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公开(公告)号：CN105826814A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610333092.4
申请日：2016-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/223
Abstract: 一种磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：在磷化铟基外延片P面接触层上进行光刻，将光刻版上条形脊波导的图形转移到光刻胶上；以光刻胶为掩膜，腐蚀掉部分磷化铟基外延片上没有被光刻胶保护的P面接触层部分，形成脊形波导；将带有光刻胶的磷化铟基外延片打胶去底膜，在其上溅射一层介质薄膜；剥离脊形波导上的光刻胶和介质薄膜，形成电注入窗口；在磷化铟基外延片正面溅射或蒸发金属，形成P面电极；将磷化铟基外延片的N型衬底减薄、抛光，在N型衬底上蒸发金属，形成N面电极，并合金，形成基片；将基片烧结在热沉上，并引线，完成制备。本发明的工艺简单，产品成品率高。
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公开(公告)号：CN103938178A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410160279.X
申请日：2014-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种直接在si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，包括如下步骤：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH3气体；将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH3气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。本发明不需要使用外来催化剂，没有污染，也不需要核子纳米线辅助成核，生长步骤简化。
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公开(公告)号：CN103077886A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310043881.0
申请日：2013-02-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长量子阱结构，该量子阱结构引入锑源作为表面活性剂；步骤4：在量子阱结构上生长盖层，完成量子阱的制备。本发明通过在InAs量子阱的生长过程中引入锑原子作为表面活性剂，促进外延表面更加平整，减缓材料薄膜的局部应力释放，改善材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN101908581A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010217374.0
申请日：2010-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构，作为电池的i吸收层；步骤4：在多个周期的量子点结构上依次生长p型GaAs层、p+型GaAs层、Al0.4Ga0.6As层和ZnS/MgF2层；步骤5：在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极；步骤6：在衬底10的下表面制作下金属电极；步骤7：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。
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公开(公告)号：CN101533768B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810101761.0
申请日：2008-03-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤4：以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量子点上淀积盖层初始部分；步骤5：升温并进行原位退火；步骤6：以高于铟砷量子点生长温度的条件，在盖层初始部分上生长高温盖层，完成铟砷/镓砷量子点材料有源区的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101533768A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810101761.0
申请日：2008-03-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤4：以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量子点上淀积盖层初始部分；步骤5：升温并进行原位退火；步骤6：以高于铟砷量子点生长温度的条件，在盖层初始部分上生长高温盖层，完成铟砷/镓砷量子点材料有源区的制作。
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公开(公告)号：CN116299856A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310566605.6
申请日：2023-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/13 , G02B6/136 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种硅光耦合结构，包括：衬底（1），其表面一选区内刻蚀形成外延槽；外延复合层（4），生长于外延槽内，包括第一外延层（41）和第二外延层（42），第一外延层（41）覆盖外延槽底部，第二外延层（42）位于第一外延层（41）的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于或等于第一外延层（41）的面积；顶波导层（6），设置于第二外延层（42）上，并延伸出外延槽。本发明的硅光耦合结构体积紧凑，工艺兼容性高，耦合效率高，同时具有灵活性和可拓展性。
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公开(公告)号：CN116207608A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310083298.6
申请日：2023-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种量子点激光器结构，包括：衬底；外延层，设置在衬底上，所述外延层由下至上包括：缓冲层，下包层，下波导层，叠层量子点，上波导层，上包层，欧姆接触层；其中，上包层和欧姆接触层的中间区域制备有平行的两个沟槽，在两个沟槽之间形成凸起的脊波导；侧向耦合光栅，形成于两个沟槽内的上包层的表面，所述侧向耦合光栅的布拉格波长相较于激光器材料增益峰值的失谐量为1nm‑60nm。同时本公开还提供一种上述量子点激光器的制备方法。
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公开(公告)号：CN115732603A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202111008090.5
申请日：2021-08-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种啁啾量子点超辐射发光管，包括：衬底(10)；有源区下盖层(20)；至少一层有源区(30)，每层有源区(30)至下而上包括N型掺杂的量子点层(31)、第一盖层(32)、第二盖层(33)，并形成啁啾多层量子点结构；有源区上盖层(40)。本公开通过对啁啾量子点进行N型掺杂，可提供额外的电子钝化非辐射复合中心，并且提供了过量的载流子占据更高的激发态能级，因此针对啁啾量子点光谱相对均匀量子点较宽，但更高能级量子点填充不充分的问题得到了很好的弥补，与传统的啁啾量子点超辐射发光管相比有更宽的发光谱，最终同时提高了超辐射发光管的功率和谱宽。
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公开(公告)号：CN114421283A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210061888.4
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/30 , H01S5/34 , H01S5/343 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种双掺杂量子点有源区外延结构及其制备方法和应用，双掺杂量子点有源区外延结构量子点有源区被配置为周期性的双掺杂量子点叠层结构，量子点有源区包括：周期排列的n型掺杂层以及p型掺杂层；其中，p型掺杂层与所述n型掺杂层发生协同作用，第一隔层，设置在周期排列的n型掺杂层和p型掺杂层之间；第二隔层，设置在p型掺杂层的另一侧，另一侧与所述第一隔层所在一侧不同；第一隔层或第二隔层用于提供应力调控或应力缓解，本发明通过空间分离的交替掺杂的结构，降低载流子的损耗，提高材料的光学质量；改善量子点导带和价带准费米能级移动的不对称性，提升材料峰值增益和微分增益。
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