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公开(公告)号：CN112531015B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202011387036.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法，在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氮化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层，由于N型低掺杂氮化镓层的方阻比二维电子气的方阻低，在正常开态情况下，参与导通的功能很弱，但从关态到开态的过程，此层的电子可以补充二维电子气浓度的降低；其次从缓冲层的回迁到异质界面的电子能快速通过此层，达到快速补充异质结界面二维电子气的作用；故通过增加N型低掺杂氮化镓层可以最大限度降低动态过程中二维电子气浓度，从而达到了降低射频损耗。
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公开(公告)号：CN116607217A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310518226.X
申请日：2023-05-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了大尺寸低应力的氮化物外延材料和制备方法，该制备方法包括采用物理气相沉积法在C面蓝宝石衬底上沉积生成第一三维柱状结构；将C面蓝宝石衬底置于MOCVD反应腔内，利用MOCVD工艺在第一三维柱状结构上生成氮化铝外延结构；采用物理气相沉积法在氮化铝外延结构上沉积生成第二三维柱状结构；将C面蓝宝石衬底置于MOCVD反应腔内，利用MOCVD工艺在第二三维柱状结构上生成外延功能层；本发明外延结构的厚度远小于传统外延材料的厚度，极大地节约了外延结构的制备时间和制备成本，且由于外延结构厚度小，无需设计应力释放层和高耐压调控层，进一步减少制备工序和制备成本。
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公开(公告)号：CN114318521A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111633010.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本申请公开了一种金刚石生长方法，所述生长方法包括如下步骤：S1、选取金刚石籽晶，S2、选取陪料，S3、金刚石籽晶转移，S4、抽真空，S5、金刚石生长，S6、取出金刚石成品。本申请中陪料包围金刚石籽晶，金刚石籽晶有一部分露出陪料，陪料的导热率比金刚石低，陪料的存在能减少金刚石生长面与非生长面之间的温差，避免金刚石在生长过程中由于局部温差过大而产生应力或生长出多晶，陪料与金刚石籽晶一起保持振动或转动，可以使得金刚石籽晶的不同表面都有机会接触包含碳源的等离子体，便于金刚石籽晶在三维方向连续生长。
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公开(公告)号：CN114300600A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111643828.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种无机封装180度出光的LED透镜结构及制作方法，该LED透镜结构包括透镜本体与连接层，连接层附着于透镜本体的底部，连接层为金锡合金层，连接层与封装基板的金锡合金层通过共晶焊接连接；透镜本体凹设有封装碗杯腔，封装碗杯腔用于容纳LED芯片。本无机封装180度出光的LED透镜结构通过将金锡合金的连接层与封装基板的金锡合金层共晶焊接连接，实现无机封装；通过透镜本体凹设有封装碗杯腔，在无机封装过程中，封装基板无需制作内腔碗杯或金属内框，可以进行平面封装基板封装，实现180度透明出光；本LED透镜结构无需有机胶进行化学键合粘接，实现了无机气密封装焊接，因为180度透明出光，既提高了LED光源的可靠性，又提升了LED的光效和光功率。
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公开(公告)号：CN113981444A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111211331.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤指一种薄层器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：在衬底上利用PVD方法制备一层氮化铝薄膜；在衬底的氮化铝薄膜上利用MOCVD方法生长出器件功能层，即获得薄层器件，该薄层器件包括衬底及依次设置在衬底上的氮化铝薄膜及器件功能层。本发明采用技术方法不需要传统器件材料的缓冲层及掺杂层，直接通过氮化铝薄膜把器件功能层与衬底结合在一起，实现低成本、低应力、高均匀性的薄层器件材料。
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公开(公告)号：CN117604636A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311471457.6
申请日：2023-11-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种大尺寸单晶金刚石的制备方法，包括：在异质衬底表面外延生长高取向的多晶金刚石外延层，除去异质衬底得到自支持高取向的多晶金刚石薄片；对多晶金刚石薄片的成核面抛磨找平，再沿着标记方向对多晶金刚石薄片的生长面做直线单向或往复研磨与抛光；在处理后的多晶金刚石薄片的生长面继续外延生长高取向的多晶金刚石外延层，再次对多晶金刚石薄片的成核面抛磨找平和沿着标记方向对多晶金刚石薄片的生长面做直线单向或直线往复研磨与抛光，重复此步骤直至得到单晶金刚石薄片。本发明先在异质衬底上生长多晶金刚石，然后从多晶金刚石逐步过渡为单晶金刚石，降低了对设备、技术及原材料的要求，便于规模化生长大尺寸单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN115910782A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211708231.9
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种常关型高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上依次外延生长功能层、沟道层、异质结层、盖帽层和钝化层；衬底背面通过再生长硅单晶层；在衬底上一个指定区域形成贯穿衬底的通孔及在衬底的正面和背面分别沉积电极和电介质层。本发明通过在硅上外延生长GaN/AlGaN结构形成高电子迁移率晶体管，并在硅衬底背面形成MOS器件，通过级联的方式制备出了常关型高电子迁移率晶体管的方案，可有效避免栅电流衰减和开启电压低的问题。
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公开(公告)号：CN113584580B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110895167.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置，该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状，然后安置在升降式旋转支架，升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下，金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中，使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片，通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度，通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。
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公开(公告)号：CN114334611A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111630538.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本申请公开了一种金刚石上生长氮化物的方法，所述金刚石上生长氮化物的方法包括如下步骤：制备一组金刚石单晶衬底和三组金刚石多晶抛光衬底，在其中一组金刚石单晶衬底上制备氮化镓/石墨烯/金刚石的材料，在另三组金刚石多晶抛光衬底上制备氮化镓/硫化钼/金刚石的材料。本申请解决氮化物直接在金刚石上生长遇到的晶格失配及应力失配问题，通过本申请，可以实现直接在金刚石上生长高质量的氮化物外延材料。
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公开(公告)号：CN114318307A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111633018.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/511 , C23C16/50 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 本申请公开了一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法，包括微波源，所述微波源通过波导连接有谐振腔，所述谐振腔的内腔中安装有基片台结构；本申请相对于现有的MPCVD金刚石沉积设备，本申请采用多面基片台包围谐振腔的设计，各基片台全方位吸收等离子体能量同时沉积生长金刚石膜，大大提高设备的能效。
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