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公开(公告)号：CN111999338A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010714074.7
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明涉及一种微型热导气体传感器，包括下盖、以及与所述下盖气密性键合的上盖，所述下盖的上表面设有两个悬浮的热丝组件，其中，每个热丝组件连接一组焊盘；所述上盖的下表面上设有两组依次连接的第一浅槽气道、气道和第二浅槽气道，其中，两个气道分别与两个旁路测试腔室相连，所述两个旁路测试腔室所在的位置与两个所述热丝组件所在的位置相互对应。本发明可以对气体实现分流，避免流动的气体直吹热丝，从而使得整个微型热导气体传感器对流速不敏感，能够有效降低气路流速波动产生的噪声。
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公开(公告)号：CN111562232A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010454331.8
申请日：2020-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本申请提供一种横式微型红外气体传感器，包括：微型光学气室、红外光源、红外探测器、电源芯片和ASIC芯片和第一电路板；微型光学气室的光路为横式折叠反射结构，光路与第一电路板平行设置；微型光学气室包括光输入端和光输出端；红外光源与光输入端连接，红外探测器与光输出端连接；红外探测器及红外光源均与光路垂直设置；红外探测器及红外光源设于微型光学气室的同一侧；微型光学气室、红外光源和红外探测器集成于第一电路板的一面，电源芯片和ASIC芯片集成于第一电路板的另一面；红外探测器采用MEMS封装技术进行集成化封装。本申请提供的红外气体传感器采用系统级混合集成封装能够有效减小红外气体传感器的体积。
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公开(公告)号：CN110687066A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910875672.X
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外气体传感器，包括探测器，探测器包括多个传感单元，传感单元包括传感芯片和滤波元件；传感单元按功能分为第一类传感单元和第二类传感单元；第一类传感单元为检测单元，第二类传感单元为补偿单元；检测单元的数量为多个，检测单元的滤波元件的中心波长分别对应待测气体的不同红外特征吸收峰；补偿单元的数量为至少一个，补偿单元的滤波元件的中心波长分别对应不同无待测气体吸收的波长。本申请提供的红外气体传感器充分利用气体多个红外吸收峰的特性，以多个检测单元对待测气体的多级吸收峰信号进行检测，通过多级吸收峰信号的加权计算，结合补偿单元信号进行待测气体的识别和检测，提高待测气体的检测精度和气体识别能力。
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公开(公告)号：CN110687065A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910875346.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外光源的制备方法及一种红外气体传感器，该红外光源的制备方法包括以下步骤：制备加热器，加热器包括硅衬底、支撑膜和加热电阻层，支撑膜和加热电阻层依次沉积在硅衬底上；绝缘层沉积在加热电阻层上；制备辐射波长控制结构，辐射波长控制结构包括金属反射层、介质层和周期性纳米金属层，金属反射层、介质层和周期性纳米金属层依次沉积在绝缘层上。红外光源为窄带红外光源，窄带红外光源通过调整超材料结构和尺寸能够辐射中心波长3μm-9μm的窄带红外光，窄带红外光的半高宽不大于220nm；该红外气体传感器采用上述红外光源的制备方法所制备的红外光源，如此，大大减小了红外气体传感器的体积，有利于实现红外气体传感器的微小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1994861B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200610147625.6
申请日：2006-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种全光学微机械非致冷红外热成像芯片的结构及制作方法，所述的非制冷红外热成像芯片是由框架、弯折梁、可动微镜和长条形开口组成，其中，框架与中间悬浮的可动微镜构成像素元的冷结区和热结区；弯折梁连接框架和可动微镜；弯折梁由作为结构的主要支撑材料的非金属层、上金属层和下金属层组成，上金属层与非金属层构成双材料层使梁发生偏转，下金属层调节热导；长条形开口是在可动微镜上刻蚀的腐蚀窗口。利用〔100〕单晶硅各向异性腐蚀特性采用与(100)方向平行的开口通过正面腐蚀实现光机械敏感元结构。由于芯片采用光学读出，不需要复杂的读出电路和致冷设备，具有价格低、体积小、功耗小等优势，特别适合制作佩戴式热成像系统。
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公开(公告)号：CN101559913A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910051291.6
申请日：2009-05-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种增加变形梁强度和使用寿命的结构及其应用，属于微电子机械系统(MEMS)领域。其特征在于在梁与支撑端的连接处增加转角，使梁与支撑端的夹角都是钝角。这种支撑端连接处带有转角的梁，在梁发生形变时可以有效地减小形变在支撑端产生的应力，既增加了梁的强度也延长了梁的使用寿命。本发明可应用于多种带有变形梁的MEMS器件中。
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公开(公告)号：CN100423310C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200610026291.7
申请日：2006-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)兼容的微机械热电堆红外探测器结构及其制作方法，其特征为利用(100)单晶硅各向异性腐蚀特性采用正面特定的开口通过正面腐蚀实现大吸收面积微机械热电堆结构，所制作的红外探测器特征在于框架与中间悬浮的红外吸收区构成热电堆的冷结区和热结区；支撑臂连接框架和红外吸收区以及承载热电堆；长条形开口覆盖整个红外吸收区。本发明提供的结构和工艺具有腐蚀时间短、器件占空比大，器件成品率高等特点，特别适合大阵列红外探测器的制作。
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公开(公告)号：CN1960017A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610118474.1
申请日：2006-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微机械红外热电堆探测器结构及其制作方法，其特征在于作为红外吸收层的悬浮膜结构具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性的干法刻蚀从正面腐蚀衬底形成悬浮膜结构释放器件。探测器的衬底和悬浮于框架中间的红外吸收层分别构成热电堆的冷结区和热结区，支撑臂连接框架和红外吸收区并承载热电堆；中间悬浮的红外吸收层带有不同形状的腐蚀开口，作为干法刻蚀工作气体进入衬底进行反应的通道。采用了标准CMOS工艺中最常见的材料，便于实现和信号处理电路的集成。使用了选择性很好的干法刻蚀形成红外吸收层，相比传统的湿法腐蚀不仅简化了工艺流程，降低了对光刻机的要求；同时不需考虑对其它材料的破坏，拓宽了探测器可用材料的范围。
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公开(公告)号：CN1584634A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410025197.0
申请日：2004-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新漫传感技术研究发展有限公司
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构。其关键是对{100}晶面硅锭进行特定角度θc切割形成基片，再对基片进行常规半导体工艺，包括光刻、氧化、各向异性湿法腐蚀等，从而制作出特定的闪耀光栅倾角，实现闪耀光栅结构；其光栅闪耀角θb和切割角度θc满足关系式：θb+θc＝54.7°。所得到的闪耀光栅的闪耀角范围可以从1到54度。由于本发明采用硅的慢腐蚀面{111}面来保证闪耀光栅的闪耀角，具有精度高、易集成、工艺简单、成本低廉、易于控制、成品率高、重复性好、易批量生产等优点，特别适合于量大面广、需要集成的场合使用。
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