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公开(公告)号：CN104267215B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201410562370.4
申请日：2014-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明提供一种在（100）单硅片上制作宽频带高量程加速度传感器的方法，所制作的宽频带高量程加速度传感器由四个纵截面为五边形规则的作为压阻敏感电阻的微梁以及一块弹性板构成，工作时微梁仅沿硅 晶向产生直拉或直压的应变，使得传感器具有高的灵敏度和较高的一阶振动频率，拓宽了工作频率带宽，保证传感器在高冲击响应过程中能够测量到较宽范围的频率信号，确保测量信号准确不失真；微梁由各向异性腐蚀溶液KOH溶液腐蚀，由硅（111）晶面作为腐蚀终止面，自动终止所述微梁的腐蚀，整个过程容易控制，可以精确控制微梁的尺寸，成品率大大提高，适于批量生产；传感器的体积较小，抗冲击能力比较大，有益于生产成本的降低。
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公开(公告)号：CN106788316A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510830774.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H03H9/08 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H9/19 , H03H2003/027 , H03H2003/0407
Abstract: 本发明提供一种压阻式恒温控制振荡器及其制备方法，包括：谐振结构、加热梁、多晶硅高阻层、第一绝缘层及加热电阻；谐振结构包括纵向振动梁及第一电极；纵向振动梁的数量为两根，两根纵向振动梁平行间隔排布；第一电极位于两根纵向振动梁的两端，并将两根纵向振动梁相连接；纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；加热梁贯穿两根纵向振动梁；多晶硅高阻层位于两根纵向振动梁之间，且将加热梁隔断为两部分；第一绝缘层及加热电阻由下至上依次覆盖于加热梁的上表面。在两根纵向振动梁之间制作多晶硅高阻层，可实现对振荡器进行压阻检测；多晶硅高阻层将位于其两侧的加热梁连接成双端固支梁，可显著减小加热梁变形对谐振结构的影响。
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公开(公告)号：CN106629575A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610898632.3
申请日：2016-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/02 , B81C1/00134
Abstract: 本发明提供一种旁热式微传感器及其制造方法，包括：衬底，衬底内形成有凹槽；焊盘，位于凹槽外围的衬底表面；旁热式微传感器主体，位于凹槽的上方，包括：主体支撑层、旁式加热元件、第一绝缘层及敏感电极，旁式加热元件及敏感电极位于主体支撑层表面，且旁式加热元件位于敏感电极的外侧，第一绝缘层位于旁式加热元件表面；支撑梁，位于衬底及旁热式微传感器主体之间，适于将旁热式微传感器主体固支于衬底上；疏水疏油层，位于第一绝缘层表面、裸露的主体支撑层表面、裸露的衬底表面及支撑梁表面。本发明采用旁热式结构，减少了敏感材料所在区域绝缘层漏电对于敏感测试信号造成的干扰，在敏感电极区域实现简易的自对准式液态敏感材料上载。
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公开(公告)号：CN104236766B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310234503.0
申请日：2013-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种封装应力与温漂自补偿的双悬浮式力敏传感器芯片及制备方法。所述芯片至少包括：形成在单晶硅基片一表面的两个同结构同尺寸的悬臂梁，每一悬臂梁表面开设有参考压力腔体，每一参考压力腔体表面覆盖有单晶硅压力敏感薄膜，且在每一单晶硅压力敏感薄膜表面形成有多个电阻，各电阻连接成惠斯顿全桥检测电路；此外，在临近每一悬臂梁与单晶硅基片的连接处形成有应力释放凹槽，以释放封装应力；再有，两参考压力腔体中的一者通过压力释放通道连通导压孔以便该个参考压力腔体与外界大气相通。本发明的传感器能实现对封装应力与零点温漂的自补偿，提高了传感器的检测稳定性和封装环境适应可靠性；具有芯片尺寸小、成本低、适于大批量生产等特点。
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公开(公告)号：CN105891041A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610216567.1
申请日：2016-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N5/02
CPC classification number: G01N5/02
Abstract: 本发明提供一种CO2传感材料性能的测试方法，为使用谐振式微悬臂梁作为质量型测试元件，将CO2传感材料负载于谐振式微悬臂梁的敏感区域，在一定温度下通入CO2气体，获得谐振式微悬臂梁的频率随谐振式微悬臂梁上吸附CO2气体量变化的实时测试曲线，然后进一步计算所述CO2传感材料的动力学参数，并由得到的动力学参数对所述CO2传感材料进行特性评估。该方法先进、具有现实的应用意义，且易于操作、价格低廉，能够克服传统的反复试验方法存在工作量大、缺乏定量比较依据、测试价格高、材料用量多、测试气体的品种单一等缺点，可用于吸附型CO2传感材料的设计、评估与优化等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103675365B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210330880.X
申请日：2012-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/06727 , G01R3/00
Abstract: 本发明提供一种微机械芯片测试探卡及其制作方法，在SOI衬底中定义悬臂梁图形，于悬臂梁的悬空端制作内壁绝缘的盲孔，于盲孔内制作探针，于悬臂梁表面制作金属引线，于悬臂梁的固定端制作焊球，正面刻蚀SOI形成悬臂梁结构，将焊球倒装于陶瓷基底，从底面刻蚀衬底硅以释放悬臂梁以完成制备。本发明具有加工精度高、加工工艺简单、制作的测试探卡的机械强度高、各探针可依据待测芯片管脚位置的分布进行排列等优点。本发明的制作工艺与传统的CMOS工艺及微机加工工艺兼容，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN104724662B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310705594.1
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多晶硅应力传感器及其制作方法，所述多晶硅应力传感器至少包括：硅衬底；硅孔结构，形成于所述硅衬底中；第一阻挡层，覆盖于所述硅衬底正表面及所述硅孔结构的上部侧壁；多晶硅层，形成于所述第一阻挡层表面、及所述硅孔结构的下部侧壁及底部；第二阻挡层，覆盖于所述多晶硅层表面；电极结构，包括用于引出所述多晶硅层的第一电极以及用于引出所述硅衬底的第二电极。本发明将多晶硅力敏电阻制作在盲孔或通孔的侧壁上，并通过衬底硅的连接作用，实现力敏电阻两端引线及焊盘在硅片正面的制作，同时本发明利用多晶硅电阻在孔内部的轴向力敏度远大于径向灵敏度，可用于对盲孔电镀填铜、通孔热处理过程引入的内部轴向应力的测量。
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公开(公告)号：CN105067471A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510443118.6
申请日：2015-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N5/00
Abstract: 本发明提供一种微悬臂谐振结构传感器的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底中形成有微悬臂结构；所述微悬臂结构的微悬臂梁表面形成有亲水层；在所述微悬臂梁的敏感区域表面形成一保护层；在所述衬底表面形成疏水分子层；去除所述保护层，露出其下的亲水层；在去除所述保护层的过程中，所述保护层表面的疏水分子层也被去除，其余部分的疏水分子层不受影响；在所述衬底表面涂覆敏感材料，由于所述疏水分子层的存在，所述敏感材料集中于所述敏感区域。本发明通过疏水或双疏的分子层将器件表面封闭，仅悬臂谐振结构敏感区域露出下方的亲水表面，从而使敏感材料固定在悬臂谐振结构的该区域上，使敏感材料的固定实现批量化。
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公开(公告)号：CN105004626A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510434139.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N5/02
Abstract: 本发明涉及一种高灵敏度的氨类气体传感器，以谐振式微悬臂梁为质量型敏感检测平台，以高羧基含量（重量百分比为20%以上）的介孔纳米颗粒材料为敏感材料，依靠酸性基团与具有碱性的氨类气体之间存在的酸碱特异性吸附作用，获得灵敏度为ppb量级的氨类气体传感器。本发明采用共缩聚方法和后嫁接方法相结合制得高羧基含量的氨类气体敏感材料，其具有高羧基含量、高比表面积、短介孔孔道等优点，克服了传统的SBA-15型介孔粉末类氨气敏感材料存在的羧基含量少、比表面积小以及介孔孔道过长，使得氨类气体分子难以扩散至介孔孔道内部等缺点。本发明实施方案先进，可用于氨气、三甲胺以及甲胺磷等分子的高灵敏度检测，具有现实的应用意义。
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公开(公告)号：CN102809452B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110146831.6
申请日：2011-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种压阻式微纳传感器，用于检测双面表面应力；所述压阻式微纳传感器包括氧化层包裹的微纳双端固支梁以及离子掺杂区域沿厚度方向完全贯穿微纳双端固支梁的压阻，利用微纳双端固支梁双面受到相同的表面应力时沿该梁轴向产生的轴向应力效应进行检测。为适用于检测双面表面应力，将压阻深度贯穿梁厚度；使用微机械加工工艺制作出检测双面表面应力的压阻式微纳传感器。相比于现有的技术，本发明技术方案利用纳米厚度的双端固支梁检测双面表面应力，避免了传统压阻掺杂区域不能超过中性面的限制，同时得到更高的压阻检测灵敏度。
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