公开(公告)号：CN104600070B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201410601952.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  李明宰 ,  李商文 ,  李成训 ,  赵成豪

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02645 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了一种衬底结构、包括该衬底结构的互补金属氧化物半导体CMOS器件和制造该CMOS器件的方法，其中衬底结构包括：衬底；位于衬底上的由包括硼B和/或磷P的材料形成的至少一个晶种层；以及位于晶种层上的缓冲层。该衬底结构可减小缓冲层的厚度，并且还提高了形成有该衬底结构的半导体器件的性能特征。

公开(公告)号：CN104425620A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410443424.5

申请日：2014-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东洙 ,  李明宰 ,  赵成豪 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  大卫·徐 ,  梁炆承 ,  李商文 ,  李成训 ,  许智贤 ,  黄义澈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ-Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。

公开(公告)号：CN101005195A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610121484.0

申请日：2006-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊昊 ,  金泽 ,  李商文

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/024 ,  H01S5/04

CPC classification number: H01S5/18383 ,  H01S3/08072 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/024 ,  H01S5/041 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18305

Abstract: 本发明提供了一种端泵垂直外腔面发射激光器(VECSEL)。该VECSEL包括：散热器，用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散产生的热量；激光器芯片，设置在散热器上，并且由泵浦光束激发而发射第一波长的光束；倍频发生(SHG)晶体，其设置在激光器芯片上，并且将从激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的激光束，其为第一波长的一半；和平面外腔，其直接形成在SHG晶体上，并且对第二波长的光束有预定的透射率。