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公开(公告)号：CN111431501A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010245302.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法，该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层；支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接；第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。本申请实施例提供的兰姆波谐振器通过设置两层不同晶体取向的压电膜，在一定范围内定量调控压电材料的弹性常数和压电常数，减小与低阶模的激发相关的压电常数，从而在保证高阶模的谐振频率和机电耦合系数的同时，使得低阶模被有效抑制，避免了在高阶模兰姆波滤波器的通带外存在其它低阶模所引起的不必要的通带。
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公开(公告)号：CN110138356A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910576571.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高频声表面波谐振器及其制备方法，所述高频声表面波谐振器包括：高波速支撑衬底，位于所述高波速支撑衬底上表面的压电膜，及位于所述压电膜上表面的顶电极；其中，所述高波速支撑衬底中传播的体波波速大于所述压电膜中传播的目标弹性波波速。通过本发明提供的高频声表面波谐振器及其制备方法，解决了现有声表面波谐振器的工作频率较低的问题。
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公开(公告)号：CN109671612A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811359791.1
申请日：2018-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓半导体结构的制备方法，包括提供具有注入面的氧化镓单晶晶片；从注入面向氧化镓单晶晶片进行离子注入，使得注入离子到达预设深度并在预设深度处形成注入缺陷层；将注入面与高热导率衬底键合，得到第一复合结构；对第一复合结构进行退火处理，使得第一复合结构中的氧化镓单晶晶片沿着注入缺陷层剥离，由此得到第二复合结构和第三复合结构；对第二复合结构进行表面处理以除去第一损伤层，得到包括第一氧化镓层和高热导率衬底的氧化镓半导体结构。本发明还提供一种由此得到的氧化镓半导体结构。根据本发明的制备方法形成的氧化镓半导体结构，氧化镓单晶薄膜与高热导率衬底集成，有效提高了氧化镓单晶薄膜的导热性。
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公开(公告)号：CN116599481B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310682115.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种声波谐振器的制备方法及声波谐振器。通过利用同一种工艺制备得到两个压电结构；每个压电结构包括由下至上依次设置的支撑衬底和压电薄膜层；两个压电薄膜层的厚度的差值小于或者等于20％的预设压电薄膜层的厚度；预设压电薄膜层为两个压电薄膜层中较厚的压电薄膜层；对两个压电结构进行键合，得到键合结构；两个压电薄膜层位于键合结构的中层区域；去除键合结构中的任一个支撑衬底；在支撑衬底靠近保留的压电结构中的压电薄膜层的区域制备空腔，以使压电薄膜层悬空。本申请提供的该异质集成结构中的对称互补的压电薄膜能够抵消这两个压电薄膜层总体的内部应力，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN119254176A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411299391.1
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的声表面波单向发射结构，所述结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极和汇流条；位于所述压电薄膜下方的支撑衬底；其中，所述支撑衬底的慢剪切波的相速度大于激发的声表面波的相速度。对比传统的单向发射装置，本发明在相同的线宽制程下，可以覆盖的频率是传统单向发射器的两倍；更大的叉指换能器线宽意味着在相同的工作频率下，本发明可以承受更高的功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119093899A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411261043.5
申请日：2024-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种声表面波谐振器、滤波器及通信设备。该声表面波谐振器包括压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上的叉指换能器；所述叉指换能器包括两个汇流条和多个电极指；每个所述汇流条连接有多个所述电极指，且不同汇流条上的多个电极指沿第一方向交错排布；所述第一方向为所述汇流条的长度延伸方向；其中，所述两个汇流条中的至少一个汇流条为螺旋结构。从而可以提高该声表面波谐振器的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN118249770A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410151067.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声学谐振器及其制备方法和应用，所述声学谐振器的结构包括：提供一支撑衬底(1)；位于所述支撑衬底(1)上方的SiO2中间层(2)；位于所述SiO2中间层(2)上方的压电薄膜(3)；位于所述压电薄膜(3)上方的金属电极；所述金属电极由相同厚度或不同厚度的接地电极(4)和信号电极(5)组成或者由相同厚度或不同厚度的叉指电极(6)和反射栅(7)组成。本发明通过改变金属电极的厚度可实现谐振器对不同机电耦合系数、谐振频率以及声速的需求。
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公开(公告)号：CN113381724B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110750879.1
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及其制备方法，所述体声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，所述压电层中形成有基于刻蚀孔定义的图案化有源区，所述刻蚀孔暴露出所述支撑衬底的上表面；一对顶电极，形成于所述压电层的上表面，且至少形成于所述图案化有源区的相对两侧。通过本发明提供的体声波谐振器及其制备方法，解决了现有体声波谐振器在激发主模的同时存在其他杂波的问题。
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公开(公告)号：CN117997301A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410004876.7
申请日：2024-01-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振器、声表面波滤波器和双工器，其中，声表面波谐振器包括：衬底；压电薄膜，设置在所述衬底上；叉指换能器，形成在所述压电薄膜上；还包括：电场施加装置，用于对所述压电薄膜的晶体施加电场，在所述叉指换能器的孔径边界处形成能够对压电声波强反射的铁电畴壁，所述铁电畴壁使得朝向孔径边界正向传播的行波和朝向孔径边界反向传播的行波的相位相等。本发明在实现横向模抑制的同时，没有影响主模的谐振特性，并且也没有改变原有的IDT的工艺以及参数空间。
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