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公开(公告)号：CN116047657A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310059132.0
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种能兼容SMF28光纤的LNOI边缘耦合器及制备方法和应用，属于硅光子集成电路技术领域，解决了现有技术中LNOI边缘耦合器无法与SMF28单模光纤直接耦合的问题。所述LNOI边缘耦合器包括由下至上依次设置的硅衬底、埋氧层、LNOI层和SiO2包层，所述硅衬底的内部设置有与外界空气连通的空腔，所述空腔由所述硅衬底的上表面向下延伸。该LNOI边缘耦合器能够匹配SMF28中的模场直径，可以实现与SMF‑28单模光纤的高效耦合，极大地增加了耦合容差。
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公开(公告)号：CN110828443A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911111229.1
申请日：2019-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种无衬底光电混合集成结构及其制备方法，该结构包括：硅光芯片，具有光芯片传输线层及与该光芯片传输线层相连接的引脚，且该硅光芯片无衬底；电芯片，倒装贴装于该硅光芯片上，该电芯片与该硅光芯片通过一光电芯片互连层电性相连；塑封层，覆盖于电芯片周围；过孔，其两端分别连接光芯片传输线层和表面/底面金属焊盘；以及，该表面/底面金属焊盘，设置于硅光芯片和/或塑封层的外表面。本发明提供的该无衬底光电混合集成结构及其制备方法，无需进行TSV工艺，降低了工艺难度，提高了成品率；消除了硅衬底寄生参数的影响，可以有效改善硅光器件的高频性能；对于边耦合方式，无需制作悬臂梁结构便可实现较高的耦合效率。
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公开(公告)号：CN109786497A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910085971.3
申请日：2019-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电探测器，包括SOI衬底、光波导区、有源区、N电极和P电极；SOI衬底自下而上包括底层硅层、掩埋二氧化硅层和顶层硅层，掩埋二氧化硅层的一部分被顶层硅层覆盖；光波导区包括二氧化硅层和形成于二氧化硅层中的氮化硅层，二氧化硅层位于顶层硅层和暴露部分的掩埋二氧化硅层之上，氮化硅层包括用作直波导的宽度固定的氮化硅层和用作模式转换耦合器的宽度由宽变窄的氮化硅层；有源区自下而上包括位于顶层硅层之上的硅本征层和锗吸收层，有源区位于模式转换耦合器左侧且与模式耦合器之间具有预设间距；N电极位于顶层硅层上的N接触层处，P电极位于锗吸收层上的P接触层处。本发明的探测器具有高响应速度和高饱和输出功率。
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公开(公告)号：CN106980160B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201710131860.2
申请日：2017-03-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明提供一种基于混合集成的片上光源结构，包括载板、载板互连线、激光器、准直透镜、光隔离器和密闭盖板，其中，激光器通过所述载板互连线获得供电并连接到载板；激光器发射的光依次通过准直透镜、光隔离器、密闭盖板下部，以最佳入射角入射位于光子芯片表面下方的光栅；光隔离器出射的光线与光子芯片表面垂直，且所述光栅所在位置的截面与光子芯片表面垂直。本发明还提供一种制备基于混合集成的片上光源结构的制备方法。本发明能够实现片上光源集成，集成度高、损耗小、安装简单便捷，还可以通过光学密闭盖板灵活调整光路。
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公开(公告)号：CN105321929B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510528257.9
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/535 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244
Abstract: 本发明公开一种三维光电集成结构及其制作方法，所述三维光电集成结构包括：光电子芯片；再布线介质；电子器件；基板，所述再布线介质通过所述焊球固定于所述基板上；光纤，与所述光子器件耦合。通过设置多层介质层，并在多层介质层内设置互连金属线，采用了该成熟的再布线技术，工艺简单，实现输入输出接口的引出，可根据后续集成的需要，灵活的分配输入输出接口，从而实现了层间互连，且避免了采用硅通孔技术，保证了光子芯片的性能，另外，将所述光电子器件设置于所述互连介质和所述基底的同一侧，即使得所述光电子器件使用倒扣互连，不仅提高传输速率，而且提高了散热效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105321929A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510528257.9
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/535 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244
Abstract: 本发明公开一种三维光电集成结构及其制作方法，所述三维光电集成结构包括：光电子芯片；再布线介质；电子器件；基板，所述再布线介质通过所述焊球固定于所述基板上；光纤，与所述光子器件耦合。通过设置多层介质层，并在多层介质层内设置互连金属线，采用了该成熟的再布线技术，工艺简单，实现输入输出接口的引出，可根据后续集成的需要，灵活的分配输入输出接口，从而实现了层间互连，且避免了采用硅通孔技术，保证了光子芯片的性能，另外，将所述光电子器件设置于所述互连介质和所述基底的同一侧，即使得所述光电子器件使用倒扣互连，不仅提高传输速率，而且提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN105226037A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510528273.8
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/00 , H01L21/50 , H01L21/54
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种带有光接口的封装上光电集成结构及其制作方法。所述封装光电集成结构包括：母板；电子器件单元；光子器件单元，固定于所述基板上；光纤，固定于所述光子器件单元上；散热部件设置于所述电子器件、所述光子器件电路和所述光子器件单元之上，用于吸收热量并散发。本申请的带有光接口的封装光电集成结构通过将所述电子器件单元基板固定于母板上，从而便于在电子器件、光子器件电路、光子器件单元的顶部加装散热部件，进行散热，同时，通过在所述电子器件、所述光子器件电路与所述基板之间填充所述底部填充料，解决了现有技术的结构中，电子器件和光学器件的组装兼容性以及热管理较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN105203852A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410256680.3
申请日：2014-06-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于集成无源器件的测试板，包括测试结构和校准结构，其特征在于：所述校准结构与所述测试结构位于同一块PCB板上，并且与所述测试结构的布局相同。依照本发明的用于集成无源器件的测试结构，在测试板上设计了IPD芯片的高频测试连接端口和误差校准结构，实现了测试点的连接，又通过校准结构的设计巧妙地消除测试链路中的误差，方便地进行IPD高频测试的校准和测试，提供了一种便捷准确的测量方式，满足IPD芯片研发工作中的测试需求。
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公开(公告)号：CN105116499A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510528260.0
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: G02B6/421 , G02B6/4249 , G02B6/4296 , G02B6/43
Abstract: 本发明公开一种基于多模平面光波导耦合的并行光模块，所述并行光模块包括：耦合结构，包括：基底，制作有多模波导，所述多模波导间隔设置，所述基底的第一端面切割有45度的倾角，使得所述多模波导的端部被处理成45度；波导盖片，盖设于所述多模波导的顶面；多模光纤阵列；用于固定所述多模光纤阵列的上夹具和下夹具。本申请通过将具有多模波导的基底切割有45度的倾角，使得所述多模波导的端部被处理成45度，由于基底切割的工艺成熟，因此能够大规模生产、易于实现，解决了现有采用直接耦合时光纤研磨的质量和耦合效率很难控制的技术问题。
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公开(公告)号：CN104064558A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410299608.9
申请日：2014-06-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及医疗器械技术领域，特别涉及一种光电集成的内窥镜系统封装结构，包括：光学传感器芯片、串行数据传输芯片、激光发射芯片、第一刚性封装基板、载片、光纤及电缆连接单元。光学传感器芯片倒装在第一刚性封装基板的上端；串行数据传输芯片和激光器驱动芯片倒装或线装在第一刚性封装基板的下端；激光发射芯片倒装在载片上端，载片倒装在第一刚性封装基板的下端；载片的上、下端之间设置有通孔，光纤穿过所述通孔与激光发射芯片连接。本发明提供的光电集成的内窥镜系统封装结构，电性连接直接、可靠，能够实现图像数据高速率传输。
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