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公开(公告)号：CN112095143A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910527727.8
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加磁场；其中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体液面之间的距离小于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布的均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN110592661A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910860777.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；导流套筒，所述导流套筒设置于所述加热器与所述坩埚之间；辅助结构，所述导流套筒与所述辅助结构连接，以将所述加热器的顶部和侧面包围。根据本发明提供的晶体生长装置，通过在加热器与坩埚之间设置导流套筒，且导流套筒与辅助结构可以连接组合以将所述加热器的顶部和侧面包围，避免了SiO蒸气对加热器表面的侵蚀，延长了加热器的使用寿命，提高了晶体生长品质的稳定性。
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公开(公告)号：CN110528063A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910860787.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；均热套筒，所述均热套筒设置于所述加热器与所述坩埚之间，所述均热套筒的侧壁包括厚壁区域和薄壁区域，其中，所述薄壁区域与高温区域对应设置，所述厚壁区域与低温区域对应设置。根据本发明提供的晶体生长装置，通过在加热器与坩埚之间设置于，所述均热套筒的侧壁包括厚壁区域和薄壁区域，利用壁厚的不同调节加热器对石墨坩埚辐射能量，平衡温度的影响，使坩埚在旋转中从晶体生长装置辐射的热量尽可能相同。
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公开(公告)号：CN116590788A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310321308.5
申请日：2023-03-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 沈伟民
Abstract: 一种晶体生长控制方法、装置、系统和存储介质，所述方法包括：获取前一晶体序列的晶体生长数据；根据每根晶体的序列编号确定其序列权重，并根据每根晶体在预定长度位置时的实际加热功率及其序列权重进行加权求和，以得到第一加热功率；根据每根晶体在预定长度位置时的设定拉速和实际拉速确定其拉速偏差权重，并根据每根晶体在预定长度位置时的实际加热功率及其拉速偏差权重进行加权求和，以得到第二加热功率；对第一加热功率和第二加热功率进行加权求和，以得到下一晶体在预定长度位置时的目标加热功率，并根据目标加热功率控制下一晶体的生长过程。本申请降低了晶体内原生缺陷的发生率，提高了晶体的良率。
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公开(公告)号：CN116145240A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211722191.3
申请日：2022-12-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 沈伟民
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长的控制方法、装置、系统及计算机存储介质，所示方法包括：获得不同晶体长度下的加热器功率的目标分段曲线，所述目标分段曲线相邻分段的交点为分段点；基于晶体长度值，通过插值计算获得所述长度值处的加热器功率，以作为加热器功率的控制值；基于不同晶体长度处的加热器功率的控制值获得加热器功率的目标控制曲线，所述加热器功率的目标控制曲线在所述分段点处平滑。根据本发明提供的晶体生长的控制方法、装置、系统及计算机存储介质，在加热器功率的目标分段曲线的基础上通过插值计算进一步获得平滑的加热器功率的目标控制曲线，降低晶体生长的直径和拉速的波动，降低晶体内原生缺陷的发生率，提高硅片产品的良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112553683B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011209784.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的化料方法，包括：第一加热阶段，加热器以第一功率加热原料，并持续第一加热时间；第二加热阶段，所述加热器以第二功率继续加热所述原料，并持续第二加热时间，其中，所述第二功率低于所述第一功率；第三加热阶段，所述加热器以第三功率继续加热所述原料，并持续第三加热时间。根据本发明提供的用于晶体生长的化料方法，通过将化料工序分为三个阶段，且第二阶段的加热功率低于第一阶段的加热功率，以在缩短化料总时间的同时避免石英坩埚的温度超过软化温度，提高了晶体生长的良率。
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公开(公告)号：CN112680793A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910990349.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒底部设置有具有向下凸出的台阶，以使所述导流筒底部在所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离小于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112680788A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910990351.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒内壁底部开设有凹槽，以使所述导流筒在所述磁场的施加方向上与所述硅晶棒之间的距离大于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112359412A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011211500.1
申请日：2020-11-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的引晶方法，包括：第一引晶阶段，坩埚以第一转速旋转，晶体生长至第一长度；第二引晶阶段，所述坩埚的转速由所述第一转速递增至第二转速，当所述坩埚的转速达到所述第二转速时，所述晶体生长至第二长度；第三引晶阶段，所述坩埚以所述第二转速旋转，直至所述晶体生长至目标长度。根据本发明提供的用于晶体生长的引晶方法，通过将引晶工序分为三个阶段，并且在第二阶段随着晶体的生长坩埚的转速递增，以增强硅熔体的对流，保持硅熔体中心的温度不低于引晶开始的温度，从而提高籽晶内部的位错排出率，避免发生断棱多晶化。
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公开(公告)号：CN112095142A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910527023.0
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述提拉装置提拉所述硅晶棒穿过所述导流筒的过程中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离大于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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