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公开(公告)号：CN112414235B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202011235996.6
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: F42C13/02
Abstract: 本发明公开了一种360度全视场扫描与探测的激光引信装置，包括以轴线为中心旋转并沿轴线方向前进的引信柱，引信柱的周向均匀设置4路发射接收模组，每路发射接收模组包括发射模块和接收模块；发射模块包括两个相互垂直设置的激光芯片，用于发射覆盖90°视场范围的激光信号；接收模块，用于接收回波信号；发射模块、接收模块的光轴与引信柱的轴线之间具有夹角。采用本发明的一种360度全视场扫描与探测的激光引信装置，可以装载在毁伤装置中，协助主装置精确360°无死角寻找并打击目标。
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公开(公告)号：CN114498291A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111612121.8
申请日：2021-12-27
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供一种单束输出皮秒脉冲和连续复合激光的半导体激光器；所述半导体激光器包括激光器外延结构以及设置在激光器外延结构上的皮秒脉冲激光种子源、连续激光种子源、Y字型波导合束结构和锥形功率放大器；Y字型波导合束结构具有第一后端、第二后端以及一个前端；皮秒脉冲激光种子源包括依次设置的脊型脉冲增益部分、脊型可饱和吸收体和第一光栅，第一光栅对准第一后端；连续激光种子源包括依次设置的脊型连续增益部分和第二光栅，第二光栅对准第二后端；锥形功率放大器的较小端对准前端。本发明解决了激光器内部同时产生脉冲和连续两类激光的问题，具有单光束输出皮秒脉冲和连续复合大功率激光的良好结果。
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公开(公告)号：CN112615258B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011396116.3
申请日：2020-12-03
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器结构，属于半导体光电子的技术领域，该结构包括：由下往上分别设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，其中，在所述下波导层与有源层之间、有源层与上波导层之间分别嵌入有高折射率层，以达到有效提高大光腔波导结构的基模限制因子，同时增强波导对载流子的限制，降低器件的阈值电流，降低高阶模的模式增益，进而提高大光腔波导结构半导体激光器的基模输出功率，改善光束质量，为制备高性能的790nm高功率半导体激光器奠定基础的目的。
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公开(公告)号：CN113948970A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111170264.8
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于后腔外腔光谱调控的光谱合束装置，包括半导体激光系统、后腔外腔光谱调控系统、前腔共孔径合束系统，后腔外腔光谱调控系统接收半导体激光系统一侧输出的激光光束阵列进行调制并反馈回半导体激光系统，使得半导体激光系统另一侧输出的激光束阵列以一定的光谱间隔分别被调控并锁定在不同的中心波长上，且阵列中每一束激光光束的光谱宽度得到了压窄；前腔共孔径合束系统将半导体激光系统另一侧输出的激光束阵列进行共孔径合束并输出。本发明提出的方案实现了光谱调控与共孔径合束输出的解耦合，实现光谱密集排列的同时提升了合束效率；后腔外腔采用全反射镜进行激光反馈，实现了更加稳定可靠的光谱调控。
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公开(公告)号：CN113948969A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111029304.7
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种高效率半导体激光器，属于半导体激光器件的技术领域，包括衬底，还包括：设于衬底上的条型波导，所述条型波导上沿谐振腔方向设置有多个绝缘区，通过各个所述绝缘区分隔成多个电注入区，且相邻两所述绝缘区之间的间隔由激光器的后腔面至前腔面的方向呈逐渐增大，以达到抑制条型半导体激光器中的空间烧孔、提高电光转换效率的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112821199A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110157864.4
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种阶梯波导厚度的半导体激光器，属于半导体光电子的技术领域，从下往上分别为衬底层、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，在上波导层采用选区腐蚀和二次外延的工艺形成腐蚀界面两侧不同的上波导厚度，并采用二次外延波导厚度，有利于在制备片上集成激光器，使腐蚀区为小光腔外延结构，而未腐蚀区为大光腔外延结构，能够达到小光腔外延结构可容纳的模式数量少，有效抑制高阶模激射；小光腔的基模限制因子高，有效降低该区域的阈值电流密度；大光腔为激光出射腔面，有利于降低腔面激光功率密度，提升饱和输出功率。
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公开(公告)号：CN112310800A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011213205.X
申请日：2020-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/024 , H01S5/02326 , H01S5/02251 , H01S5/0233
Abstract: 本发明公开了一种紧凑式光纤耦合输出半导体激光器，其包括激光器管壳、LD发光单元、快轴准直镜、反射式慢轴准直镜、多维合束元件、聚焦镜组和耦合光纤。激光器管壳内设有多个沿水平方向排列的倾斜台阶热沉和慢反镜安装台阶；多个LD发光单元用于发出原始光束；多个快轴准直镜分别用于对原始光束进行快轴准直，输出快轴准直光束；多个反射式慢轴准直镜分别安装在多个慢反镜安装台阶上，用于将快轴准直光束的光轴折转并对快轴准直光束进行慢轴准直，输出快慢轴准直光束，且其上边缘分别与多个快轴准直光束的上边缘齐平，快慢轴准直光束平行于慢反镜安装台阶的台阶面，倾斜角度和倾斜方向与慢反镜安装台阶相同。本发明能够减小体积和重量。
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公开(公告)号：CN110549360A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910953160.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: B25J15/02
Abstract: 本发明公开了一种光学元件夹持装置和方法，属于光学元件夹持领域，左夹持臂的末端夹持面和右夹持臂的末端夹持面均对应设有大直径柱面和小直径柱面；大直径柱面和小直径柱面平行，且大直径柱面比小直径柱面更靠近端部，使夹紧光学元件时，大直径柱面比小直径柱面先接触光学元件两侧的非光通区平行平面。本发明的一种光学元件夹持装置和方法，能够稳定夹持小尺寸光学元件，不会造成光学元件的破坏。
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公开(公告)号：CN106441579B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201611049401.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器阵列的空间衍射光谱成像装置，该方案包括有激光器、第一夹缝光阑、第二夹缝光阑、第一球透镜、第二球透镜、分光镜、闪耀光栅、探测器和吸收池；激光器发出的激光光束依次经过两个一组的夹缝光阑、球透镜后射入分光镜，投射过分光镜的激光光束延X轴传播至闪耀光栅，由分光镜反射的激光光束沿负Y轴方向传播至吸收池；闪耀光栅的衍射光线沿光路返回分光镜后经过分光镜反射，沿Y轴方向传播经过第二球透镜后传播至探测器。该方案实现了半导体激光器阵列的衍射光谱空间成像；同时通过对衍射光束的180°转折，以及分光镜的反射缩短了光路，具有成像装置空间紧凑，成像系统装调简单易行等优点。
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公开(公告)号：CN104155771A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410421443.8
申请日：2014-08-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G02B27/62
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器中微光学透镜实现精密装调的在线监测装置及其使用方法的技术方案，该方案该方法采用CCD作为光斑数据采集元件，基于光束分束原理，在微光学透镜装调过程中，同时在线监测近场和远场光斑数据，通过近场CCD光斑数据变化作为微光学透镜旋转轴的最佳空间位置判据，通过远场CCD光斑数据变化作为微光学透镜位移轴的最佳空间位置判据，可实现半导体激光器快慢轴光束发散角和指向性的精密控制。该发明具有系统集成度高、监测判据精密可靠等特点，基于该发明实现的低发散角、高指向性的半导体激光器可应用在泵浦固体激光器、医疗及工业加工等众多领域。
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