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公开(公告)号：CN1099699C
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN97111685.7
申请日：1997-04-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/76251 , Y10S438/977
Abstract: 本发明解决了粘贴SOI基片在其周边部分产生空洞和由此导致的器件数量减少的问题。本发明涉及一种制造SOI基片的方法，所述SOI基片通过粘贴具有SiO2表面的第一Si基片和具有Si表面的第二Si基片而获得，粘贴在SiO2表面和Si表面上进行，该方法包括：在把第一Si基片和第二Si基片粘贴在一起前，清洗第二Si基片的Si表面，使之具有疏水性的步骤。
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公开(公告)号：CN1092720C
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN98125517.5
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C25D11/32 , C25D11/005 , C25D17/001 , C25D17/004 , C25D17/02 , H01L21/3063 , H01L21/76259
Abstract: 本发明提供有效地进行阳极化处理的阳极化设备、方法和半导体衬底的制造方法。该用电解液对衬底进行阳极化处理的阳极化设备，包括：盛放电解液的处理池，该处理池在其壁上有开口；具有用来与衬底的表面接触的平坦接触面的正极，该衬底设置在所述开口附近且在所述处理池的内侧，所述衬底的表面通过所述开口向所述处理池外部敞开；以及正对着关闭所述开口的负极。
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公开(公告)号：CN1198586A
公开(公告)日：1998-11-11
申请号：CN98105533.8
申请日：1998-03-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68728 , H01L21/67092 , Y10T29/53191 , Y10T156/1744
Abstract: 一块基板放在基板支承台上,其正面朝上,另一块基板由夹紧部分夹紧,其正面朝上。基板夹紧部分绕一根轴转动180°，使两块基板相互面对基本平行。对应于取消由基板夹紧部分对上基板的夹紧,由加压销对上基板的中心部分加压,从而迭合两块基板。
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公开(公告)号：CN1521809A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN200410002793.7
申请日：2000-03-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/326 , C25B9/00 , C30B25/02
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明将降低阳极化反应产生的气体的影响。要处理的硅基体(101)被水平夹住。负电极(129)被布置在硅基体(101)的上方，并使正电极(114)与硅基体(101)的下表面接触。用HF溶液(132)充填负电极(129)和硅基体(101)之间的空间。负电极(129)具有许多排气孔(130)，以防止阳极化反应产生的气体停留在负电极(129)的下方。
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公开(公告)号：CN1153258C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN98126327.5
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/6838
Abstract: 两晶片适当地彼此接触。第一晶片由具有环形外围部分(3d)的晶片支撑台(3)支撑。基片支撑台(3)只与第一晶片的外围部分(3d)接触。而第二晶片与第一晶片相对地被支撑时，第二晶片的下表面在其中心部分被加压，以便第一和第二晶片从中心部分向外彼此接触。晶片支撑台(3)的中心部分(3c)不与第一晶片接触。甚至在有颗粒附着于该中心部分时，也可以防止被支撑的第一晶片不平整。因此，两晶片间不存在残留的气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1150594C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN97107286.8
申请日：1997-12-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/76259 , B28D5/00 , G02F1/136277 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/304 , H01L21/76254 , H01L22/00 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2924/0002 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种生产半导体产品的工艺，包括下列步骤，把膜粘接到具有多孔半导体层的衬底上，通过在剥离方向对膜施加力，在多孔半导体层从衬底上剥离该膜。
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公开(公告)号：CN1124369C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN97123026.9
申请日：1997-11-27
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 山方宪二
IPC: C25D11/32
CPC classification number: H01L21/67086 , C25D11/005 , C25D11/32 , C25D17/00 , C25D17/001 , C25D17/06 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31675 , H01L21/67028 , H01L21/6838 , Y10S134/902
Abstract: 由抗HF材料制成的支持器，包括环形吸气衬垫(105，108)。吸气衬垫(105)利用吸力支持小的硅衬底，吸气衬垫(108)利用吸力支持大的硅衬底。这样就可处理具有各种尺寸的硅衬底。利用泵减少吸气衬垫沟内空间的压力用吸力支持硅衬底。在该支持器中形成开口使得硅衬底的两个表面与HF溶液接触。使用铂作为正负电极并通过施加直流电压对硅衬底进行阳极化处理，制造具有多孔层的衬底。
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公开(公告)号：CN1269601A
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：CN00104669.1
申请日：2000-03-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明将降低阳极化反应产生的气体的影响。要处理的硅基体(101)被水平夹住。负电极(129)被布置在硅基体(101)的上方,并使正电极(114)与硅基体(101)的下表面接触。用HF溶液(132)充填负电极(129)和硅基体(101)之间的空间。负电极(129)具有许多排气孔(130),以防止阳极化反应产生的气体停留在负电极(129)的下方。
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公开(公告)号：CN1209644A
公开(公告)日：1999-03-03
申请号：CN98118700.5
申请日：1998-08-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/2007
Abstract: 一种使两个基片重叠和接触的基片处理装置,包括:一用于支承第一基片的支承装置;一加压装置用于将第二基片压在由所述支承装置的支承的第一基片上,其特征在于:在第一基片的预定部分被弯曲与第二基片分离和第一基片不被弯曲的同时,所述支承装置能支承第一基片。还包括基片支承装置,基片处理方法,基片制造方法。
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公开(公告)号：CN1190248A
公开(公告)日：1998-08-12
申请号：CN97107286.8
申请日：1997-12-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76259 , B28D5/00 , G02F1/136277 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/304 , H01L21/76254 , H01L22/00 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2924/0002 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种生产半导体产品的工艺,包括下列步骤,把膜粘接到具有多孔半导体层的衬底上,通过在剥离方向对膜施加力,在多孔半导体层从衬底上剥离该膜。
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