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公开(公告)号：CN120035212A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411651012.0
申请日：2024-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 发明构思涉及一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括：在衬底上在第一水平方向上延伸的鳍型有源区；在衬底上设置在鳍型有源区上并在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸的栅极线；设置在鳍型有源区上并在第一水平方向上与栅极线相邻设置的源极/漏极区；设置在源极/漏极区上的源极/漏极接触；设置在栅极线上并包括蚀刻停止膜和层间绝缘膜的上绝缘结构；穿过上绝缘结构并连接到源极/漏极接触的源极/漏极通路接触；以及设置在蚀刻停止膜和源极/漏极通路接触之间并在水平方向上与源极/漏极通路接触的一部分重叠的气隙。
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公开(公告)号：CN119920705A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411529082.9
申请日：2024-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/68 , H01L23/544
Abstract: 提供了一种晶片接合方法。晶片接合方法包括将第一晶片和第二晶片彼此重叠。第一晶片包括其上具有第一对准标记的透明或半透明材料。第二晶片具有第二对准标记。该方法包括提供穿过第一晶片的光以检查第一对准标记与第二对准标记的对准。该方法包括将第一晶片接合到第二晶片。此外，该方法包括在第一对准标记保持接合到第二晶片的同时去除透明或半透明材料。
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公开(公告)号：CN119181706A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202410807875.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/48 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区；沟道结构，将第一源极/漏极区连接到第二源极/漏极区；围绕沟道结构的栅极结构；背面接触结构，在第一源极/漏极区下面，连接到第一源极/漏极区；以及在背面接触结构的横向侧处的第一背面间隔物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118553783A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410212956.1
申请日：2024-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L21/8234 , H01L21/306
Abstract: 本公开提供了半导体器件结构及其形成方法。公开了一种用于在半导体器件中形成瓶颈形背侧接触结构的系统和方法，其中瓶颈形背侧接触结构具有部分地在第一源极/漏极结构内的第一侧、接触背侧电源轨的第二侧以及从第一侧延伸到背侧电源轨的衬垫。衬垫包括由Ta硅化物衬垫或Ti硅化物衬垫构成的第一区域、由Ti/TiN衬垫构成的第二区域以及由Ta硅化物衬垫或Ti硅化物衬垫构成的第三区域。背侧接触结构包括具有正斜率的第一部分以及与第一部分相邻、不具有斜率的第二部分。
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公开(公告)号：CN118213344A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311713402.1
申请日：2023-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 为了实现用于背面配电网络的更高接触质量，提供了到半导体器件的背面接触、具有该背面接触的半导体单元及其制造方法，该背面接触具有正斜率和电介质侧壁衬垫。
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公开(公告)号：CN109817516A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811384728.3
申请日：2018-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，包括单元内区域及划片槽，所述划片槽界定所述单元内区域；第一重叠图案，位于所述半导体衬底上；以及第二重叠图案，邻近所述第一重叠图案，其中所述第一重叠图案是衍射式重叠(DBO)图案，且所述第二重叠图案是扫描电子显微镜(SEM)重叠图案。本公开的半导体装置可改善重叠一致性且减小对重叠图案的损坏。
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公开(公告)号：CN106656273A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610941545.1
申请日：2016-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04B1/3888 , H04B5/0031 , H04B5/0037 , H04M1/185 , H04M1/7253 , H04M2250/04 , H04W4/80 , A45C11/00 , A45C2011/001 , A45C2011/002 , A45C2011/003 , H04M1/18
Abstract: 公开移动系统、移动电子装置和保护套装置。所述移动系统包括电子装置和保护套装置。电子装置通过近场通信(NFC)方案与外部装置进行通信。保护套装置包括：后侧盖，安装在电子装置的后表面以包围电子装置的后表面；前侧盖，选择性地覆盖电子装置的前表面并包括显示模块；连接器装置，连接后侧盖与前侧盖。保护套装置通过从电子装置发射的第一电磁波从电子装置接收电力和信息数据，并使用电力在显示模块上显示信息数据。
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公开(公告)号：CN1574954B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200410064079.0
申请日：2004-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N7/01
CPC classification number: H04N7/012 , H04N7/0137 , H04N7/0142
Abstract: 在扫描转换装置中，根据至少两种不同技术中的一种，执行隔行扫描到逐行扫描的转换。根据被转换的隔行扫描数据来使用该技术。例如，空间内插技术，空间/时间内插技术，或其它技术可以被选择。
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