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公开(公告)号：CN108318796A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201711326839.4
申请日：2017-12-12
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法，这种方法可以简单快速的提取三端口碳化硅基功率器件结型场效应区与栅氧层界面处的平均界面态密度，通过在三端口碳化硅基功率器件的栅极外接频率和幅值固定而基压V0变化的脉冲电压或频率和基压V0固定而幅值Vp变化的脉冲电压、源极外接反偏电压的负极、漏极外接反偏电压的正极、漏极外接电流表探测电流且电流表串接于漏极、电压源、源极组成的回路中，可以得到一条电流电压曲线，由电流电压曲线的峰值电流通过公式计算即可得到界面态沿结型场效应区上方的平均分布，同时，通过对比应力前后的测试曲线可判断器件结型场效应区与沟道区上方的栅氧层界面在应力作用下的退化情况。
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公开(公告)号：CN108269843A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810038234.3
申请日：2018-01-15
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 一种带有沟槽的横向绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型SOI层和隔离沟槽，N型SOI层上设有N型缓冲区和P型体区，在N型缓冲区内设有P型集电极区，其上连接有集电极金属，在P型体区内设有N型发射极区，其右侧设有P型发射区，在发射极区上连接有发射极金属，在N型SOI层的上方设有场氧层，在N型SOI层内具有位于场氧化层下方的沟槽，沟槽内填充有多晶硅且沟槽下方不与氧化层相连，沟槽长度为1微米～100微米，沟槽数目为2～10个。所述带有沟槽的横向绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，位于绝缘层上硅层内且位于场氧化层下方的沟槽形成步骤依次为反应离子刻蚀，氧化层填充，多晶硅填充。
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公开(公告)号：CN106505106A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610884867.7
申请日：2016-10-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0688 , H01L29/66409
Abstract: 本发明提供一种高雪崩耐量的屏蔽栅功率晶体管及其制备方法。该晶体管采用表面MOS结构，半导体外延层设置有沟槽，沟槽内壁生长有上薄下厚的阶梯状场氧化层，场氧化层内淀积有源极多晶硅，沟槽外围设置有P型体区，P型体区内设置有N+源极和P型半导体接触区，P型体区外围设置有N型JFET区，器件表面淀积有源极金属铝，并与外延层形成良好的欧姆接触。其制备方法包括：外延生长步骤，JFET及P型体区离子注入步骤，沟槽刻蚀步骤，氧化层生长步骤，源极多晶硅淀积步骤，栅极多晶硅及栅极氧化层形成步骤，N+源极离子注入步骤，P型半导体接触区离子注入步骤及源极金属淀积步骤。根据本发明制备的屏蔽栅功率半导体晶体管雪崩耐量能力可提高27％以上。
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公开(公告)号：CN119300432A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411378111.6
申请日：2024-09-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法，器件包括在N型衬底上生长P型外延与N型漂移区，在N型漂移区内有P型埋层，第一，第二P型阱掺杂区，第一N型阱掺杂区，第一与第二N型高掺杂区，第一与第二P型高掺杂区，在第二P型高掺杂区内有氧化层与辅助反型金属，在N型漂移区上方设有氧化层介质，刻蚀氧化层介质引出源、漏、栅金属电极。制备方法包括获取衬底，衬底上生长外延层，外延层上生长漂移区，高能离子注入形成P型埋层，在漂移区中进行离子注入形成不同类型掺杂阱与高掺杂，在第二P型阱掺杂区刻蚀生长氧化层淀积反型辅助金属电极并构成拓展导电结构，生长层间介质，刻蚀，淀积金属形成源、漏、栅电极。
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公开(公告)号：CN119133229A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411293152.5
申请日：2024-09-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，包括：衬底，由第一缓冲层、第一沟道层、第一异质结沟道、第一势垒层、第一金属源电极、第一金属漏电极、第一金属栅电极构成的低测区，由第二缓冲层、第二沟道层、第二异质结沟道、第二势垒层、第二金属源电极、第二金属漏电极、第二金属栅电极构成的高测区，由绝缘介质层和导热介质层构成的沟槽区；本发明通过沟槽区将器件体内的热量导出，能够提高器件的散热性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114785123B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210144249.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于恒定导通时间COT控制的锁频控制系统及方法，通过在不同的Vout和Vin下改变Ton，就可以实现不同功况下稳态的定频。主要应用但不局限于Buck变换器，应用范围包括所有恒定导通时间控制，例如CMCOT控制，IQCOT控制以及V2控制。本方法不需要增加额外的采样电路，通过数字控制器每个时钟周期迭代运算实现非定频控制算法的稳态定频，实现了输出电压AVP窗口值的精确设计，确保输出电压的精度。
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公开(公告)号：CN114567190B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210199567.0
申请日：2022-03-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于同步整流控制器的相位补偿方法，包括：针对一典型同步整流控制电路，设置一采样回路，所述该采样回路包括：直流电压源VCC、补偿电阻Rc、二极管D1、补偿电感Lc；通过调整所述补偿电感Lc和所述补偿电阻Rc的时常数，使得其等于该典型同步整流控制电路中的寄生电感Ls和RDS的时常数，用以消除超前相位，其中，RDS为同步整流功率管的导通电阻。本发明提出的方法可以结合集成电路的设计，使得流过补偿电感的电流很小，对电感的要求不高，普通的贴片电感即可。
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公开(公告)号：CN118137837A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410267196.4
申请日：2024-03-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于Buck变换器的自适应变频电路，包括功率级模块、误差信号产生模块、PWM比较模块和载波调节模块。功率级模块用于实现Buck变换器的主要功能，负责将直流输入电压Vin转换为所需幅值的稳定的直流输出电压Vout。误差信号产生模块通过比较采样电压与基准电压的差值，生成误差电压，并进一步处理误差电压以调节PWM信号的占空比。PWM比较模块将误差信号产生模块生成的误差电压与载波调节模块产生的锯齿波信号进行比较，生成控制MOS管导通或关断的PWM信号。载波调节模块接收和处理滤波器的输出AP和误差电压err，并通过有限状态机调节载波信号r。当检测到滤波器输出AP和误差电压err超出设定阈值时，决定系统的状态。在稳态下，输出频率和峰值固定的载波信号；在暂态下，载波信号的频率和峰值会响应输入信号的变化而动态调整。
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公开(公告)号：CN118100649A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410273376.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于多相Buck电路的高动态控制方法，包括以下步骤：误差信号err由参考电压信号Vref减去多相Buck电路连接到负载上的输出电压信号Vo得到，并输入到稳态通路和瞬态通路中；稳态通路采用PID控制，输出稳态控制信号Vc；ViL为电感电流采样信号，利用电感电流无法突变的原理生成；将电感电流信号ViL与误差信号err作为瞬态通路的输入；首先，ViL经过线性带通滤波器BP filter进行处理，输出高频段信号ViL_HP；误差信号err与带通滤波器输出信号ViL_HP相减，得到瞬态输出控制信号V1作为瞬态通路的输出；最后，将瞬态输出控制信号V1与PID控制的输出稳态控制信号Vc相加得到补偿环路的总输出信号Vd；再使用补偿环路的总输出信号Vd得到PWM信号控制开关管导通或截止。本发明采用定频PWM控制，并通过引入一个瞬态通路与稳态通路共同组成控制环路，旨在改善开关电源对大负载跳变量和高负载跳变速率的瞬态响应。
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公开(公告)号：CN114157147B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111439240.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高功率密度的自激式降压变换器辅助电源电路。该辅助电源包括：降压主回路(1)、复位驱动电路(2)、限流保护电路(3)、稳压电路(4)；其中，降压主回路(1)的输入端接限流保护电路(3)，降压主回路(1)的输出端接稳压电路(4)，稳压电路(4)的输出端即输出电压(Vout)接负载(Load)，限流保护电路(3)的输入端接输入电压(Vin2)；复位驱动电路(2)的一端接限流保护电路(3)，另一端接输出电压(Vout)。本发明解决了现有自激式降压变换器功率密度低、接受输入电压不够宽泛、工作频率不够高、输出纹波高、噪声高的问题，同时也实现了过压保护和过流保护以及自适应软启动的功能。
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