公开(公告)号：CN103985741A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410250193.6

申请日：2014-06-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  郑理 ,  曹铎 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  夏超 ,  沈玲燕 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/7606 ,  H01L29/66037

Abstract: 本发明提供一种基于ALD的石墨烯基热电子晶体管及其制备方法，包括步骤：1)提供一重掺杂N型Si，在其表面两侧生长发射区电极；2)在所述重掺杂N型Si表面热氧化形成第一势垒；3)在所述第一势垒表面形成单层石墨层作为基区，并在其表面两侧形成基区电极；4)利用ALD工艺在所述单层石墨烯表面的基区电极之间形成第二势垒，并在第二势垒表面形成金属集电区。本发明通过制备单层石墨烯作为基区，利用石墨烯准弹道传输的性能，结合热电子的隧穿特性使热电子器件的性能更好；而利用ALD在单层石墨烯表面生长的高k金属氧化物势垒厚度可控且无针孔，质量好。另外，本发明提供制备方法具有制备精确、制备工艺流程简单、产量高的优点。

公开(公告)号：CN207938616U

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201820359523.9

申请日：2018-03-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 沈玲燕 ,  程新红 ,  郑理 ,  张栋梁 ,  王谦 ,  顾子悦 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本实用新型提供一种基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件，该器件包括层叠的GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区以及GaN外延层，所述GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区及GaN外延层的晶向为a轴竖直向上；栅沟槽，穿过n型导电的GaN外延层及p型导电的GaN阱区，并延伸至n型导电的GaN漂移区内；AlGaN层，形成于栅沟槽的底部及侧壁，AlGaN层与p型导电的GaN阱区形成AlGaN/p-GaN异质结沟道；栅介质层；栅极金属层；接触槽，接触槽中填充有金属接触层，金属接触层与GaN阱区形成欧姆接触；上电极以及下电极。本实用新型可有效提高沟道电子迁移率，减小器件导通电阻，同时提高阈值电压实现增强型的器件结构。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利