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公开(公告)号：CN116253917B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310124633.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高度取向结构厚膜的制备方法，其包括将二维纳米片分散在溶剂中得到二维纳米分散液；将二维纳米分散液平铺于基材表面，形成片层随机取向的第一凝胶膜层；将多根直线插入第一凝胶膜层的内部诱导切变流场进行取向处理，形成片层高度定向排布的第二凝胶膜层，该直线与第一凝胶膜层在基材平面平行的方向上发生相对运动，该相对运动为速度介于3mm/s‑16mm/s之间的平动或转速介于600rpm‑1100rpm之间的转动；干燥第二凝胶膜层，得到高度结构取向的二维纳米片基厚膜。本发明的制备方法，在厚度为80μm‑400μm范围内可制备出结构取向因子为0.91‑0.99的高定向厚膜。
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公开(公告)号：CN116285974A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310269897.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高量子产率和光稳定性的碳基量子点的制备方法，包括如下步骤：(1)将前驱体和修饰剂溶解在溶剂中，得到第一混合液体；(2)将第一混合液体进行溶剂热处理，得到第二混合液体；最后进行纯化，得到所述碳基量子点。本发明制备过程中反应条件可控，产物提纯简易，得到的碳基量子点具有优异的量子产率和光稳定性，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN116285974B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310269897.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高量子产率和光稳定性的碳基量子点的制备方法，包括如下步骤：(1)将前驱体和修饰剂溶解在溶剂中，得到第一混合液体；(2)将第一混合液体进行溶剂热处理，得到第二混合液体；最后进行纯化，得到所述碳基量子点。本发明制备过程中反应条件可控，产物提纯简易，得到的碳基量子点具有优异的量子产率和光稳定性，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN116253917A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310124633.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高度取向结构厚膜的制备方法，其包括将二维纳米片分散在溶剂中得到二维纳米分散液；将二维纳米分散液平铺于基材表面，形成片层随机取向的第一凝胶膜层；将多根直线插入第一凝胶膜层的内部诱导切变流场进行取向处理，形成片层高度定向排布的第二凝胶膜层，该直线与第一凝胶膜层在基材平面平行的方向上发生相对运动，该相对运动为速度介于3mm/s‑16mm/s之间的平动或转速介于600rpm‑1100rpm之间的转动；干燥第二凝胶膜层，得到高度结构取向的二维纳米片基厚膜。本发明的制备方法，在厚度为80μm‑400μm范围内可制备出结构取向因子为0.91‑0.99的高定向厚膜。
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