公开(公告)号：CN103346258A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310306025.X

申请日：2013-07-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  任堃 ,  饶峰 ,  宋三年 ,  陈邦明

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/124 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供相变存储单元及其制备方法，采用厚度与单个晶胞或者多个晶胞尺度相当的相变材料层，使相变材料基本上体现出界面特性，而弱化体材料特性，以制备利用界面电阻变化来存储信息的高密度、低功耗、高速二维相变存储单元。本发明的相变材料层厚度薄及相变材料层界面上存在少量的缺陷，促使相变存储单元操作功耗的降低和操作时间的缩短，减少了每次操作过程对相变材料的损害，使每次操作对材料的元素偏析效果降低，增加了相变存储单元的最大可操作次数，从而有利于提高器件循环操作次数的能力；进一步，本发明中采用的石墨烯电极对还具有信号响应快、机械强度大、能量损耗少等特点；同时，本发明还可实现与新型CMOS的兼容。

公开(公告)号：CN102130298B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201110021605.5

申请日：2011-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 饶峰 ,  宋志棠 ,  吴良才 ,  任堃 ,  周夕淋

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种用于相变存储器的Si-Sb-Te相变材料，其化学式为SixSb2Te3，0

公开(公告)号：CN102142518B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010619510.9

申请日：2010-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李学来 ,  饶峰 ,  宋志棠 ,  任堃 ,  吴良才 ,  刘波 ,  刘卫丽

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种相变存储材料及其制备方法，该相变存储材料包括铝锑二元材料，所述铝锑二元材料的组成式为AlxSb1-x，其中0

公开(公告)号：CN102832338A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210328341.2

申请日：2012-09-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 任堃 ,  饶峰 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种限制结构相变存储器及其制作方法，所述限制结构相变存储器包括相变存储阵列、具有阈值电压开关特性的硫系化合物开关层、以及分别连接于相变存储阵列及硫系化合物开关层的字线及位线。所述硫系化合物开关层在达到阈值电压之前处于高电阻状态，起到关电路的作用，当电压超过阈值电压之后，材料进入低电阻态，起到开启电路的作用。这种硫系化合物做成薄膜之后仍然具有阈值电压开关特性，并且这类薄膜的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容。利用硫系化合物材料薄膜作为选通开关的相变存储器的制备具有步骤少，工艺简单的特点。同时，利用硫系化合物薄膜制备的选通开关所占体积小，有利于提高芯片的存储密度，提高信息容量和降低成本。

公开(公告)号：CN102544362A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010619500.5

申请日：2010-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 饶峰 ,  任堃 ,  宋志棠 ,  吴良才

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种用于相变存储的相变材料及调节其结晶温度和熔点的方法，所述相变材料为锗、锡、碲三种元素组成的存储材料，或者为硅、锡、碲三种元素组成的存储材料。所述相变材料中，锗/硅的原子百分比含量为0.5–80，所述相变材料中，碲的原子百分比含量为0.5–80。所述相变材料为在外部能量作用下具有可逆变化的材料；在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。本发明具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻态与低阻态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求。