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公开(公告)号：CN112217086A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011245102.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开一种高脉冲能量谐振腔型自由电子激光系统，包括产生电子束的电子源、设置于电子源后电子束路径上用于加速电子束的电子加速器、设置于电子加速器后利用电子束产生辐射脉冲的波荡器，所述波荡器两端设置用于辐射脉冲来回振荡，并放大辐射脉冲能量的谐振腔，所述谐振腔内设置用于将谐振腔内饱和辐射脉冲倒出到谐振腔外的腔倒空器，该系统产生的激光脉冲能量高，还具有带宽窄、频率覆盖范围宽、连续可调等特点，同时建造难度与建造成本低，适合进行推广。
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公开(公告)号：CN112156379A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011104043.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Inventor： 黎明 , 吴岱 , 王建新 , 杨兴繁 , 李鹏 , 肖德鑫 , 赵剑衡 , 陈门雪 , 单李军 , 沈旭明 , 和天慧 , 胡栋材 , 徐勇 , 周奎 , 王汉斌 , 劳成龙 , 罗星 , 白燕 , 闫陇刚 , 陈立均 , 刘宇 , 刘婕 , 周征 , 张德敏 , 潘清 , 柏伟 , 陈亚男 , 邓仕钰 , 李文君 , 宋志大
IPC: A61N5/10
Abstract: 本发明涉及一种多治疗终端放射治疗装置，属于放射治疗技术领域，依次包括电子源、射频超导直线加速器、分束组件、X射线靶和X射线准直器，本发明采用电子源和射频超导直线加速器提供长脉冲高剂量率的X射线，既可以在短时间内给予治疗终端非常高的照射剂量，又可以通过调节电子束的能量来调节X射线的能量，通过调节电子束脉冲长度来调节X射线的时间长度，通过调节电子束的流强来调节剂量率，以达到治疗终端更好的放射治疗效果，此外，采用分束组件，将射频超导直线加速器的束流分配到不同的治疗终端，提高束流利用效率和放射治疗的效率。
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公开(公告)号：CN111481840A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010524360.7
申请日：2020-06-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Inventor： 黎明 , 杨兴繁 , 吴岱 , 王建新 , 李鹏 , 肖德鑫 , 赵剑衡 , 陈门雪 , 单李军 , 徐勇 , 沈旭明 , 和天慧 , 胡栋材 , 周奎 , 王汉斌 , 劳成龙 , 罗星 , 白燕 , 闫陇刚 , 陈立均 , 刘宇 , 刘婕 , 周征 , 张德敏 , 潘清 , 柏伟 , 陈亚男 , 邓仕钰 , 李文君 , 宋志大
IPC: A61N5/10
Abstract: 本发明公开一种小型化闪光放射治疗装置，包括栅控电子枪、常温射频直线加速器、时域合成射频功率源、X射线靶以及准直器，栅控电子枪通过第一传输线将电子束传导至常温射频直线加速器，时域合成射频功率源给常温射频直线加速器提供微波，常温射频直线加速器通过第二传输线将电子束传导至X射线靶，电子束轰击到X射线靶上生成X射线，X射线经由准直器照射到目标靶上。根据本发明的小型化闪光放射治疗装置，可以提供长宏脉冲高剂量率X射线，在短时间内给予目标靶区非常高的照射剂量，满足闪光放射治疗的要求，达到更好的放射治疗效果。
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公开(公告)号：CN106332433B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201610963043.9
申请日：2016-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种轴耦合双周期电子加速管及加速器和腔体升频调节方法，其中，所述加速管内具有多个沿轴向分布并相对轴线径向对称的加速腔和耦合腔，所述加速腔和耦合腔交替设置并在径向对称线上开设有相互贯通的电子束流孔；其中，每个所述加速腔和/或耦合腔在构成其腔体的两个端面上均设置有相对加速管轴线径向对称的凸锥结构，所述凸锥结构位于电子束流孔的外缘，且两个所述凸锥结构之间的轴向距离与所在腔体的本征频率呈正相关。本发明所述的轴耦合双周期电子加速管通过在其腔体内设置可用于调节腔体本征频率的凸锥结构，为腔体本征频率的调节提供了一种新的方案，尤其在小型的高频加速器具有突出的优势。
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公开(公告)号：CN107164740B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710334072.3
申请日：2017-05-12
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: C23C16/27 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法，属于晶体合成技术领域。该方法中，基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、适合于制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106787844A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610455293.1
申请日：2016-06-21
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供一种紧凑型激光电源，其包括：整流电路，其输入端连接至三相交流电源，且所述整流电路用于将三相交流电源的交流电转换为直流电；四个隔离稳压DC‑DC转换器，其输入端连接至所述整流电路的输出端，所述四个隔离稳压DC‑DC转换器包括：将经过降压的直流电输出至两路并联激光器驱动电路的第一DC‑DC转换器，每路所述激光器驱动电路采用PWM脉冲宽度调制的方式对所述经过降压的直流电进行处理，并为激光器提供电源；两个第二DC‑DC转换器，其并联输出且为热控部件和晶体部件提供电源；第三DC‑DC转换器，其为声光调制部件提供电源，且所述第三DC‑DC转换器还外接至一控制板并为所述控制板提供电源。本发明实现了激光电源的小体积、轻重量和高效率。
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公开(公告)号：CN105870778A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610451475.1
申请日：2016-06-21
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/0428
Abstract: 本发明公开了大功率激光引信脉冲驱动源，脉冲成型电路包括：单稳定触发电路；逻辑驱动门；逻辑与非门，其输入端与逻辑驱动门输出的一路信号连接；多个逻辑非门，其顺次连接，所述逻辑非门的输出端与其连接的逻辑非门的输入端连接，第一个逻辑非门输入端与逻辑驱动门输出的另一路信号的连接，逻辑非门的输出端与逻辑与非门的输入端连接；逻辑与非门的输出端即为所需成型后的脉冲。本发明利用2～10个逻辑门固有的TPD，获得20～100ns的总延迟时间，然后将原始脉冲信号和经过延迟的脉冲信号进行叠加，获得一个脉宽在20～100ns左右脉宽的脉冲信号，送入栅极驱动电路，这样可以将最小驱动脉冲宽度缩减为20ns左右，以此获得激光器需要的脉冲宽度。
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公开(公告)号：CN1482844A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03135490.4
申请日：2003-07-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H05H9/04
Abstract: 本发明提供了一种驻波电子直线加速器，包括加速腔、耦合腔、电子枪、微波耦合器、鼻锥、钛泵、恒温水套及钨靶。本发明的特点是将鼻锥从加速腔中取消而设置在耦合腔中，每个耦合腔设置两个鼻锥，分别位于耦合腔的前后端面上，鼻锥为圆柱形，鼻锥头部为半圆弧；本发明的加速器降低了加速腔中径向电场强度，增加了加速腔中电场自身的聚焦力，而显著减小加速器出口处电子束的横向尺寸，同时使电子束达到一定的能量和强度，既能满足高能工业CT成像对X射线源的要求，又缩短了加速器的整体长度，且输出剂量率大。
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公开(公告)号：CN215986529U
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202122213130.1
申请日：2021-09-13
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01T7/00
Abstract: 本实用新型提供一种基于辐照剂量的快保护装置，包括X射线转换靶、X射线剂量仪、平板踢束器、踢束器电源和控制电脑；X射线转换靶安装在电子加速器产生的电子束的末端，X辐射转换靶的前端的电子束上安装平板踢束器，后端安装X射线剂量仪；X射线转换靶和X射线剂量仪之间放置被照物；平板踢束器通过电缆连接至踢束器电源；X射线剂量仪和平板踢束器电源通过数据线与控制电脑连接。本实用新型通过X射线剂量计实时监测被照物上的剂量，并采用平板踢束器能快速切断被照物上的X射线，由此本实用新型能够精确控制照射在被照物上的剂量值，能够应用于辐射放疗等对照射剂量要求较高的辐射应用中。
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公开(公告)号：CN206751920U
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201720527928.4
申请日：2017-05-12
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: C23C16/458
Abstract: 本实用新型公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台，属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本实用新型具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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