基片的加工设备、支撑设备、加工及制造方法

    公开(公告)号:CN1153258C

    公开(公告)日:2004-06-09

    申请号:CN98126327.5

    申请日:1998-12-25

    CPC classification number: H01L21/67092 H01L21/6838

    Abstract: 两晶片适当地彼此接触。第一晶片由具有环形外围部分(3d)的晶片支撑台(3)支撑。基片支撑台(3)只与第一晶片的外围部分(3d)接触。而第二晶片与第一晶片相对地被支撑时,第二晶片的下表面在其中心部分被加压,以便第一和第二晶片从中心部分向外彼此接触。晶片支撑台(3)的中心部分(3c)不与第一晶片接触。甚至在有颗粒附着于该中心部分时,也可以防止被支撑的第一晶片不平整。因此,两晶片间不存在残留的气体。

    阳极化设备,阳极化系统,及基体处理设备和方法

    公开(公告)号:CN1269601A

    公开(公告)日:2000-10-11

    申请号:CN00104669.1

    申请日:2000-03-24

    CPC classification number: H01L21/67017

    Abstract: 本发明将降低阳极化反应产生的气体的影响。要处理的硅基体(101)被水平夹住。负电极(129)被布置在硅基体(101)的上方,并使正电极(114)与硅基体(101)的下表面接触。用HF溶液(132)充填负电极(129)和硅基体(101)之间的空间。负电极(129)具有许多排气孔(130),以防止阳极化反应产生的气体停留在负电极(129)的下方。

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