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公开(公告)号：CN117003197A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311247135.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法，包括：在单晶硅晶圆上表面深刻蚀质量块填充孔并填充制成质量柱；围绕质量柱的三个侧面深刻蚀形成间隙，并对间隙进行临时填充；在间隙的对侧的单晶硅晶圆上表面刻蚀形成台阶，并在台阶上依次沉积下包层、芯层、上包层，形成光波导；在光波导的出射端面和质量柱之间的台阶顶部深刻蚀深沟槽结构，减薄单晶硅晶圆下表面使深沟槽和质量柱贯穿单晶硅晶圆，并形成垂直敏感结构；用湿法腐蚀从上下两端同时腐蚀减薄质量柱形成质量块；去除临时填充的材料，对得到的芯体结构进行密封，形成垂直法珀腔。
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公开(公告)号：CN116631944A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310912407.0
申请日：2023-07-25
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种高温压阻特性试样及含有TSV的异形硅转接板制备方法，本发明使用的方法在制造异形结构时避免了传统的机械划片或激光划片时对硅晶圆可能造成的破裂，通过上表面深刻蚀与下表面减薄相结合的方法，实现了异形结构的自动释放分离。同时，本发明面向高温应用提出了与硅通孔TSV工艺兼容的耐高温欧姆接触电极结构硅/二硅化钛/钛/氮化钛/钛/铜，可以用于300℃以上的高温压阻特性的测量。此外，本发明提出的含有TSV的异形硅转接板有利于入射光纤与硅光器件的端面耦合器对准，实现电‑光‑感的三维异构集成系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116429300A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310685836.9
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅和微流道冷却的超高温压力传感芯片及系统，使用底部各向异性腐蚀并氧化和在压阻式的半导体电阻的周围刻蚀电阻分隔结构并填充和覆盖绝缘层相结合的方法，将组成惠斯登电桥的半导体电阻用二氧化硅层绝缘隔离包裹起来，避免了传统单晶硅pn结隔离高温漏电流失效的问题。本发明还提出了使用微流道环绕高温压力传感芯片的微组装方法，隔离了外界高温并降低了芯片周围温度，使得系统可以在高于硅基压力传感芯片最高工作温度的1000℃以上的超高温环境中工作。同时这种微流道环绕芯片进行冷却的方法也适用于其他材质和原理的工作在极端高温环境中的传感器、集成电路、大功率器件等。
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公开(公告)号：CN115863183B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310052799.8
申请日：2023-02-03
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种用于三维集成晶圆系统散热的流量可测的微流道制造方法，包括：压阻式流量计制造步骤：在绝缘体上硅晶圆的上表面构造第一力敏应变结构并构造力敏电阻和测温电阻；埋氧层二氧化硅释放步骤：在所述绝缘体上硅晶圆的上表面刻蚀释放孔，并用湿法腐蚀所述释放孔下方的埋氧层二氧化硅，形成微流道；释放孔电镀铜封闭步骤：在所述绝缘体上硅晶圆的上表面和所述释放孔的侧壁沉积种子层金属，基于所述种子层电镀铜形成铜柱封闭所述微流道的上表面；微流道内壁无机镀铜步骤：使用化学法在所述微流道的内壁上下表面镀上铜散热层。
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公开(公告)号：CN116153860A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310397169.4
申请日：2023-04-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法。所述键合方法包括如下步骤：于背景气体下，在晶圆的铜凸点表面，采用能量功率为100mJ‑300mJ的脉冲激光溅射沉积纳米铜层，得到结构晶圆；将纳米铜浆料涂覆于所述结构晶圆中的纳米铜层表面，得到预处理晶圆，其中，所述纳米铜浆料包括纳米铜粉、还原剂、固化剂以及有机溶剂；在还原性气氛中，将另一所述结构晶圆与所述预处理晶圆倒装热压贴合，经热处理固化后冷却静置，完成晶圆级铜铜凸点互连结构的键合。所述键合方法无需引入除铜之外的其他金属就可以实现铜凸点之间的稳定键合，显著提高键合的可靠性，保证良好的导电效果。
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公开(公告)号：CN115799194B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310052789.4
申请日：2023-02-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了晶圆散热微流道、制备方法及三维集成方法，其中基于绝缘体上硅的晶圆散热微流道制备方法直接在绝缘体上硅晶圆背部就可以制作微流体通路，无需用额外的硅片制备微流道，具有工艺简单可靠性高的优点；而且使用电镀或化学气相沉积或沉积有机聚合物的方式进行密封，无需额外的键合工艺；此外，本发明是晶圆级工艺，且与硅基微电子工艺完全兼容。本发明既可以用于制备硅晶圆转接板，也可以用于多集成电路芯片或晶圆的三维堆叠集成。
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公开(公告)号：CN115799194A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310052789.4
申请日：2023-02-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了晶圆散热微流道、制备方法及三维集成方法，其中基于绝缘体上硅的晶圆散热微流道制备方法直接在绝缘体上硅晶圆背部就可以制作微流体通路，无需用额外的硅片制备微流道，具有工艺简单可靠性高的优点；而且使用电镀或化学气相沉积或沉积有机聚合物的方式进行密封，无需额外的键合工艺；此外，本发明是晶圆级工艺，且与硅基微电子工艺完全兼容。本发明既可以用于制备硅晶圆转接板，也可以用于多集成电路芯片或晶圆的三维堆叠集成。
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