公开(公告)号：CN104681544A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310631682.1

申请日：2013-12-03

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 陆宇 ,  张玥 ,  程玉华

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明以QFN(QuadFlatNoLead，方形扁平无引脚)封装结构为整体框架，提出了一种多芯片Flipchip(倒装芯片)封装结构。其中包括矩形的封装体；矩形的芯片基岛；芯片基岛底部的导热焊盘为矩形；引线框架底部的导电焊盘在导热焊盘周围环形排布，形状为一边为弧形的矩形；芯片以倒装的形式焊接在导电介质基板上，焊凸通过介质基岛以导电线路与引线框架相连结。这种多芯片封装结构的优点有：采用QFN整体封装结构，内部芯片以Flipchip形式进行连接，不仅克服了单纯使用Flipchip封装结构时由于基板热膨胀系数的限制而带来的焊接可靠性的问题，同时也提高了QFN封装结构的电气性能，还体现出芯片尺寸上的优越性，为系统化封装SIP(SysteminaPackage)提供了一种可能。

公开(公告)号：CN104681517A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310650663.3

申请日：2013-12-03

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 陆宇 ,  蒋德军 ,  程玉华

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于大功率道路照明的一种多芯片QFN(方形扁平无引脚封装，Quad Flat No Lead)封装结构，包括了占用系统面积较大的芯片子模块：PWM(脉冲宽度调制，Pulse Width Modulation)控制器，功率MOS(金氧半场效晶体管，Metal Oxide Semiconductor)管，基岛，围绕所述基岛布置的多个焊盘，所述封装结构的封装空间内填充的绝缘材质。其中，所述不同芯片设置在基岛上，至少一个所述焊盘与所述基岛连通，其余焊盘通过金线与所述芯片连接。本发明公开的多芯片QFN封装结构，通过加入电连接芯片，为一颗或多颗芯片封装在一个QFN里提供了可行性，减少了封装成本，从而大大提高了系统的集成度和可靠性。

公开(公告)号：CN113131932A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911391768.5

申请日：2019-12-30

Applicant: 海安集成电路技术创新中心 ,  海安芯润集成电路科技有限公司 ,  上海北京大学微电子研究院

Inventor： 马松 ,  陆宇 ,  蒋乐乐 ,  沈立

IPC: H03M1/06

Abstract: 本发明提供了一种新型全差分多阶增益ADC失调电压和电荷注入消除技术，以提高增益ADC的分辨精度和减小量化误差。其中所述失调电压和电荷注入消除电路，包括多阶增量ADC开关电容积分电路，此外还包括用于控制积分时序的两相不交叠时钟电路，其输出时钟给开关电容积分电路，控制积分模块的时序；此外还包括逻辑控制模块，用于控制整体电路的工作时序以及产生消除失调电压和电荷注入的特定时序；此外还包括低输入失调的全差分量化器，用于量化积分电压，并控制积分输入电压的选择；此外还包括数字滤波器，对量化器输出进行量化，产生对应的二进制输出；此外还包括模拟地产生电路，用来给全差分运放提供输出共模电位。

公开(公告)号：CN113125828A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911386660.7

申请日：2019-12-30

Applicant: 海安集成电路技术创新中心 ,  海安芯润集成电路科技有限公司 ,  上海北京大学微电子研究院

Inventor： 陆宇 ,  马松 ,  蒋乐乐 ,  沈立

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种新型的电流检测电路，与传统电流检测电路相比，特征在于在比较器，在分压电阻两端并联了两个电阻。采用这种方法，可以很大范围降低比较器输入端电压。从低压电流检测到低电压电流检测均将适用。此电路结构不仅适用于由分离元件构成的电路中，也适用于芯片中的电流检测。对于低压工艺的芯片，采用该技术可以检测高压电路中的电流。

公开(公告)号：CN109979912A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711456523.7

申请日：2017-12-28

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 ,  上海芯哲微电子科技股份有限公司 ,  上海北京大学微电子研究院

Inventor： 沈立 ,  陆宇 ,  周润宝 ,  沈金龙 ,  程玉华

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明是关于一种优化的衬底掏空的层叠电感结构，具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括：多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间，其互连结构通过插塞采用多层金属并联(或串并联)形式构成，这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位(或仅中间部位)进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构，这样就减小了寄生电容的影响，扩展了电感的工作频带，以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。

公开(公告)号：CN107544011A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201610464305.7

申请日：2016-06-24

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 陆宇 ,  陈昭 ,  程玉华

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明提出用于预测芯片寿命的芯片内建自检电路，为维护人员提供维护依据，提前做好防范，减小不必要的损失。该结构建立于芯片上，包括：阈值设置模块，参数检测模块，比较模块，信息发送模块等。所述阈值设置模块，用以选择可以用来检测芯片状态的模块以及失效值；所述参数检测模块，用以实时获取芯片工作状态参数；所述比较模块，用以将即时的芯片工作参数与阈值数值进行比较；所述信息发送模块，可以将比较结果发送到相关人员设备处，由工作人员决定具体的维护工作内容。