公开(公告)号：CN102856349B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210224859.1

申请日：2012-06-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 一之濑雄志 ,  盐崎笃志 ,  坂口清文

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L51/5275 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明涉及显示装置和配备该显示装置的图像信息处理设备。在透镜阵列与第一电极之间设置具有与透镜对应的多个开口的光吸收层。该开口中的每一个的边缘被设置成使得沿基板的法线方向入射并穿过相应的透镜具有最大倾斜角的区域的光被阻挡。

公开(公告)号：CN1239754C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200410032371.4

申请日：2000-06-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  西田彰志 ,  坂口清文 ,  浮世典孝

IPC: C25D11/02 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C25D11/32 ,  C25D17/10 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/76259 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363

Abstract: 一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形状。该设备可用于以小力分离薄膜半导体层，所述薄膜半导体层几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。

公开(公告)号：CN1188898C

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN00121745.3

申请日：2000-06-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  西田彰志 ,  坂口清文 ,  浮世典孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  C25D11/02

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C25D11/32 ,  C25D17/10 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/76259 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363

Abstract: 采用薄膜晶体半导体层生产半导体部件和太阳能电池的方法，包括步骤：(1)阳极化第一基片的表面，在基片的至少一个侧面上形成多孔层，(2)至少在多孔层的表面上形成半导体层，(3)在它的周边区域除去半导体层，(4)粘结第二基片到半导体层的表面，(5)从第一基片在多孔层部分分离半导体层，(6)分离后处理第一基片的表面，并重复上面的步骤(1)到(5)。该方法能以小力分离薄膜半导体层，几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。

公开(公告)号：CN1532307A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410032371.4

申请日：2000-06-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  西田彰志 ,  坂口清文 ,  浮世典孝

IPC: C25D11/02 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C25D11/32 ,  C25D17/10 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/76259 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363

Abstract: 一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形式。该设备可用于以小力分离薄膜半导体层，所述薄膜半导体层几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。

公开(公告)号：CN1156027C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN97129782.7

申请日：1997-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C30B19/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0062 ,  H01L2221/68368 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/977

Abstract: 为了达到晶体的高性能和半导体衬底的低成本，以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池，利用下述步骤制造半导体衬底，(a)在衬底的表面形成多孔层，(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液，以便在多孔层表面上生长晶体半导体层，(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上，(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。

公开(公告)号：CN1505174A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310114344.7

申请日：2000-07-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己 ,  米原隆夫 ,  高井康好 ,  坂口清文 ,  浮世典孝 ,  岩根正晃 ,  岩崎由希子

IPC: H01L31/0256 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/304 ,  Y10T156/1002 ,  Y10T156/1028 ,  Y10T156/1041 ,  Y10T156/1048 ,  Y10T156/1049

Abstract: 提供一种高品质的薄膜单晶太阳能电池组件，亦即耐久性和挠性优良的薄膜单晶太阳能电池组件和其生产方法。该薄膜单晶从衬底上的剥离是按照使根据薄膜单晶最容易劈裂的那些平面比如{111}的表象形成在薄膜单晶的表面的所有直线的方向，均不同于已剥离单晶前方线的方向的方式进行的。该薄膜单晶可用来生产太阳能电池和图象显示部件的驱动电路器件。具有挠性且包含有以薄膜单晶作为其至少一部分的光电元件的太阳能电池组件，是按照使组件固有的容易弯曲的方向不同于薄膜单晶最容易劈裂的方向的方式制造的。

公开(公告)号：CN1139969C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN98109689.1

申请日：1998-03-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 提供一种制备高质量的SOI晶片且具有极好的可控性和生产率、经济的方法、以及用该方法制备的晶片。在利用键合晶片制备基片的方法中，相互键合第一基片部件和第二基片部件，然后在形成于第一基片部件主表面的第一层和第二层的界面分离第二基片部件与第一基片部件，由此第二层转移到第二基片部件。在分离过程中，通过改变多孔Si层的孔隙率的方法、使多孔Si的孔聚集形成容易分离面的方法、在界面进行离子注入的方法、或利用异质外延界面的方法来确保分离位置在第一第二层的界面。

公开(公告)号：CN1108632C

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN98103730.5

申请日：1998-02-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67057

Abstract: 晶片一边受到支承一边由四根具有槽口的晶片转动杆转动。晶片转动杆由一安装在晶片处理槽外边的电动机传递出的驱动力转动。超声槽设置在晶片处理槽的下方，并且由超声源产生的超声波传递到晶片处理槽。超声波可高效地传递到晶片，因为晶片仅由晶片转动杆支承。

公开(公告)号：CN1099699C

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN97111685.7

申请日：1997-04-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山方宪二 ,  米原隆夫 ,  阿闭忠司 ,  坂口清文

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明解决了粘贴SOI基片在其周边部分产生空洞和由此导致的器件数量减少的问题。本发明涉及一种制造SOI基片的方法，所述SOI基片通过粘贴具有SiO2表面的第一Si基片和具有Si表面的第二Si基片而获得，粘贴在SiO2表面和Si表面上进行，该方法包括：在把第一Si基片和第二Si基片粘贴在一起前，清洗第二Si基片的Si表面，使之具有疏水性的步骤。

公开(公告)号：CN1099698C

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN97105478.9

申请日：1992-02-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明是关于多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点在于，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸；制作半导体基片的制造方法包括如下工序：形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底，将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上，用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。