公开(公告)号：CN107619419A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710244138.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F5/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/28556 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了一种由通式(I)表示的铝化合物、一种形成薄膜的方法以及一种制造集成电路器件的方法。通式(I)

公开(公告)号：CN117980534A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280027186.2

申请日：2022-03-01

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： H·钱德拉 ,  李明 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  H·金 ,  黄秉槿 ,  黄宣惠 ,  曹仑廷

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 一种制造电子器件，特别是用于沉积包含硅和硼的膜的组合物以及使用该组合物的方法，该膜具有低介电常数(

公开(公告)号：CN108735574B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201710244642.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF有限公司

Inventor： 黄宣惠 ,  金铭云 ,  曹仑廷 ,  李相益 ,  全相勇 ,  郑仁京 ,  郑元雄 ,  崔晶植

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种形成介电层的方法及制造半导体装置的方法。形成介电层的方法包含在衬底上使用硅前驱物形成初始介电层以及对初始介电层进行能量处理以形成介电层。在介电层中，Si‑CH3键结单元与Si‑O键结单元的比率是在0.5到5范围内。介电层具有相对较低介电常数以及相对较高机械强度。

公开(公告)号：CN107578995B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201710533807.5

申请日：2017-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林载顺 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  李炫锡 ,  赵基熙

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H10B12/00

Abstract: 一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。

公开(公告)号：CN114256262A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111105617.6

申请日：2021-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍秀 ,  蔡弘植 ,  金润洙 ,  金泰均 ,  曹仑廷

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：多个半导体图案，在第一方向上间隔开；多个模制绝缘层，在所述多个半导体图案之间；多个硅化物图案，接触所述多个半导体图案；以及多个第一金属导电膜，在所述多个模制绝缘层之间并连接到相应的硅化物图案，其中每个硅化物图案包括面对半导体图案的第一侧壁和面对第一金属导电膜的第二侧壁，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁在第一方向上延伸，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁是弯曲表面。

公开(公告)号：CN110349854A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910180129.8

申请日：2019-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  朴阳仙 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成半导体图案，使得半导体图案彼此竖直间隔开；以及形成金属逸出功图案以填充半导体图案之间的空间，其中，形成金属逸出功图案的步骤包括执行原子层沉积(ALD)工艺以形成合金层，并且ALD工艺包括在基底上提供包含有机铝化合物的第一前驱体以及在基底上提供包含钒-卤素化合物的第二前驱体。

公开(公告)号：CN108149222A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711247397.4

申请日：2017-12-01

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF有限公司

Inventor： 柳承旻 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  金铭云 ,  李相益 ,  全相勇 ,  李刚镛

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C07F7/22

CPC classification number: C07F7/2284 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供一种锡化合物、用于原子层沉积(ALD)的锡前体化合物、形成含锡材料膜的方法、及合成锡化合物的方法，所述锡化合物是由化学式(I)表示： 其中R1、R2、Q1、Q2、Q3、及Q4分别独立地为C1至C4直链烷基或支链烷基，且所述锡化合物可具有良好的热稳定性。