公开(公告)号：CN106370520A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510427296.X

申请日：2015-07-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  杨芳 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: G01N3/08

Abstract: 本发明公开了一种提取微锚腿扭转键合强度的方法，通过新设计的片上检测结构中的热驱结构对微锚腿产生扭转作用的力偶矩使锚腿断裂，记录断裂时的驱动位移并计算扭转键合强度值。此方法可用来进行键合工艺的监测和评价，也可用来预测器件的机械可靠性。具备自定位、自测力能力；方法简单，不需要大型高精密仪器。

公开(公告)号：CN103207545B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310097604.8

申请日：2013-03-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘鹏 ,  王玮 ,  田大宇 ,  姜博岩 ,  杨芳 ,  戴小涛 ,  张大成

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法，其步骤包括：1）清洗基片，并在基片上涂敷黏附层；2）在黏附层上旋涂剥离层光刻胶；3）对基片进行烘烤；4）在剥离层光刻胶上旋涂具有紫外敏感特性的电子束光刻胶；5）对基片进行烘烤；6）对电子束光刻胶进行电子束曝光；7）显影电子束光刻胶；8）采用紫外线照射显影后的电子束光刻胶图形，使其交联固化；9）显影剥离层光刻胶。本发明利用电子束光刻胶本身的紫外敏感特性，通过紫外线固胶的方式提高LOL剥离层和电子束光刻胶显影速度之比，解决双层胶的工艺兼容性问题，得到陡直的光刻胶侧壁。

公开(公告)号：CN102963861B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210450745.9

申请日：2012-11-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法，其步骤包括：采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层；在所述结构层上淀积金属层；湿法腐蚀所述牺牲层，通过观测所述金属层中金属的脱落情况确定腐蚀完成时间。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率。

公开(公告)号：CN103034252B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210559376.7

申请日：2012-12-21

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 赵红军 ,  刘鹏 ,  孔健文 ,  毕绿燕 ,  张俊业 ,  张国义 ,  童玉珍 ,  孙永健 ,  廉宗隅

IPC: G05D9/12

Abstract: 本发明公开了一种高温环境下使用的液位控制装置，其耐高温，结构简单，成本低廉。本发明包含有液源容纳区，液源容纳区通过进液通道连通液槽，液源容纳区的液面高于液槽的液面，进液通道内设有密封模块，密封模块与进液通道可密闭配合，密封模块连接控制模块，控制模块位于液槽内，控制模块将液位信息转化为信号传递到密封模块，控制模块传递给密封模块的信号是力信号、位置信号、形变信号，控制模块上设有一个及以上可增减或更换的重块。本发明通过选材、原理结构和密封面处理，实现了对高温液体的液位控制。

公开(公告)号：CN102903653B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201210319877.8

申请日：2012-08-31

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 袁志鹏 ,  刘鹏 ,  王永旺 ,  赵红军 ,  张俊业 ,  张国义 ,  童玉珍 ,  孙永健

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B29/38 ,  C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明公开了一种高温生长晶片的卸载装置及其卸载方式，实现汽相外延设备在生长工艺不间断状态下卸载高温生长的晶片。本发明的生长腔侧壁设有进料窗，生长腔下面设有下料腔，下料腔下面设有卸料腔，卸料腔侧壁设有出料窗，卸料腔内设有可升降托盘的底部升降托台，下料腔内设有复数组小型气缸，小型气缸向内的端部设有夹具，下料腔内设有复数的感应加热线圈。本发明尤适用于目前HVPE垂直系统中，可缩短工艺周期、提高生产效率，促进产业化。

公开(公告)号：CN102980695B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210500895.6

申请日：2012-11-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄贤 ,  张大成 ,  赵丹淇 ,  林琛 ,  何军 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: G01L1/18 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列，另外两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面光刻定义P型重掺杂的引线接触区，进行离子注入和高温热退火；在基片正面光刻定义槽的形状并刻蚀四边形槽；通过P型离子注入轻掺杂进行侧壁上压敏电阻的掺杂，并进行高温热退火；制作引线孔和金属引线；划片。本发明不含应变膜，能够降低传感器的芯片尺寸，显著增加传感器的抗过载能力，提高了工艺的可靠性与器件的成品率。

公开(公告)号：CN104264218A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410499656.2

申请日：2014-09-25

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 张茶根 ,  张俊业 ,  刘鹏 ,  赵红军 ,  童玉珍 ,  张国义

IPC: C30B25/10 ,  C30B25/16

Abstract: 本发明涉及一种用于氢化物气相外延(HVPE)生长的加热装置，包括5个加热温区、炉内加热模块、加热炉体及加热炉外壳；所述加热炉体分为辅助加热温区和材料生长加热恒温区；所述各加热温区均设置多个加热模块及其内置温度传感器；所述各加热模块及其内置温度传感器分别与自动控温电路连接，通过自动控温电路合理调节加热模块的加热功率，结合在加热温区中设置的加热模块的种类及加热方式，将每一个温区的温度独立、精密控制在预设温度范围，从而实现炉内温场的温度分布均匀、稳定。本发明尤其适合于大面积区域的材料生长。

公开(公告)号：CN102583224B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210060342.3

申请日：2012-03-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  林琛 ,  何军 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后，刻蚀氧化硅保护层形成引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后去除MEMS区域的牺牲层，释放MEMS可动结构。该方法不需要专用的低应力氮化硅生产设备，采用IC-MEMS交叉工艺，通过选择性去除氮化硅保护层来控制集成化片内应力，从而降低集成化工艺对IC电路性能的影响，工艺简单可靠。

公开(公告)号：CN102967510B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210397912.8

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  赵丹淇 ,  王玮 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: G01N3/26

Abstract: 本发明涉及一种施加垂直于悬臂梁的作用力的方法和装置，通过探针台探针向具有曲面探针头的片上力学微探针施加负载力；片上力学微探针通过曲面探针头向悬臂梁施加作用力，同时该片上力学微探针进行转动以使该悬臂梁在弯曲过程中受到的作用力始终垂直于该悬臂梁。本发明在对被测悬臂梁施加作用力的过程中不会产生沿悬臂梁方向上的弹力，也不会产生摩擦力；并且由于力学微探针的缓冲作用使得负载力的施加更稳定，测量结果更准确。

公开(公告)号：CN103981512A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410196612.2

申请日：2014-05-10

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 魏武 ,  刘鹏 ,  赵红军 ,  张俊业 ,  童玉珍 ,  张国义

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，包括第一通道、第二通道。所述第一通道为等直径或变直径圆柱形通道，所通反应物气体为GaCl；所述第二通道位于第一通道中心位置，所通气体可以是N2也可以是GaCl与N2的混合气体；所述第二通道可以为一段圆柱形通道，也可由两段组成，上段为圆柱形，下段为圆台形或倒圆台形，两段相连处直径相等。本发明一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，通过最佳化两通道中气体流量大小，来改善反应物GaCl在衬底上方附近径向分布的均匀性，以满足较大面积衬底上GaN晶体材料均匀生长之需求。