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公开(公告)号：CN103059393A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210405260.8
申请日：2012-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , B82Y30/00 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01P2002/88 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L51/004 , H01L51/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件，所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(-COO-)的聚合物、和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。
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公开(公告)号：CN101241727B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200810005438.3
申请日：2008-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/10
CPC classification number: G11B5/7325 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B9/02 , G11B9/08 , G11B9/1472
Abstract: 本发明公开了一种使用纳米晶粒子的信息存储介质、该信息存储介质的制造方法以及包含该信息存储介质的信息存储设备。该信息存储介质包括：导电层；第一绝缘层，形成于该导电层上；纳米晶层，形成于该第一绝缘层上并包括可以俘获电荷的导电纳米晶粒子；以及第二绝缘层，形成于该纳米晶层上。
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公开(公告)号：CN1417186A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02122156.1
申请日：2002-05-31
IPC: C07C31/20 , C07C29/149
CPC classification number: B01J23/8892 , B01J21/08 , B01J23/72 , B01J37/0009 , B01J37/03 , B01J37/18 , C07C29/149 , C07C31/205
Abstract: 在此公开了一种由3－羟基酯制备1，3－烷二醇的方法，包括下列步骤：i)通过向铜盐水溶液中加入碱性沉淀剂形成氢氧化铜颗粒，接着向其中加入胶态二氧化硅，然后老化该颗粒；ii)通过在5～2000psig压力在100～250℃的温度下在活化溶剂存在下用H2气或H2/N2混合气体还原，使催化剂活化；且iii)以液相悬浮液方式在活化的催化剂和反应溶剂的存在下，用H2气或/N2混合气体使用50～3000psig的压力在100～250℃的温度下氢化3－羟基酯。根据本发明可以选择性的从3－羟基酯高产率的制备1，3－烷二醇。
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公开(公告)号：CN114058374B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202110895450.1
申请日：2021-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H10H20/823
Abstract: 公开了量子点、其制造方法和包括其的电致发光设备与电子设备，所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳的组成不同于所述第一半导体纳米晶体的组成。所述量子点不包括镉，所述半导体纳米晶体壳包括锌硫属化物，所述锌硫属化物包括硒、碲、硫、或其组合，并且所述量子点进一步碱性碱土金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110875433B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201910813544.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , C09K11/88 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 公开量子点和包括其的电致发光器件。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发射层。所述量子点包括：包括铟(In)和磷(P)的半导体纳米晶体芯；设置在所述半导体纳米晶体芯上的第一半导体纳米晶体壳，所述第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上的第二半导体纳米晶体壳，所述第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，其中所述量子点不包括镉。所述电致发光器件具有大于或等于约9％的外量子效率和大于或等于约10,000坎德拉/平方米(cd/m2)的最大亮度。
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公开(公告)号：CN110797467B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201910715926.1
申请日：2019-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发光器件、其制造方法和包括其的显示设备。所述发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发射层、以及设置在所述发射层和所述第二电极之间并且包括多个纳米颗粒的电子辅助层，其中所述纳米颗粒包括包含锌的金属氧化物，其中所述第二电极具有面对所述电子辅助层的表面的第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面，所述发光器件包括设置在所述第二表面的至少一部分和所述电子辅助层的所述表面的至少一部分上的聚合物层，其中所述聚合物层包括包含如下的单体组合的聚合产物：具有至少一个硫醇基团的硫醇化合物、和具有至少两个碳‑碳不饱和键的不饱和化合物。
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公开(公告)号：CN110858628B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201910789697.8
申请日：2019-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K71/00 , H10K59/10
Abstract: 公开发光器件、其制造方法、和包括其的显示设备。所述发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，所述发射层包括量子点；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电荷辅助层，其中所述发射层包括面对所述电荷辅助层的第一表面和相反的第二表面，所述量子点在其表面上包括第一有机配体，在所述发射层中，在邻近于所述第一表面的部分中的所述第一有机配体的量大于在邻近于所述第二表面的部分中的所述第一有机配体的量。
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公开(公告)号：CN110858632B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910785624.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , B82Y30/00 , C09K11/54 , C09K11/56 , C09K11/88
Abstract: 公开量子点器件和量子点。所述量子点包括：芯，所述芯包括包含锌硫属化物的第一半导体纳米晶体；和设置在所述芯上的壳，所述壳包括锌、硫、和硒，其中所述量子点具有大于10nm的平均颗粒尺寸，其中所述量子点不包括镉，和其中所述量子点的光致发光峰存在于大于或等于约430nm且小于或等于约470nm的波长范围内。
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公开(公告)号：CN109817772B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201811207676.2
申请日：2018-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括阳极、在所述阳极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点层、和在所述量子点层上的阴极，其中所述量子点层的最高占据分子轨道(HOMO)能级大于或等于约5.6电子伏(eV)，所述空穴传输层的HOMO能级与所述量子点层的最高占据分子轨道能级之间的差值小于约0.5eV，所述空穴注入层具有接触所述阳极的第一表面和接触所述空穴传输层的第二表面，和所述空穴注入层的第一表面的HOMO能级不同于所述空穴注入层的第二表面的HOMO能级。
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