一种逐层减薄石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN102344132B

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201110191536.2

    申请日:2011-07-08

    Abstract: 本发明涉及一种逐层减薄石墨烯的方法,其特征在于首先利用等离子灰化技术,用等离子轰击多层石墨烯,然后在高温炉中退火以去除顶层石墨烯,实现高精度的减薄石墨烯。通过多次等离子体轰击和高温退火可以实现逐层减薄多层石墨烯。该发明特征在于将等离子技术对石墨烯改性和石墨烯各向异性的氧化过程相结合,对多层石墨烯进行精确刻蚀,能够实现单原子层精度减薄多层石墨烯,并且保留了减薄后石墨烯的优良性能。其应用领域包括制备石墨烯纳米结构及石墨烯电子器件等。

    一种具有单原子层台阶的六角氮化硼基底及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN102336588B

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201110247262.4

    申请日:2011-08-25

    Abstract: 本发明提供了一种具有单原子层台阶的六角氮化硼(hBN)基底及其制备方法,将hBN基底表面解理得到新鲜的解理面,然后用氢气高温下刻蚀六角氮化硼,得到可控的、规则的单原子层台阶。本发明利用了氢气对hBN的各向异性刻蚀作用,通过调节氢气比例、退火温度、退火时间来控制hBN的刻蚀速率和刻蚀程度,达到刻蚀出规则单原子台阶的目的。该制备工艺和化学气相沉积法制备石墨烯的工艺相兼容,可以用于石墨烯纳米带的制备。主要应用于新型石墨烯电子器件。

    一种石墨烯的制备方法
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103011142A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210559935.4

    申请日:2012-12-20

    Abstract: 本发明涉及一种石墨烯的制备方法,包括以下步骤:在催化剂存在下,六卤代苯在有机溶剂中发生反应,形成石墨烯的悬浮溶液;经过滤、洗涤和干燥除去悬浮溶液中的溶剂和未反应的六卤代苯,得到石墨烯和催化剂的混合物;混合物经酸洗后再过滤、洗涤和干燥,即得到石墨烯产品;该方法仅用一种有机化合物六卤代苯为原料,根据反应的温度不同,可以控制石墨烯的层数,制得的石墨烯产品即可制备石墨烯器件,其制备方便、后处理简单,应用前景广阔。

    一种制备石墨烯粉体的方法

    公开(公告)号:CN101993065B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201010593157.1

    申请日:2010-12-17

    Abstract: 本发明涉及一种规模化制备石墨烯粉体的方法,其特征在于首先,将氧化石墨均匀剥离成氧化石墨烯悬浮溶液,然后,利用喷雾干燥技术,包括喷雾热解干燥和喷雾冷冻干燥,使氧化石墨烯溶液雾化后去除溶剂得到氧化石墨烯粉体,最后采用无膨胀热处理氧化石墨烯得到无团聚石墨烯粉体。喷雾技术的连续制备过程以及无膨胀热处理过程保证了石墨烯粉体的规模化制备。所制备的石墨烯粉体,包括中间产物氧化石墨烯粉体,没有团聚,在溶剂中分散性能好。其应用领域包括作为填料制备高强度复合材料、导电复合材料、新型气密性和阻燃性复合材料以及新型纳米器件等。

    一种制备石墨烯粉体的方法

    公开(公告)号:CN101993065A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN201010593157.1

    申请日:2010-12-17

    Abstract: 本发明涉及一种规模化制备石墨烯粉体的方法,其特征在于首先,将氧化石墨均匀剥离成氧化石墨烯悬浮溶液,然后,利用喷雾干燥技术,包括喷雾热解干燥和喷雾冷冻干燥,使氧化石墨烯溶液雾化后去除溶剂得到氧化石墨烯粉体,最后采用无膨胀热处理氧化石墨烯得到无团聚石墨烯粉体。喷雾技术的连续制备过程以及无膨胀热处理过程保证了石墨烯粉体的规模化制备。所制备的石墨烯粉体,包括中间产物氧化石墨烯粉体,没有团聚,在溶剂中分散性能好。其应用领域包括作为填料制备高强度复合材料、导电复合材料、新型气密性和阻燃性复合材料以及新型纳米器件等。

    一种高度取向结构厚膜的制备方法

    公开(公告)号:CN116253917A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310124633.2

    申请日:2023-02-16

    Abstract: 本发明涉及一种高度取向结构厚膜的制备方法,其包括将二维纳米片分散在溶剂中得到二维纳米分散液;将二维纳米分散液平铺于基材表面,形成片层随机取向的第一凝胶膜层;将多根直线插入第一凝胶膜层的内部诱导切变流场进行取向处理,形成片层高度定向排布的第二凝胶膜层,该直线与第一凝胶膜层在基材平面平行的方向上发生相对运动,该相对运动为速度介于3mm/s‑16mm/s之间的平动或转速介于600rpm‑1100rpm之间的转动;干燥第二凝胶膜层,得到高度结构取向的二维纳米片基厚膜。本发明的制备方法,在厚度为80μm‑400μm范围内可制备出结构取向因子为0.91‑0.99的高定向厚膜。

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