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公开(公告)号：CN101609813A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910151873.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。
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公开(公告)号：CN100499141C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN03106139.7
申请日：2003-02-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 高桥秀和
CPC classification number: H01L31/11 , H01L27/14643
Abstract: 提供一种固体摄像装置，降低测距用光电变换元件(AF传感器)和测光用光电变换元件(AE传感器)之间的串扰。其构成包括N型Epi层(202)、在半导体区域(202)内形成的P型第一阱区(203)、在半导体区域(202)内形成的和第一阱区电分离的P型第二阱区(203)、在第一阱区内形成的N型第一扩散区域(205)在第二阱区内形成的N型第二扩散区域(205)，用P型的第一阱区和N型的第一扩散区域中形成测光用光电变换元件(AE传感器)(103)，用P型的第二阱区和N型的第二扩散区域形成测距用光电变换元件(AF传感器)(101、102)。
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公开(公告)号：CN100454985C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610149238.6
申请日：2006-11-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335
Abstract: 提出了一种固态图像拾取装置，包括：多个像素单元，其中每个像素单元都包括光电转换元件；信号线，其从所述多个像素单元中读出信号；第一电容器元件，其具有连接到所述信号线上的第一电极；放大器，其具有连接到第一电容器元件的第二电极的一个输入端；以及第二电容器元件，其连接在所述放大器的所述输入端和一个输出端之间；其中第一电容器元件的电容值在相加模式执行时间中要比在非相加模式执行时间中小，从而使放大器的放大因子在相加模式执行时间中比在非相加模式执行时间中小。
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公开(公告)号：CN1242301C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN03102099.2
申请日：2003-01-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N5/2351 , H04N5/23212
Abstract: 一种图像摄取装置，包括：具有光电变换区域且为进行焦点调整而使用的第1光电变换电路；具有光电变换区域且为进行曝光量调整而使用的第2光电变换电路；以及进行控制使得独立地向上述第1光电变换电路和上述第2光电变换电路供电的控制电路；上述第1光电变换电路和上述第2光电变换电路形成在同一半导体基板上。
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公开(公告)号：CN1207789C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN01130198.8
申请日：2001-10-12
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14645 , H04N5/3415 , H04N9/045 , H04N2209/048
Abstract: 提供一种图象摄取装置，包括形成在同一半导体芯片上、沿水平和纵向方向排列的多个图象摄取区域，每一图象摄取区域包括多个沿水平和纵向方向排列的象素，多个纵向扫描电路，用于依次扫描纵向方向上的象素，以彼此独立地扫描纵向方向上的多个图象摄取区域；多个透镜，至少为每一多个图象摄取区域提供这些透镜中的一个，这些透镜用于在图象摄取区域上聚光形成一个图象；以及一个驱动电路，用于驱动多个纵向扫描电路，以使多个纵向扫描电路中每一个的扫描期间的一部分彼此重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1021862C
公开(公告)日：1993-08-18
申请号：CN91103573.7
申请日：1991-05-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L23/522 , H01L27/04
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种元件隔离及金属布线优于现有技术的半导体器件，其元件隔离结构包括形成在掺杂衬底上的元件区域、元件隔离区，以及形成在半导体基体表面上及其背面的金属布线。所述元件隔离区内形成有与金属布线相连、沿纵向延伸的金属淀积层，所述半导体基体借助于与基体导电类型相反的一层区域与所述金属布线层相绝缘。本发明的半导体器件能降低元件隔离区的阻抗、防止自锁和干扰，即使减小布线平面面积也能保证允许电流量，且能高精度地形成布线结构。
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公开(公告)号：CN106847844B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201611088743.4
申请日：2016-12-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本发明提供一种摄像装置以及摄像系统。根据本发明的摄像装置包括基板和设置在基板上的半导体层，所述基板包括布置在其上的多个像素电路。多个像素电路中的各个像素电路包括放大晶体管，放大晶体管被构造为输出基于在半导体层中生成的电荷的信号。在与基板的表面平行的第一方向上输送在半导体层中生成的电荷。
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公开(公告)号：CN109346490A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811117287.0
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H01L31/028 , H01L31/09 , H04N5/376 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及固态图像感测元件和成像系统。二维地布置的多个像素中的每一个包括光电转换单元和设在光电转换单元上的微透镜，所述光电转换单元包括像素电极、设在像素电极上的光电转换层和对电极，并被设置为将光电转换层夹在该对电极与像素电极之间。所述多个像素包括第一像素和多个第二像素。满足以下两项中的至少任一项：所述多个第二像素的像素电极比第一像素的像素电极小，或者所述多个第二像素的对电极比第一像素的对电极小；并且第一像素的对电极与微透镜之间的配置与所述多个第二像素中的每一个的对电极与微透镜之间的配置相同。
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公开(公告)号：CN108989716A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810518500.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3696 , G05D1/0253 , H04N5/23212 , H04N5/378 , H04N9/045
Abstract: 本公开一个方面公开了成像装置、信号处理装置和移动体。像素包括第一电极、在第一方向上面对第一电极的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的第三电极。光电转换层被设置在电极上。从第一电极和第二电极读取用于相位差检测的信号。此外，从第三电极读取用于成像的信号。
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