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公开(公告)号：CN111418030A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880074817.X
申请日：2018-11-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的绝缘导体具有导体和在导体的表面上所具备的绝缘覆膜，其中，绝缘覆膜具有含氟树脂组合物层和氟浓度梯度层，所述含氟树脂组合物层含有热固性树脂的固化物及氟树脂，所述氟浓度梯度层配置于所述导体与所述含氟树脂组合物层之间，并且含有热固性树脂的固化物及氟树脂，并且设有氟原子含量从所述含氟树脂组合物层侧朝向所述导体降低的浓度梯度。
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公开(公告)号：CN110352463A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201880014473.3
申请日：2018-02-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种以绝缘被膜包覆横截面形状为矩形的扁平状导体线而成的绝缘电线。绝缘被膜由包覆扁平状导体线的表面的内层及包覆内层的表面的外层构成，在扁平状导体线的矩形的横截面中彼此相对且具有相同长度的两个短边中，包覆一侧短边的内层的厚度(t1)比包覆另一侧短边的内层的厚度(t2)大，内层的弹性模量比外层的弹性模量小或内层的屈服应力比外层的屈服应力小，或者内层的弹性模量及屈服应力均比外层的弹性模量及屈服应力小，其中，t2包含t2＝0。
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公开(公告)号：CN110249395A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880010389.4
申请日：2018-02-13
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种导体线被绝缘被膜包覆而成的绝缘电线，其中，该绝缘被膜包含5～20质量％的低沸点成分，所述低沸点成分在常压下的沸点小于300℃。该绝缘被膜的厚度优选为40～65μm。另外，导体线的横截面形状优选为矩形或正方形。
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公开(公告)号：CN105551583B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201510670661.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明为一种扁立线圈用扁平绝缘电线及其制造方法，该扁平绝缘电线的特征在于，卷曲外周侧部分的导电性线材的壁厚形成得比卷曲内周侧部分的导电性线材的壁厚厚，并且卷曲外周侧部分的绝缘包覆的厚度形成得比卷曲内周侧部分的绝缘包覆的厚度厚，优选上述外周侧部分的绝缘包覆的厚度为上述内周侧部分的绝缘包覆的厚度的1.5倍以上，包含上述外周侧部分的导电性线材及绝缘包覆的壁厚相对于包含上述内周侧部分的导电性线材及绝缘包覆的壁厚为1.2～1.7倍。
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公开(公告)号：CN104072131B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201410054008.6
申请日：2014-02-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物的制造方法及其用途。该用于形成铁电薄膜的组合物的制造方法为PZT薄膜形成用组合物的制造方法，其特征在于，在0℃～10℃温度下对PZT薄膜形成用组合物前驱体进行至少30天的时效处理，所述PZT薄膜形成用组合物前驱体通过使相对于100质量%的组合物前驱体用原料以氧化物浓度换算包含23～38质量%的PZT前驱物质的组合物前驱体用原料与高分子反应而获得。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105393338B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480041141.6
申请日：2014-08-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L21/316 , C01G33/00 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L41/318
CPC classification number: H01L41/1876 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L28/56 , H01L28/75 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种膜中的各组成大致均匀，且压电特性及介电特性较高的PNbZT薄膜的制造方法。本发明的PNbZT薄膜的制造方法，其包含如下工序：准备满足组成式PbzNbxZryTi1‑yO3且锆及钛的浓度比Zr/Ti不同的多种溶胶‑凝胶液，其中，0＜x≤0.05、0.40≤y≤0.60及1.05≤z≤1.25；以浓度比Zr/Ti阶段性变小的方式从多种溶胶‑凝胶液中选择规定的溶胶‑凝胶液，在基板上将溶胶‑凝胶液的涂布及临时烧结重复进行两次以上，由此在基板(12)上层叠浓度比Zr/Ti阶段性变小的两层以上的临时烧结膜(11a～11c)；及将多个临时烧结膜(11a～11c)一并烧成，由此得到单一的PNbZT薄膜(11)的工序。
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公开(公告)号：CN103979617B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410045429.2
申请日：2014-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/01 , C04B35/624 , C04B35/62625 , C04B35/632 , C04B2235/3227 , C04B2235/3279 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , H01B13/00
Abstract: 本发明提供一种LaNiO3薄膜形成用组合物、及使用该组合物的LaNiO3薄膜形成方法，其课题在于形成一种极少产生空隙的均匀的LaNiO3薄膜。本发明的LaNiO3薄膜形成用组合物包含：LaNiO3前驱体；第1有机溶剂，选自羧酸、醇、酯、酮类、醚类、环烷类、芳香族系及四氢呋喃中的一种或两种以上；稳定剂，选自β‑二酮、β‑酮类、β‑酮酯类、含氧酸类、二醇、三醇、羧酸、烷醇胺及多元胺中的一种或两种以上；及第2有机溶剂，沸点为150～300℃且具有20～50dyn/cm的表面张力，其中，组合物100质量%中的LaNiO3前驱体的比例以氧化物换算为1～20质量%，稳定剂的比例相对于组合物中的LaNiO3前驱体的总量1摩尔超过0且为10摩尔以下，组合物100质量%中的第2有机溶剂的比例为5～20质量%。
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公开(公告)号：CN103177797B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201210552098.2
申请日：2012-12-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体公司
Abstract: 本发明提供了一种混合的复合金属氧化物形式的用于形成薄膜的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1‑xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，其中，复合氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范围内，且复合氧化物C与复合金属氧化物A的摩尔比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范围内。
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公开(公告)号：CN107112097A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005354.2
申请日：2016-02-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B13/16 , C09D5/44 , C09D5/4407 , C09D5/4461 , C09D7/65 , C09D201/00 , C25D13/00 , C25D13/16 , C25D13/20 , H01B1/026 , H01B13/0016 , H01B13/065
Abstract: 本发明的绝缘电线的制造方法利用含聚合物的绝缘电沉积涂料通过电沉积法在电线的表面形成绝缘层之后，通过进行烧结处理，由此在电线的表面形成绝缘覆膜。在上述烧结处理前，进行使绝缘层中的溶剂蒸发的预处理，该预处理通过近红外线加热炉进行。并且，预处理的温度低于烧结处理的温度。
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公开(公告)号：CN104446463B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410553563.3
申请日：2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L21/02 , C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/50 , H01G4/12 , H01G4/20 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的本发明的强电介质薄膜形成用组合物，是用于形成采取复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1‑z))O3表示的复合金属氧化物A中混合通式(2)CnH2n+1COOH表示的、并且、配位在上述金属上时能够形成下式(3)的结构的、羧酸B得到的，式(1)中0.9
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