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公开(公告)号：CN103342953A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310244628.1
申请日：2013-06-19
Applicant: 北京大学
IPC: C09D175/04 , C09D7/12
Abstract: 本发明提供一种航空用涂料、其制备方法及形成航空用涂层的方法。其中所述涂料按重量百分比包括经有机改性剂进行表面改性的二氧化钛纳米粉体10-25%、有机硅改性聚氨酯树脂漆25-40%、润湿分散剂1-2.5%、消泡剂0.2-1%、防沉降剂1.5-4.5%、成膜助剂0.5-1%以及余量溶剂。其制备方法为混合所述经有机改性剂进行表面改性的二氧化钛纳米粉体、润湿分散剂、消泡剂、防沉降剂、成膜助剂和溶剂，研磨至细度≤15μm并使其均匀分散，与有机硅改性聚氨酯树脂漆混合均匀，得到所述涂料。本发明提供的涂料在满足航空应用的同时还具有良好疏水性的涂层表面，并且可在常温下固化，制备工艺简单，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102424915A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110359977.9
申请日：2011-11-14
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P10/212
Abstract: 本发明提供了一种利用含钛炉渣制备富钛化合物的方法，其是在1500℃～1600℃下，将含钛高炉渣和高钛电炉渣以重量比1∶1.5～10混合，然后冷却结晶，得到富钛化合物。本发明综合考虑了现场含钛炉渣本身高温等特点，通过将一定量的高钛电炉渣和含钛高炉渣混合来改变炉渣成分，并通过控制结晶条件，促使钛元素富集在富钛化合物(MgTi2O5)x·(Al2TiO5)1-x(x≥0.8)中，提取后的残渣可用于生产水泥。本发明工艺流程短，可充分利用现场炉渣自身高温特性，得到的产物杂质少，无环境污染。
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公开(公告)号：CN101540292B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910081512.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , G01L1/06 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙的应力测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。
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公开(公告)号：CN101540292A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910081512.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , G01L1/06 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙应力的测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。
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公开(公告)号：CN1684546A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200410033638.1
申请日：2004-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域，该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜，多晶硅薄膜为可动极板，单晶硅薄膜上设有若干个释放孔，在多晶硅薄膜上形成加强筋结构，该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应，且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺，该工艺既可以得到释放孔，又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜，工艺流程简单，工艺兼容好，所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。
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公开(公告)号：CN1159772C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN01123428.8
申请日：2001-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计，宽引线铝覆部分场区，氯离子处理炉管，在有氢气氛的低温炉中退火，慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高，暗电流小，结电容小，响应速度快，光谱响应范围广，参数优异并稳定。可广泛应用于光电探测器的制备领域。
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公开(公告)号：CN115779069A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210958746.8
申请日：2022-08-10
Applicant: 北京大学人民医院
Abstract: 本发明属于IL‑6受体抑制剂技术领域，具体涉及唾液素salivaricin在制备IL‑6受体抑制剂中的应用。本发明运用体外实验体系，使用表面等离子体共振技术发现唾液素salivaricin可直接与IL‑6受体结合，并抑制细胞因子IL‑6与其受体的结合。同时，还基于圆二色谱技术发现salivaricin可诱导IL‑6受体构象发生改变。由于受体构象对其结合力有决定性作用，IL‑6受体构象改变可能抑制了IL‑6与受体的结合；并发现唾液素salivaricin可通过阻断IL‑6‑STAT3信号通路而特异性抑制Tfh细胞的分化和IL‑21的合成，可应用于治疗免疫炎性疾病。
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公开(公告)号：CN102337413B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110359370.0
申请日：2011-11-14
Applicant: 北京大学
IPC: C22B7/04 , C01G23/047
CPC classification number: Y02P10/212 , Y02P10/242
Abstract: 本发明提供了一种利用含钛高炉渣生产人造金红石的方法，其先在空气或氧气气氛下，用高钛电炉渣和二氧化硅对含钛高炉渣进行改性；然后使改性后的含钛高炉渣在1500℃～1600℃下保温0.5～1h，冷却结晶，得到金红石晶体；最后用选矿方法分离得到金红石晶体。本发明充分利用含钛高炉渣自身高热量的特点，通过对含钛高炉渣进行改性，得到一种二氧化钛品位高的人造金红石，分离后的残渣可用于生产矿渣水泥。本发明工艺流程短、设备简单、可充分利用含钛高炉渣自身携带的热能，产物杂质少、无环境污染。
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公开(公告)号：CN101357825B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000-1400W；承片台功率为300-400W；反应室压力为2-4mT；C4F8流量为10-20sccm；H2流量为4-8sccm；He流量为150-200sccm。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN101357825A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000－1400W；承片台功率为300－400W；反应室压力为2－4mT；C4F8流量为10－20sccm/min；H2流量为4－8sccm/min；He流量为150－200sccm/min。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
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