公开(公告)号：CN101320577A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810142887.2

申请日：2008-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 西蒙·比尔曼 ,  张银珠 ,  田信爱 ,  洪承范 ,  金容宽

IPC: G11B9/02

CPC classification number: G11B9/02

Abstract: 提供一种具有铁电纳米点的铁电信息存储介质和一种制造该铁电信息存储介质的方法。该铁电信息存储介质包括衬底，形成在衬底上的电极，以及形成在电极上的铁电纳米点，其中铁电纳米点彼此相互分离，并且多个铁电纳米点形成单个位区。

公开(公告)号：CN101320577B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810142887.2

申请日：2008-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 西蒙·比尔曼 ,  张银珠 ,  田信爱 ,  洪承范 ,  金容宽

IPC: G11B9/02

CPC classification number: G11B9/02

Abstract: 提供一种具有铁电纳米点的铁电信息存储介质和一种制造该铁电信息存储介质的方法。该铁电信息存储介质包括衬底，形成在衬底上的电极，以及形成在电极上的铁电纳米点，其中铁电纳米点彼此相互分离，并且多个铁电纳米点形成单个位区。

公开(公告)号：CN101241727B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200810005438.3

申请日：2008-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承范 ,  西蒙·比尔曼 ,  田信爱 ,  左圣薰 ,  张银珠 ,  金容宽

IPC: G11B9/10

CPC classification number: G11B5/7325 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B9/02 ,  G11B9/08 ,  G11B9/1472

Abstract: 本发明公开了一种使用纳米晶粒子的信息存储介质、该信息存储介质的制造方法以及包含该信息存储介质的信息存储设备。该信息存储介质包括：导电层；第一绝缘层，形成于该导电层上；纳米晶层，形成于该第一绝缘层上并包括可以俘获电荷的导电纳米晶粒子；以及第二绝缘层，形成于该纳米晶层上。

公开(公告)号：CN101246717A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710101992.7

申请日：2007-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 西蒙·比尔曼 ,  洪承范

IPC: G11B9/02 ,  H01L31/04

CPC classification number: G11B9/02 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/22

Abstract: 提供了一种具有良好结晶度、改善的表面粗糙度和高密度数据存储容量的铁电薄膜及其制造方法，以及包括该铁电薄膜的铁电记录介质的制造方法。所述铁电薄膜的制造方法包括：在衬底上形成非晶TiO2层；在所述非晶TiO2层上形成PbO(g)气氛；以及在400至800℃的温度下使所述TiO2层与PbO(g)反应从而在衬底上形成具有1至20nm的纳米晶粒结构的PbTiO3铁电薄膜。

公开(公告)号：CN101241727A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810005438.3

申请日：2008-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承范 ,  西蒙·比尔曼 ,  田信爱 ,  左圣薰 ,  张银珠 ,  金容宽

IPC: G11B9/10

CPC classification number: G11B5/7325 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B9/02 ,  G11B9/08 ,  G11B9/1472

Abstract: 本发明公开了一种使用纳米晶粒子的信息存储介质、该信息存储介质的制造方法以及包含该信息存储介质的信息存储设备。该信息存储介质包括：导电层；第一绝缘层，形成于该导电层上；纳米晶层，形成于该第一绝缘层上并包括可以俘获电荷的导电纳米晶粒子；以及第二绝缘层，形成于该纳米晶层上。