半导体发光元件
    35.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100524851C

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200410090350.8

    申请日:2004-11-04

    CPC classification number: H01L33/38 H01L33/32 H01L33/387 H01L33/405

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件,具备由氮化物半导体形成的第1导电型半导体层;由氮化物半导体形成的,设在第1导电型半导体层上的第2导电型半导体层;由氮化物半导体形成的,设在第1导电型半导体层和第2导电型半导体层之间的活性层;与第1导电型半导体层电连接的第1电极;以所定的图案设在第2导电型半导体层上的第2电极;和设在第2导电型半导体层上和上述第2电极上的金属反射膜。

    光伏装置
    40.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105656421B

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201510847718.9

    申请日:2015-11-27

    Abstract: 本发明涉及一种光伏装置,包括:发电部,其包括多个发电元件,每个发电元件根据受光量生成电力,该发电部具有受光面和设置在受光面的相反侧上的背面;机能部,其与发电部分开设置,并且配置为提供与光伏装置相关的机能;和位置可变部,其设置在发电部和机能部之间,并且能够改变发电部和机能部的位置,其中,发电部的背面和机能部彼此面对,以及位置可变部能够在维持发电部的背面和机能部彼此面对的状态的同时、改变发电部和机能部的位置。

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