公开(公告)号：CN1438655A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN03116028.X

申请日：2003-03-27

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 余昶 ,  王晖 ,  邹志强 ,  梁齐 ,  王庆康

IPC: G12B21/04 ,  G01N13/12

Abstract: 一种扫描隧道显微镜针尖自动控制刻蚀仪属于测试技术领域。本发明由电路和电解池装置两个部分组成，电路包括电源输出部分电路、制动部分电路、逻辑判断及鸣警部分电路和电解池变化反馈部分电路，电解池装置由完全相同的左右两部分组成，其中两通管一边各焊接一悬臂，另一边通过螺母各固定于中心轴上，两中心轴设置在两底座上，两悬臂的末端通过螺母分别固定有阴极线圈或阳极钨丝，电解池设置在两底座中间，用与电路正负极相连的鳄鱼夹分别夹住阳极钨丝和阴极线圈上部，作为电解池的阴阳两电极。本发明的电路自动切断的响应时间约为100ns，能提高了针尖的锐度，装置结构小巧，拆装更为简便，移动方便提高工作了效率，自动报警无需监视，节省了人力。

公开(公告)号：CN1286310A

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN00119621.9

申请日：2000-08-17

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王庆康 ,  林志新 ,  刘建华 ,  刘燕刚

IPC: C12Q1/68

Abstract: DNA芯片超对称掩膜版的制备方法第一步,对DNA探针阵列进行四位超对称编码,第二步,对于前半段或后半段DNA探针合成所需的光掩膜版进行ATCG四元素循环对称优化。本发明使原位合成法DNA芯片制备中所必须采用的光掩膜版从原来的4L块减少到L块,是原来的四分之一。

公开(公告)号：CN1083991A

公开(公告)日：1994-03-16

申请号：CN93112365.8

申请日：1993-03-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 史常忻 ,  王庆康

IPC: H04B10/02 ,  H01L49/00

Abstract: 铟镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层InP增强层、薄P型InP增强层、金属电极组成。本发明可获得比仅用InP势垒增强层更为高的势垒高度，仍然保持其晶格匹配，高速、低暗电流，工艺简单的优点，是一种广泛应用于光纤通讯领域中的更为理想的光电探测器。

公开(公告)号：CN1023360C

公开(公告)日：1993-12-29

申请号：CN92108309.2

申请日：1992-01-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 史常忻 ,  王庆康 ,  李志奇

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/108 ,  H01L27/14

Abstract: 铟镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、P型掺杂In0.53Ga0.47As增强层、金属电极组成。具有结构新颖、工艺简单、稳定可靠、势垒增强效果好，长波长(1.3～1.55微米)响应，高速，低暗电流，特别是便于与场效应管(FEI)同片集成的优点，是一种广泛应用于光纤通讯领域中的较为理想的光电探测器。

公开(公告)号：CN103633193B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310544960.X

申请日：2013-11-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王庆康 ,  沈向前 ,  王阳培华 ,  黄堃 ,  严兴茂

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用于硅基薄膜太阳电池的微结构陷光方法，利用微米尺度周期结构作为电池陷光部分，或微米尺度周期结构与绒面织构共同做为电池陷光部分。陷光结构制备在衬底材料上，薄膜电池可直接沉积在陷光衬底上，也可把陷光玻璃片覆盖在电池上，可有效提高电池的陷光能力，从而提高光子吸收，增加薄膜太阳电池光电转化效率。光电效率测试表明，本陷光技术可使双结非晶硅/微晶硅电池相对效率提高9.95%。本发明与现有薄膜电池制备技术兼容，不改变工艺参数情况下有效提高薄膜电池效率，并适合大面积量产。

公开(公告)号：CN102969227B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210462171.7

申请日：2012-11-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 陶海华 ,  张双喜 ,  蒋为桥 ,  王庆康

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种集紫外光化学与化学气相干法表面处理的真空设备，主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空设备控制系统组成，真空腔室由高真空内腔室和低真空外腔室组成：外腔室顶端固定紫外灯光源；内腔室具有高度可调节的样品台，其外置加热和水冷系统。还提供相应的真空设备使用方法。本发明能够准确控制紫外光化学和化学气相干法反应的过程，实现材料、器件等有效清洗和改性，它在材料和纳米光电子器件领域具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN103663342A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310573699.6

申请日：2013-11-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 李海华 ,  王庆康

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/00

Abstract: 本发明公开了一种共布线微电极阵列芯片及其制备方法；该微电极阵列芯片的微电极阵列结构层包括以光栅阵列结构排布的若干微电极以及叠加在所述光栅阵列上的呈点状阵列结构排布的若干微电极。本发明的芯片利用共布线原理和光刻套刻技术，采用具有光栅阵列结构的第一掩模板、具有点状阵列结构的第二掩模板，通过金属沉积工艺、离子束刻蚀技术、湿法刻蚀工艺等制备而得。本发明实现了将多种不同微电极阵列集于一芯片上，充分利用了生物芯片的效率，降低了成本，能够满足不同细胞、不同用途的生物检测和记录；由于电极的引线布局与商用微电极芯片的完全一致，还使得其在检测时具有良好的兼容性和通用性，是一种可标准化和批量化生产的电极阵列芯片。

公开(公告)号：CN102969227A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210462171.7

申请日：2012-11-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 陶海华 ,  张双喜 ,  蒋为桥 ,  王庆康

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种集紫外光化学与化学气相干法表面处理的真空设备，主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空设备控制系统组成，真空腔室由高真空内腔室和低真空外腔室组成：外腔室顶端固定紫外灯光源；内腔室具有高度可调节的样品台，其外置加热和水冷系统。还提供相应的真空设备使用方法。本发明能够准确控制紫外光化学和化学气相干法反应的过程，实现材料、器件等有效清洗和改性，它在材料和纳米光电子器件领域具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN1624586A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410089276.8

申请日：2004-12-09

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王庆康 ,  段智勇

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 一种用于纳米加工技术技术领域的真空负压纳米压印方法。具体步骤如下：(1)真空负压发生方法，通过真空负压工作室产生真空负压；(2)真空负压传递方法，真空负压工作室的真空达到负压；(3)真空负压柔性传递方法，通过柔性绞链密封连接；(4)压强倍增方法，圆形石英片同心紧密结合；(5)压力施加方法，通过压印基板与工作台之间的均匀的聚四氟乙烯弹性垫，使得模仁和基板两面同时施加平衡、均匀、与表面垂直的压力，完成纳米压印模仁和基板紧密压合工艺过程。本发明够根据紫外敏感胶和其它纳米压印光刻胶的黏度实现不同压强倍增，较高精密压力平衡控制机械方法极大降低了设备的成本。在纳米结构的制造领域具有广泛的应用。

公开(公告)号：CN1272551A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN00115385.4

申请日：2000-04-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王庆康 ,  刘建华 ,  林志新 ,  刘燕刚

IPC: C12Q1/68

Abstract: 本发明将A、C、G、T构成的长度为L的全组合寡核苷酸片段固定于DNA芯片上,序列待测的DNA片段是荧光标记的一组长度为L,待连接点处的nz个核苷酸是己知的随机片段,同时与DNA芯片一起保温,进行DNA配对,与待测DNA序列配对的寡核苷酸片段被连接起来,反应后清洗DNA芯片,然后用扫描仪检测,可以获得待测DNA片段的各种匹配片段序列出现的频率,根据这种频率可以反推出待测DNA片段的核苷酸序列。