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公开(公告)号：CN105177508A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510665321.8
申请日：2015-10-16
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供了一种氢化铍涂层材料的制备方法及装置。本发明通过射频原子源，将氢气离化形成活性氢原子射流，与蒸发的铍原子在气相中或者基片上发生氢化反应生成氢化铍沉积在基片上。采用离化源，使不与铍原子反应的氢分子离化成高活性的氢自由基，氢自由基易与蒸发铍原子氢化反应，生成氢化铍沉积在基片上。所述的装置有效的屏蔽了高能量电子、离子、蒸发源热辐射对样品的损伤。本发明只采用了铍、氢两种元素作为反应原料，不会引入其它杂质，因此可以制备高纯度的氢化铍材料。
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公开(公告)号：CN118026697A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410237850.7
申请日：2024-03-01
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C04B35/581 , C04B35/626 , B82Y40/00
Abstract: 本申请适用于材料制备技术领域，提供了一种高纯氮化铝纳米粉末制备方法及装置，方法包括：调速电机驱动铝丝进入表面处理区，在表面处理区去除铝丝的表面氧化层；调速电机继续驱动去除表面氧化层后的铝丝进入氮化铝管内的电磁感应加热区，在电磁感应加热区将铝丝加热熔化，形成铝液滴熔球，并加热使铝液滴表面的铝原子逸出铝液滴熔球的表面；控制惰性气体以预设流速掠过铝液滴熔球的表面，对铝原子进行冷却并凝聚形成纳米铝颗粒烟焰；向铝颗粒烟焰通入氮气发生氮化反应，生成氮化铝纳米粉末，并通过粉末收集容器对氮化铝纳米粉末进行收集。本申请避免了氧和其它杂质的引入，氮化完全，可以获得高纯度的氮化铝纳米粉末，易于工程化和应用推广。
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公开(公告)号：CN116970911A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310760681.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种泡沫铍材料的制备方法，属于金属铍功能材料技术领域，本发明采用PAMS为造孔材料，先将其进行球磨达一定粒径或直接采用PAMS空心微球作为芯轴，后在其表面溅射沉积一定厚度的铍涂层，然后将该复合物置于加热炉中升温使PAMS发生热分解，在一定压力下PAMS气体小分子从铍涂层的微裂隙处逸出，同时铍涂层在高温下发生扩散粘结，从而得到一定密度及骨架结构的泡沫铍；该方法制备的泡沫铍具有密度及孔径可调，成分单一，纯度较高，原料易得等优点。
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公开(公告)号：CN116162806A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310111553.3
申请日：2023-02-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司
Abstract: 本发明公开了一种梯度磁场增强的真空蒸馏提纯金属铍的装置，属于半导体材料技术，包括真空室（15），所述真空室（15）内从上至下依次设置衬底基座（3）、收集器（9）和蒸馏炉（6），所述蒸馏炉（6）内设置坩埚（8），在所述收集器（9）与坩埚（8）之间还设置有永磁体（4）和水冷屏蔽板（5），所述水冷屏蔽板（5）位于永磁体（4）与坩埚（8）之间，其中，所述永磁体（4）为非对称磁极，本发明还公开了采用上述装置进行提纯铍的方法；本发明通过设置梯度磁场，能够将金属铍中的Fe元素含量降至5ppm以下，Mn元素含量降低至3ppm以下，并且能将Cr和Ni元素含量降至0.5ppm以下，大大提高了金属铍的纯度，并降低了粗铍的提纯成本。
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公开(公告)号：CN116026195A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310191807.7
申请日：2023-03-02
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: F42B33/00 , C09D179/08 , C09D7/61
Abstract: 本发明公开了一种MXene复合薄膜飞片及其制备方法，包括：以具有优异综合性能的聚酰亚胺作为材料基底，以片状的MXene材料和导电纳米纤维作为添加剂，制备成复合薄膜作为爆炸箔组件的飞片。通过一维和二维纳米材料的协同作用，实现对电磁波的反射和吸收，使得复合薄膜作为爆炸箔组件的飞片结构件的同时，还能对组件提供电磁防护功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110129753B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910446045.4
申请日：2019-05-27
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种能及时排屑的微球涂层装置，包括真空室、磁控靶枪和涂层盘，所述涂层盘包括同轴设置的外筒体和内转台；所述外筒体水平固定在真空室内，所述内转台为上小下大的圆锥体形，底部设有磁力耦合器，所述磁力耦合器用于耦合位于真空室外的电机，驱动内转台其内转台的中心轴旋转；内转台底部不与底板接触，内转台边沿与环形体内壁不接触并形成一环形沟槽，所述环形沟槽间隙小于微球直径。本发明突破传统实心涂层盘渣屑去除技术局限，采用了同轴设置但存在一定间隙的外筒体和内转台、再配合拨片的结构。不但可以长时、均匀地涂层，而且能及时地排屑，避免屑与微球发生粘连，从而提升微球涂层质量，缩短制靶周期。
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公开(公告)号：CN107142449B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201710307426.5
申请日：2017-05-04
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种高精度极小尺寸自支撑铍薄膜的制备方法，依次包括以下步骤：在铜块体表面加工出高精度的台阶；精细研磨铜台阶端面粗糙度至纳米量级；在铜台阶端面蒸发沉积铝薄膜；在铝薄膜表面沉积铍薄膜；采用NaOH溶液反应去除铝薄膜衬底，得到高精度极小尺寸自支撑铍薄膜；本发明极大提高了极小尺寸自支撑铍薄膜的尺寸精度，精度可达1μm；并且所得的自支撑铍薄膜表面光滑，无砂眼，形状规则，质量优良。
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公开(公告)号：CN106544629B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201710037031.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种大尺度自支撑铍薄膜的制备方法及装置，依次包括以下步骤：在基片表面上沉积NaCl薄膜衬底；在NaCl薄膜衬底表面上沉积铍薄膜，形成“NaCl+Be”复合薄膜；将“NaCl+Be”复合薄膜进行自然时效；然后进行脱膜处理，即得；本发明提供的自支撑铍薄膜制备方法有很多明显的优点，以“基片+NaCl薄膜”作为衬底，可以避免直接采用可溶性衬底带来的缺点；采用自然时效及精细化脱膜工艺，以降低铍薄膜内应力和脱膜液体表面张力；通过以上方法克服了金属铍的极大脆性，可制备最大尺寸达数十毫米、厚度介于1μm‑10μm的自支撑铍薄膜，而且所得的自支撑铍薄膜质量优良。
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公开(公告)号：CN108593497A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810536202.6
申请日：2018-05-30
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01N9/02
Abstract: 本发明公开了一种精确测量自支撑铍薄膜密度的方法，所述的方法采用高精度磁悬浮天平分两次测量后计算得出铍薄膜密度，首先将称量桶单独在不同气压的He气介质中进行测量，后将自支撑铍薄膜置于称量桶中同样在不同气压的He气介质中进行共同测量，将两次测量的数据进行线性拟合并计算得到自支撑铍薄膜的质量及体积，从而计算出密度；本发明采用高精度的磁悬浮天平为称量装置，同时利用He气作为称量介质，将两次称量后的数据进行数值拟合后计算得到自支撑铍薄膜的质量及体积，从而计算出密度，具有测量误差小、样品无破裂风险等优点。
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公开(公告)号：CN106363259A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610878532.4
申请日：2016-10-09
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
CPC classification number: B23H1/02 , B23H1/04 , B23H9/14 , B23H11/003
Abstract: 本发明提供了一种电火花打孔装置，涉及精密加工领域。该电火花打孔装置包括供电电路、电极针、三维位移负压吸附组件和压电陶瓷驱动组件。供电电路的一端与电极针相连，供电电路的另一端与工件相连。三维位移负压吸附组件用于固定工件，压电陶瓷驱动组件驱动电极针在工件上打孔。本发明提供的电火花打孔装置结构简单，操作方便，成本低，可用于易碎空心微球、箔材、板材和实心微球的微孔加工。
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