公开(公告)号：CN1193421C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN03115426.3

申请日：2003-02-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  王湘 ,  陈静 ,  林梓鑫

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提出了一种形成半导体衬底的方法，它是一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征在于将图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离(STI)工艺结合起来；在形成STI的过程中完成图形化SOI材料的制备。主要工艺步骤包括依次包括在半导体衬底中光刻出将形成的SOI区域及其四周的沟槽；离子注入；高温退火；填充沟槽，CMP抛光，腐蚀Si3N4掩模等。本发明的方法消除了常规图形化SOI材料中体硅与掩埋绝缘层之间过渡区的应力，改善了图形化SOI材料的质量；同时减少了器件STI隔离的工艺步骤。

公开(公告)号：CN1173386C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN02110920.6

申请日：2002-02-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈猛 ,  王湘 ,  王曦 ,  陈静 ,  林梓鑫

IPC: H01L21/108

Abstract: 本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法，其特征在于，(1)再在30-210 keV能量下氧离子，注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择，使制备的SOI结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低；(2)注入完成后，退火气氛是高纯氩气中含有一定浓度高纯氧气。600℃保持30分钟，1000℃保持1小时，在1300～1350℃经过5～10小时保温；(3)退火降温制度是1200℃以上降温速率为15℃/min，1200～1000℃为20℃/min，1000～700℃为30℃/min。注入剂量与能量配匹关系为D＝(0.025～0.035)×E+(0.25～0.35)，用本发明提供的方法制备材料顶层硅缺陷密度低、埋层针孔密度小，从而提高了低剂量SIMOX材料质量和产量。

公开(公告)号：CN1383189A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02110920.6

申请日：2002-02-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈猛 ,  王湘 ,  王曦 ,  陈静 ,  林梓鑫

IPC: H01L21/108

Abstract: 本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法,其特征在于,(1)再在30－210keV能量下氧离子,注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择,使制备的SOI结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低;(2)注入完成后,退火气氛是高纯氩气中含有一定浓度高纯氧气。600℃保持30分钟,1000℃保持1小时,在1300～1350℃经过5～10小时保温;(3)退火降温制度是1200℃以上降温速率为15℃/min,1200～1000℃为20℃/min,1000～700℃为30℃/min。注入剂量与能量配匹关系为D=(0.025～0.035)×E+(0.25～0.35),用本发明提供的方法制备材料顶层硅缺陷密度低、埋层针空密度小,从而提高了低剂量SIMOX材料质量和产量。