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公开(公告)号：CN1178289C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN02112412.4
申请日：2002-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度的测定方法，特征在于用光辅助湿法刻蚀结合原子力显微镜对刻蚀的表面位错腐蚀坑密度统计，测出GaN外延层的位错密度；其具体测定步骤是：(1)先按照异丙醇、丙酮、乙醇的顺序对GaN样品进行化学清洗清洗后用大量去离子水洗净，用高纯N2吹干；(2)将样品用石蜡或夹子固定在载玻片上，放入盛有1-10MKOH溶液中，采用磁子搅拌，在Cd-He激光器提供的激光照射下，进行湿法刻蚀，时间为5-10分钟；(3)取出刻蚀样片，用去离子水清洗，高纯N2吹干，然后用原子力显微镜，进行刻蚀表面的位错腐蚀坑统计，估算出GaN外延层的位错密度。本发明提供的位错密度测定方法可靠、有效，与其它方法，如XRD位错密度估算方法相比，一致性好。
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公开(公告)号：CN1178278C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN02112311.X
申请日：2002-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及射频等离子体分子束外延生长GaN的双缓冲层工艺，属于晶体外延生长领域。其特征在于：(1)经Ga原子清洗及氮化处理的蓝宝石衬底温度降低至450℃～550℃范围；(2)开启Ga束源炉快门，进行较低温度的缓冲层结晶成核生长，时间2分钟，约10nm；(3)关闭Ga束源炉快门，衬底温度升高至900℃，进行高温热退火；热退火时间5分钟。然后将衬底温度降至650℃～800℃范围；(4)再次开启Ga束源炉快门，进行较高温度的缓冲层准二维生长，生长时间3分钟，约15nm；(5)关闭Ga束源炉快门，升高衬底温度以进行外延层GaN的生长。与传统单缓冲层相比，表面平整度明显提高；ω扫描的半峰值进一步降低，有利于外延层的二维成长；外延层的位错密度也明显下降。
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公开(公告)号：CN1395290A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02112310.1
申请日：2002-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种外延生长用蓝宝石衬底镓原子清洗的方法，属于晶体外延生长领域，所述的方法是：(1)将湿法清洗过的蓝宝石衬底传送入MBE生长室内的样品架上，经高温～900℃热退火之后将衬底温度降低至600℃～850℃范围。反射式高能电子衍射(RHEED)屏幕上出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(2)打开Ga束源炉快门，Ga原子束流喷射到蓝宝石衬底表面。RHEED屏幕上的蓝宝石衬底衍射条纹消失；(3)关闭Ga束源炉快门；(4)蓝宝石衬底的温度升至900℃，保持2～5分钟，直至RHEED屏幕上再次出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(5)重复进行第二次清洗，然后进行常规的外延生长。经本发明提供的Ga清洗预处理后的蓝宝石衬底平整度明显提高，对提高外延层GaN的二维生长特性有明显的促进作用。
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公开(公告)号：CN1358986A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01132286.1
申请日：2001-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种中红外波段半导体激光器性能测量表征系统,属于半导体测试技术领域。其特征是该硬件部分由5个部分组成,分别是傅里叶变换光谱仪并引入双调制技术的激射谱测量系统;基于宽范围脉冲信号发生器的驱动系统;基于数字示波器电流探头及中红外探测器的测量监控系统;基于通用平行接口卡的计算机控制系统;热沉致冷器和温度控制系统;软件部分的编程软件为CEC公司的TESTPOINT,并采用面向对象的编程方式。除具有测量器件的I－P,I－V特性和激射光谱特性的功能外,还可以宽范围地改变驱动脉冲参数对器件的输出特性以及热特性进行测量分析,并可采用可调步长在宽范围内对器件进行连续测量。
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公开(公告)号：CN103830847B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410088380.9
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61N5/067
Abstract: 本发明提供了一种可以用于光感基因技术的微型遥控激光器，其内部集成了中央处理单元，通过无线射频模块接收外部指令，控制激光器的输出功率、脉冲频率和占空比等参数。同时，采用金属外壳封装，保证了其良好的散热特性，有效的延长了激光器的使用寿命。加入自动功率控制电路，使得激光器可以在较宽的温度范围内，实现稳定的功率输出。无线射频模块采用蓝牙技术，具有非常强的通用性和兼容性，可以用于连接多种设备，并很有效的控制了成本。内部的中央处理单元具有多路接口，可以外接多种传感器，也可以进行多路控制，具有很强的扩展能力，可实现智能监控。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，非常适用于光感基因实验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1828837B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200610023732.8
申请日：2006-01-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)材料中采用多孔GaN作为衬底的生长方法，其特征在于首先制作多孔GaN衬底的掩膜，然后将掩膜板放入感应耦合等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到多孔GaN衬底；其次是将上述衬底放入氧化物外延生长反应室，在N2气氛下升温750-850℃，通NH3保护模板的GaN层，于1000-1100℃开始通HCL进行GaN生长；本发明仅需采用电化学的方法腐蚀沉积在GaN表面的金属Al层，即可制成多孔网状结构来作为GaN外延的掩膜，大大简化了光刻制作掩膜的工艺。
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公开(公告)号：CN101488475B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200910046376.5
申请日：2009-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/311 , C01G15/00
Abstract: 本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，然后将其刻蚀成多孔状，接着往多孔GaN孔中沉积一层介质SiO2或SiNx薄层，这样就在GaN模板上得到了带有钝化层超大纳米孔径的结构，经过清洗后，最后把这个多孔衬底置于HVPE反应腔内生长GaN厚膜。本发明提供的方法避免了光刻制作掩膜的复杂工艺，而且将孔隙尺寸缩小到纳米量级，金属Al和SiO2层均可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备。
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公开(公告)号：CN100547735C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200810042459.2
申请日：2008-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种利用均匀纳米粒子点阵提高厚膜GaN质量的方法，其特征在于采用了纳米量级的SiO2、SiO或SixNy等点阵作为GaN外延掩模。在氢化物气相外延之前，先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着往孔中注入点阵结构的介质，然后去除AAO，则模板上得到了均匀分布的SiO2纳米粒子的点阵结构，最后将模板置于反应腔内外延生长。由于气相外延的选择性，将开始选择生长在SiO2等点阵外的区域上，最后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。降低了外延层的位错密度，且位错密度均匀分布，大大提高厚膜的可利用性。方法简单易行，省略了光刻的复杂工艺，且将掩模尺寸缩小到纳米量级，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN100478491C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510028366.0
申请日：2005-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中的金属插入层及制备方法，其特征在于采用了金属钨(W)插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。金属钨插入层的引入，作用是产生微区掩膜，金属W薄膜在高温下会发生团聚，同时与W接触的下层的GaN会分解，使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，由于气相外延的选择性，HVPE生长时GaN将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的位错密度。简单易行，适合于批量生产采用。
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公开(公告)号：CN100405681C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200610030991.3
申请日：2006-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种旨在获得低阈值电流密度、高边模抑制比的可调谐分布反馈量子级联激光器的波导和光栅结构，并发明了实现设计结构要求的激光器一级光栅的制备方法。所述的激光器波导与光栅结构是一种利用一个深的一级光栅和一个在光栅下方的薄的重掺杂半导体层构成波导中的限制结构。所述的光栅腐蚀技术是利用InGaAs/InP结构作为光栅的腐蚀牺牲层，选择不同的腐蚀液配比，获得深度大范围可调，精度可控的光栅结构。
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