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公开(公告)号：CN111876822A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010629650.8
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅生长炉热屏及单晶硅生长炉，所述热屏设置在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚的上部，所述热屏包括屏壁和屏底，所述屏底具有供熔体提拉通过的窗口，所述屏底包括上层、下层和侧壁，所述侧壁连接与所述上层和所述下层之间且围成所述窗口，所述下层朝向所述熔体的液面，所述下层设为齿状结构，用于将外部热能反射到所述熔体液面时不会继续反射到单晶硅晶体侧壁；通过将屏底的下层设置为齿状结构，可以避免外部热能量被单晶硅晶体吸收，从而避免晶体表面热补偿过高，有效优化晶体纵向温度梯度，提高硅片径向的质量均匀性。
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公开(公告)号：CN113282878B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202110390415.4
申请日：2021-04-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法。所述方法包括：引晶前测量所述单晶炉内用于引晶的熔体的温度，并得到温度‑时间曲线；对所述温度‑时间曲线进行傅里叶分析，得到频率‑振幅曲线；根据所述温度‑时间曲线判断熔体温度无剧烈变化之后，再以引晶温度稳定的频率‑振幅曲线作为标准参考曲线，将得到的所述频率‑振幅曲线与标准参考曲线进行比较，以判断引晶温度是否稳定。本申请所述方法通过傅里叶分析辅助及时间‑温度曲线，提高了引晶温度稳定性判断的准确率，降低了因误判引晶温度而导致的断线率。
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公开(公告)号：CN114808112B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210343801.2
申请日：2022-03-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单晶生长方法及晶圆，所述单晶生长方法包括：提供熔体和经过掺杂的籽晶；获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l0；将所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体中，获取所述经过掺杂的籽晶露出所述熔体表面的长度l1，其中l0＞l1；利用所述熔体和所述经过掺杂的籽晶采用直拉法生长单晶。本发明使用经过掺杂的籽晶，能够精准控制单晶的P/N型及电阻率，避免了额外引入掺杂剂带来的用量难以控制的问题，保持了单晶的重复性。
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公开(公告)号：CN114334792A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111274089.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供了一种SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法，属于半导体制造领域，具体包括步骤一，将半导体硅晶圆置于第一垂直炉管进行长时间热处理；步骤二，将长时间热处理后的所述半导体硅晶圆放入第二垂直炉管中，进行氧化减薄处理；步骤三，对氧化减薄后的所述半导体硅晶圆进行快速热退火处理，其中，在长时间热处理中，先将所述半导体硅晶圆置于纯氩气氛中进行保护，而后在1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛升温至目标温度再进行退火阶段，退火阶段，气氛为1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛或者纯氩气，n为不大于10的数值。通过本申请的处理方案，使半导体硅晶圆表面粗糙度小于5埃，且边缘无滑移线。
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公开(公告)号：CN111926380B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010621682.3
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏装置，所述热屏装置用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏装置包括壳体、支撑件、隔热板和方向控制组件，所述支撑件与所述隔热板设于所述壳体内，所述支撑件的一端与所述壳体内壁固定连接，所述方向控制组件与所述隔热板连接，所述支撑件用于作为所述隔热板的支点并与所述方向控制组件配合控制所述隔热板与所述壳体之间相对转动，所述隔热板的可转动夹角朝向所述单晶硅的柱面，所述壳体底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部。本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏装置及单晶生产炉，通过改变热屏设计，通过控制隔热板的方向和角度实现温度梯度的动态控制，从而实现拉速的控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111763985B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010621640.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏结构，所述热屏结构用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏结构包括外壳和隔热板，所述隔热板设于所述外壳的内部，所述外壳底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部，所述隔热板所在平面与所述外壳底部所在平面形成的夹角为锐角且所述夹角朝向所述单晶硅的外表面。本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉，结构简单，通过改变热屏设计，增设隔热板将吸热板吸收到的热量传递给单晶硅，在热屏中形成热通道，实现对单晶硅的径向温度梯度进行优化，从而实现拉速的控制，进而提高单晶硅径向的质量均匀性。
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公开(公告)号：CN111893561B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010621637.8
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，包括支撑层以及制备在所述支撑层上的层叠结构，所述层叠结构包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替设置；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述复合隔热结构设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供的复合隔热结构在热辐射波长范围表现出具有良好的热反射性能，当其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热量的反射能力，减少硅熔体热量的耗散，起到对热场的保温作用，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
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公开(公告)号：CN111893558B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010625055.7
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替形成层叠结构，所述第一折射层和与之相邻设置的第二折射层相贴合；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述薄膜隔热片设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，在热辐射波长范围内具有良好的反射性能，当将其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热能的反射能力，降低熔融的硅熔体热量的耗散，提高热能利用率；并且有利于热场的保温性能，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
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公开(公告)号：CN113161229A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110389647.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供了一种多晶硅薄膜衬底的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化硅层；对所述氧化硅层的表面进行氮化处理，以得到氮氧硅层；在所述氮氧硅层上形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行退火处理。形成的氮氧硅层可以减少多晶硅薄膜内应力释放，改善晶粒质量，从而改善多晶硅薄膜对外的应力，也就是说可以改善多晶硅薄膜对衬底的应力，并且，退火工艺还可以继续减小多晶硅薄膜对衬底的应力。多晶硅薄膜对衬底的应力减小，就可以使得衬底的翘曲度降低。
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公开(公告)号：CN111926380A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010621682.3
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏装置，所述热屏装置用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏装置包括壳体、支撑件、隔热板和方向控制组件，所述支撑件与所述隔热板设于所述壳体内，所述支撑件的一端与所述壳体内壁固定连接，所述方向控制组件与所述隔热板连接，所述支撑件用于作为所述隔热板的支点并与所述方向控制组件配合控制所述隔热板与所述壳体之间相对转动，所述隔热板的可转动夹角朝向所述单晶硅的柱面，所述壳体底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部。本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏装置及单晶生产炉，通过改变热屏设计，通过控制隔热板的方向和角度实现温度梯度的动态控制，从而实现拉速的控制。
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