公开(公告)号：CN111293216A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201811495874.3

申请日：2018-12-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘强 ,  俞文杰 ,  陈治西 ,  刘晨鹤 ,  任青华 ,  赵兰天 ,  王曦

IPC: H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，形成于一CMOS电路基底上，且与MOS管的漏极连接；第一金属过渡层，形成于第一金属连接层上；固定磁层，形成于第一金属过渡层上；隧穿层，形成于固定磁层；自由磁层，形成于隧穿层上；第二金属过渡层，形成于自由磁层上；第二金属连接层，形成于第二金属过渡层上。本发明在制作完隧穿层之后，采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离-转移工艺制作自由磁层，相比于溅射工艺来说，可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤，提高隧穿层的质量。本发明可以将磁性隧穿结器件直接制备于传统的硅基CMOS电路上，也可制备在柔性衬底电路上，减小了器件制备成本，扩大了其应用范围。

公开(公告)号：CN109935628A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910239157.2

申请日：2019-03-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘强 ,  俞文杰 ,  任青华 ,  陈治西 ,  刘晨鹤 ,  赵兰天 ,  陈玲丽 ,  王曦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种基于图形化SOI衬底的抗辐照晶体管及其制作方法，结构包括：图形化SOI衬底，所述图形化SOI衬底，其绝缘层中具有凹槽，顶半导体层呈十字形半导体岛且完全覆盖所述凹槽，包括第一半导体层及第二半导体层；第一导电类型重掺杂区，形成于所述第二半导体层两端，所述第一导电类型重掺杂区在所述第二方向上的宽度大于所述第二半导体层与所述绝缘层的交叠区域的宽度；栅极结构；第二导电类型的源区及漏区；钝化层以及源电极和漏电极。本发明通过在十字形半导体岛的第二半导体层两端设置第一导电类型重掺杂区，可有效消除总剂量效应导致的漏电沟道，使该器件对总剂量效应零响应。

公开(公告)号：CN108074979A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711236051.4

申请日：2017-11-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 高安然 ,  赵兰天 ,  赵清太 ,  李铁 ,  王跃林

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  G01N27/00

Abstract: 本发明提供一种基于垂直遂穿的场效应晶体管及生物传感器及制备，晶体管制备包括：提供SOI衬底；减薄顶层硅，定义出硅纳米线沟道图形及连接于两端的源区图形及漏区图形；将上述图形转移至顶层硅上，并进行离子注入形成硅纳米线沟道、源区及漏区；减薄源区，并于部分源区表面及纳米线沟道表面形成介质层；于源区的表面制作源电极，于所述漏区表面制作漏电极，并于底层硅或埋氧层上制作栅电极。通过上述方案，本发明的晶体管基于垂直隧穿，包含点隧穿和线隧穿，具有更低的亚阈值斜率，可用于高灵敏的生化分子检测；具有双极特性，可对双向检测结果进行对照，保证检测的准确性；采用高K介质层材料，增强检测的稳定性并提高对生物分子的响应能力。