60 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/60

Abstract: 本发明涉及半导体材料和光学技术领域，是一种制备富受主型ZnO微米管的方法。其以ZnO粉末为原料；球磨烘干、200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；将该棒放入提拉旋转烧结炉中烧结为陶瓷棒；将陶瓷棒放入光学浮区炉中，设置浮区炉卤素灯输出功率为900?1050W/h，通入速率氧气/空气，保温一定时间，经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备出富受主型ZnO微米管，受主态长效稳定，为p型ZnO材料的制备提供了新的思路，同时该微米管尺寸较大，形貌完整，具有规则六边形截面，并且具有新颖的室温光致发光特性。

公开(公告)号：CN105858715B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201610366213.5

申请日：2016-05-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 闫胤洲 ,  王强 ,  蒋毅坚 ,  曾勇 ,  胡硕鹏

IPC: C01G9/03

Abstract: 本发明涉及半导体材料和光学技术领域，是一种制备富受主型ZnO微米管的方法。其以ZnO粉末为原料；球磨烘干、200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；将该棒放入提拉旋转烧结炉中烧结为陶瓷棒；将陶瓷棒放入光学浮区炉中，设置浮区炉卤素灯输出功率为900‑1050W/h，通入速率氧气/空气，保温一定时间，经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备出富受主型ZnO微米管，受主态长效稳定，为p型ZnO材料的制备提供了新的思路，同时该微米管尺寸较大，形貌完整，具有规则六边形截面，并且具有新颖的室温光致发光特性。