公开(公告)号：CN102082216B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910199405.1

申请日：2009-11-26

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  彩虹集团公司 ,  北京大学

Inventor： 张楠 ,  朱广敏 ,  潘尧波 ,  郝茂盛 ,  齐胜利 ,  陈志忠 ,  张国义

IPC: H01L33/10

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片的特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为折射率为1.1-1.6的电介质层、Al膜层及第二金属层，第二金属层优选为Ag膜层，该反射镜可采用涂敷、PECVD、电子束蒸镀或溅射的方法制备。本发明由于采用了SiO2/Al/Ag复合结构的反射镜，解决了在SiO2上直接镀Ag，造成Ag极易脱落的问题，并克服了Ag膜层在后序的打线工艺中由于加热容易产生金属团簇的现象，使芯片的出光效率提升25％以上。

公开(公告)号：CN101593801B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200910057583.0

申请日：2009-07-09

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  彩虹集团公司 ,  北京大学

Inventor： 颜建锋 ,  郝茂盛 ,  李淼 ,  周健华 ,  潘尧波 ,  袁根如 ,  陈诚 ,  李士涛 ,  张国义

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/782 ,  H01L21/784 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离，此时即将微结构图形转移至发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。采用本发明的方法，先在衬底上制备图形，之后制备发光二极管及P/N电极，并最终通过激光照射将图形转移到发光二极管结构中靠近N层的一侧表面，使倒装焊接后作为出光面的该侧表面形成图形结构，从而提高发光二极管的出光效率。

公开(公告)号：CN101771115A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910076039.0

申请日：2009-01-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 齐胜利 ,  陈志忠 ,  孙永健 ,  张国义 ,  郝茂盛 ,  潘尧波 ,  邓俊静 ,  颜建锋 ,  朱广敏 ,  陈诚 ,  李士涛

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理。该方法用于激光剥离后的薄膜倒装结构、垂直注入结构和自支撑垂直结构GaN发光二极管的N面处理，克服了湿法腐蚀及化学机械抛光方法的不足，适合于大规模生产而且不产生副作用，解决了未处理表面降低出光效率的问题。

公开(公告)号：CN101702422A

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200910197886.2

申请日：2009-10-29

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  北京大学 ,  彩虹集团公司

Inventor： 颜建锋 ,  李淼 ,  周健华 ,  潘尧波 ,  袁根如 ,  郝茂盛 ,  张国义 ,  刘文弟

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明涉及一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法，通过引入一层低温氮化镓应力控制层，在有效的控制最终产品的漏电，抗静电ESD等电性参数的同时，实现了量子阱结构中的应力控制，达到进一步的提高外延层的内量子效率。

公开(公告)号：CN101488550A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910046841.5

申请日：2009-02-27

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  彩虹集团公司 ,  北京大学

Inventor： 潘尧波 ,  郝茂盛 ,  张国义 ,  颜建锋 ,  周健华

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1.在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2.降低温度，在所述缓冲层上生长1至6个InxGa1－xN/GaN量子阱，接着生长1至6个InyGa1－yN/GaN量子阱，再生长4至15个InzGa1－zN/GaN量子阱；步骤3.在高温下，再顺次生长p型AlGaN层和p型GaN层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。

公开(公告)号：CN209461490U

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201920338507.6

申请日：2019-03-11

Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 唐军 ,  齐胜利 ,  刘亚柱 ,  潘尧波 ,  陈志忠 ,  詹景麟 ,  康香宁 ,  焦飞 ,  张国义 ,  沈波

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

Abstract: 本实用新型提出一种发光二极管芯片，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上，包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；金属层，位于所述位于结构上的第一半导体层上；凹槽，位于衬底上，暴露部分所述第二半导体层；金属电极，位于所述金属层及暴露的第二半导体层上，包括第一金属电极，第二金属电极；纳米柱，位于所述衬底上，包括所述第一金属电极，所述金属层，所述第一半导体层，所述发光层以及部分所述第二半导体层，所述纳米柱包括多种不同的结构。本实用新型提出的发光二极管芯片结构简单，能够提高发光二极管芯片的性能。