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公开(公告)号：CN111525025A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010004334.1
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一个实施例中，提供了一种磁存储器件。所述磁存储器件包括：自由层结构，所述自由层结构具有可变的磁化方向。所述自由层结构包括：第一自由层，所述第一自由层是第一赫斯勒合金；耦合层，所述耦合层位于所述第一自由层上，所述耦合层包括金属氧化物层；和第二自由层，所述第二自由层位于所述金属氧化物层上，所述第二自由层是第二赫斯勒合金，所述第二赫斯勒合金不同于所述第一赫斯勒合金。所述磁存储器件还可以包括：被钉扎层结构，所述被钉扎层结构具有固定的磁化方向；以及隧道势垒层，所述隧道势垒层位于所述被钉扎层结构与所述自由层结构之间。
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公开(公告)号：CN111508992A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201911302059.5
申请日：2019-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种MRAM装置及其制造方法。该MRAM装置包括：第一导电图案，其包括产生自旋轨道转矩的材料；转矩传递图案，其与所述第一导电图案的上表面的一部分相接触的；绝缘图案，其在所述转矩传递图案的侧部且覆盖所述第一导电图案；和磁性隧穿结(MTJ)结构，所述MTJ结构包括顺序堆叠的自由层图案、隧穿势垒图案和固定层图案。
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公开(公告)号：CN111180577A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910733388.9
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于制造磁存储器件的方法包括：在基板上形成磁隧道结图案；在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；执行蚀刻工艺以暴露磁隧道结图案的顶面，所述蚀刻工艺是在第一工艺腔室中执行的；并且执行沉积工艺以在磁隧道结图案的顶面上形成导电层，所述沉积工艺是在第二工艺腔室中执行的。第一工艺腔室和第二工艺腔室通过缓冲模块彼此连接。
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公开(公告)号：CN101763889B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910246686.1
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1657 , G11B2005/0002 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 公开了一种信息存储装置及其操作方法。所述信息存储装置包括：存储区域，具有磁轨和写入/读取单元；控制电路，连接到所述存储区域。第一开关装置和第二开关装置连接到磁轨的两端，第三开关装置连接到写入/读取单元。控制电路控制第一开关装置至第三开关装置，将操作电流提供给磁轨和写入/读取单元中的至少一个。
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公开(公告)号：CN103427017A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310055478.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁阻元件及包括其的存储装置。该磁阻元件包括自由层和从自由层突出的突出元件。该突出元件可以具有封闭的围栏结构。该突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端突出的第二部分。第一部分和第二部分可以具有相同的突出长度。第一部分和第二部分可以具有不同的突出长度。另一方面，突出元件可以包括从自由层的第一方向的两端的至少之一突出的第一部分和从自由层的第二方向的两端的至少之一突出的第二部分。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101615423A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910150851.3
申请日：2009-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0841
Abstract: 提供一种信息存储装置以及操作所述装置的方法。所述信息存储装置包括：磁层，具有多个磁畴区以及置于磁畴区之间的磁畴壁；第一单元，布置在第一区域以将信息记录在第一区域，所述第一区域是多个磁畴区中的一个；第二单元，连接到第一单元以感应磁场，从而将信息记录在第一区域。
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公开(公告)号：CN119968098A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202410808928.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件，包括：衬底；第一介电图案，在衬底上；介电柱，包括穿透第一介电图案的穿透部分和在第一介电图案的顶表面上方突出的突出部分；第一磁性图案，在第一介电图案与介电柱之间，并且包括围绕穿透部分的侧表面的第一部分和围绕突出部分的侧表面的第二部分；第二磁性图案，在第一介电图案上，并且围绕第二部分的侧表面；以及隧道势垒图案，在第一介电图案上，并且在第二部分与第二磁性图案之间。第一磁性图案沿与衬底的顶表面垂直的第三方向延伸。
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公开(公告)号：CN119383979A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411015829.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 马克斯-普朗克科学促进协会
Inventor： 皮雄焕 , 斯图尔特·帕普沃斯·帕金 , 田在春 , 金载根 , 安德里亚·米格里里尼
Abstract: 根据一种制造磁性存储器件的方法，通过使用图案段的分层现象来制造多个磁性模块并且堆叠所述多个磁性模块以完成堆叠存储器件，能够以低成本制造各种类型的磁性存储器件。
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公开(公告)号：CN111180577B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910733388.9
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于制造磁存储器件的方法包括：在基板上形成磁隧道结图案；在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；执行蚀刻工艺以暴露磁隧道结图案的顶面，所述蚀刻工艺是在第一工艺腔室中执行的；并且执行沉积工艺以在磁隧道结图案的顶面上形成导电层，所述沉积工艺是在第二工艺腔室中执行的。第一工艺腔室和第二工艺腔室通过缓冲模块彼此连接。
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