-
公开(公告)号：CN102534479A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010591390.6
申请日：2010-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1≦x≦0.9。可以利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料，然后在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，最后加热脱氢完成该材料的制备。本发明的微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料中，微晶Si的存在能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。同时微晶态的Si改变了相变中电流的分布，有利于降低功耗提高寿命，改善相变存储器的操作稳定性。
-
公开(公告)号：CN102361063A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110306843.0
申请日：2011-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料是一种由铜、锑、碲三种元素组成的材料，其通式为CuxSbyTez，其中0＜x≤40，15≤y≤85，15≤y≤85。这种材料可以通过调节材料中三种元素的含量得到不同结晶温度、熔点和结晶速率，适当调节Cu-Sb-Te中元素比例，进而可以得到比传统的Ge2Sb2Te5(GST)具有更高的结晶温度、更好的热稳定性、更低的熔点和更快的结晶速度。另外，铜互联是目前超大规模集成电路中的主流互联技术，该技术的广泛应用使得Cu元素的加工工艺趋向成熟，因而本发明的Cu-Sb-Te相变材料易于加工，与COMS兼容性好。
-
-
-
公开(公告)号：CN101924180A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010172922.2
申请日：2010-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料，属微电子技术领域，其保持Si与Te原子比为1比3，组分通式为SiaSb(100-4a)Te3a，其中10≤a≤20，与现有的Ge2Sb2Te5相变材料相比，其具有较高的结晶温度、较强热稳定性和更好的数据保持能力；同时其晶态具有更高的电阻率，材料晶态/非晶态厚度变化率变小。使用本发明的相变材料作为信息存储介质，可以有效提高存储器的循环操作次数，降低写操作功耗，提高器件的可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101487140A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910045928.0
申请日：2009-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种快速模拟出相变材料的方法，其首先建立能形成AjBi二元晶态化合物的A和B元素库，并分别从A和B元素库中选择出相应的元素以模拟形成AjBi二元晶态化合物，然后根据右下式计算所模拟形成的AjBi二元晶态化合物的p轨道电离度rσ′和s－p轨道的杂化程度rπ－1，进而判断所计算出的p轨道电离度rσ′和s－p轨道的杂化程度rπ－1是否满足0.5＞rσ′且2.8＞rπ－1条件，若是，则模拟出的所述AjBi二元晶态化合物即为具备相变性能的相变材料，由此可快速筛选出潜在的新型相变材料，此法很大程度上降低了材料制备、工艺摸索、性能表征所需的工作量，缩短了新型相变材料发现的周期。通过此法还发现了SnxSb1－x或AlxSb1－x的二元晶态化合物的相变材料。
-
公开(公告)号：CN101335329A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041394.X
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法，其特征在于在纳米加热电极和同一直径的柱状相变材料之间增加一薄层缓冲材料，以增强相变材料和加热电极之间的黏附性和界面匹配，同时可改善相变材料和加热电极之间的电学匹配，形成良好的欧姆接触。此外，在相变材料和顶电极之间增加一薄层热阻材料，改善器件擦写时的热平衡，减小上电极的散热，降低器件的功耗。该存储单元结构阻止相变材料与加热电极之间的扩散和反复擦写过程中的界面失效，增强器件的可靠性。加热电极、缓冲材料和相变区域限制在同一介质孔洞中形成自对准的柱状结构，不需要在相变材料周围制备保温层，减少了工艺步骤。
-
-
公开(公告)号：CN102610745B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110021620.X
申请日：2011-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，其中元素M是氮元素或氧元素或它们的混合物；在SiaSbbTec中，Si的含量a为10-25%原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤ (b/c) ≤2.0；掺杂元素M的含量y是0-25%原子百分比。该材料在电学脉冲的作用下，可在非晶态（高阻态）和晶态（低阻态）之间进行可逆转变，从而实现信息存储。该材料与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有较高的结晶温度、较高的热稳定性和更高的晶态电阻率，使用该材料作为信息存储介质可以大大提高器件的数据保持能力，同时能保持较快的操作速度和降低的写操作功耗，提高器件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN102751319B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210230324.5
申请日：2012-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/221 , H01L21/334 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种基于硫系化合物的浪涌保护器件，该浪涌保护器件包括下电极（2）、位于该下电极（2）上的下加热电极（3）、位于下加热电极（3）上的硫系化合物薄膜（5）以及位于所述硫系化合物薄膜（5）上的上电极（6）；所述硫系化合物薄膜（5）下部通过下加热电极（3）与下电极（2）达成电性连接；所述硫系化合物薄膜（5）上部与上电极（6）达成电性连接。本发明还提供一种基于硫系化合物的浪涌保护器件的制备方法。本发明器件利用硫系化合物所特用的阈值导通特性实现过压保护，概念新颖，结构简单，是一种过电保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.039 seconds)
