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公开(公告)号：CN102376521A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110235895.3
申请日：2011-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32596 , H01J37/32697
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体控制方法，能够任意地控制处理室内的等离子体分布，还能够使处理室内的等离子体密度均匀化，对基板实施均匀的等离子体处理。该等离子体处理装置包括：对晶片(W)实施规定的等离子体处理的能够进行真空排气的腔室(11)；在腔室(11)内载置晶片(W)的基座(12)；被设置成隔着处理空间(S)与基座(12)相对的上部电极板(30a)；对基座(12)和上部电极(30a)中的一个施加高频电力，以在处理空间(S)内产生等离子体的高频电源(20)；以及与处理空间(S)相对的内壁构成部件，在与处理空间(S)的周边部相对的上部电极(30a)设置有空心阴极(31a～31c)，设置有空心阴极(31a～31c)的上部电极(30a)与鞘电压调整用的直流电源(37)连接。
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公开(公告)号：CN102157325A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010589485.4
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合等离子体，使该炸面饼圈状的等离子体分散在大的处理空间内，在基座(12)附近(即半导体晶片W上)使等离子体的密度平均化。并且，使基座(12)附近的等离子体密度分布在径向上均匀化，由补正环(70)对RF天线(54)产生的RF磁场实施电磁场的补正，而且能够根据工艺条件由开关机构(110)改变补正线圈(70)的通电占空比。
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公开(公告)号：CN101431009B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810175598.2
申请日：2008-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , C23F4/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种喷淋板和基板处理装置，即使经过使用时间，也能够为了延长喷淋板的寿命，而防止异常放电的发生。基板处理装置(10)具有对腔室(11)内的处理空间(S)供给处理气体的喷淋头(30)，该喷淋头(30)具有圆板状的喷淋板(31)，该喷淋板(31)介于形成在喷淋头(30)内且用于导入处理气体的空间(34)和处理空间(S)之间，并且具有连通空间(34)和处理空间(S)的处理气体供给路径(36)，该处理气体供给路径(36)具有形成在空间(34)侧的多个气孔(40)和形成在处理空间(S)侧的多个气槽(41)，多个气孔(40)和多个气槽(41)相互连通，全部气槽(41)的流路截面积的总和比全部气孔(40)的流路截面积的总和大。
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公开(公告)号：CN1540738A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410034165.7
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32642 , H01L21/6831
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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