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公开(公告)号：CN107154345B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201710123674.4
申请日：2017-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供，该方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，该目标层在基板上；在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板，孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。
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公开(公告)号：CN116133425A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211285469.5
申请日：2022-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李钟旼
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括栅极结构、位线结构、接触插塞结构、第一电容器和第二电容器。栅极结构形成在包括单元区域和外围电路区域的基底中，并且每个栅极结构在第一方向上延伸。位线结构形成在基底的单元区域上，并且每个位线结构在第二方向上延伸。接触插塞结构沿第二方向设置在基底上的位线结构之间。第一电容器分别形成在接触插塞结构上。导电垫形成在基底的外围电路区域上，并且与基底电绝缘。第二电容器形成在导电垫上，并且设置在第一方向和第二方向上。
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公开(公告)号：CN115831921A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210712745.5
申请日：2022-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/528 , H01L23/48
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置。根据公开的所述半导体装置包括：基底；晶体管，连接到基底；以及布线结构，包括电连接到晶体管的接触布线。布线结构还包括：第一布线绝缘层；第一材料层，物理地接触第一布线绝缘层；第二材料层，物理地接触第一材料层；以及第二布线绝缘层，物理地接触第二材料层。第一材料层包括SiN，并且第二材料层包括SiCN。第一布线绝缘层的介电常数大于第二布线绝缘层的介电常数。
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公开(公告)号：CN114361114A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110772352.9
申请日：2021-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：上导电图案和再分布层，在基底的第一表面上；半导体芯片，面对基底的第一表面，半导体芯片与基底的第一表面间隔开；导电凸块，接合在半导体芯片与上导电图案之间，导电凸块将半导体芯片和上导电图案电连接；以及上钝化层，在再分布层上，上钝化层的一部分面对半导体芯片的下表面的边缘。
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公开(公告)号：CN110473864A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910039439.8
申请日：2019-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , F21K9/235 , F21K9/238 , F21K9/64 , F21Y115/10
Abstract: 本申请提供一种发光二极管(LED)装置和一种LED灯。LED装置包括：透明基板，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；LED阵列，其设置在所述透明基板的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上，并且包括彼此电连接的多个LED芯片；控制器，其设置在所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上，并且电连接到所述LED阵列以控制所述LED阵列；连接端子，其设置在所述透明基板的一端，并与所述LED阵列和所述控制器电连接；以及波长转换器，其覆盖所述透明基板的所述第一表面和所述第二表面以及所述LED阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109951198A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811526213.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种执行选择性噪声滤波的无线通信设备及操作该设备的方法。一种由包括多个内部组件的无线通信设备的至少一个处理器执行的方法，所述方法包括：产生多组噪声信息，其中，所述多组噪声信息与由所述多个内部组件在多个状态情况下产生的多个测试噪声信号相应；接收射频(RF)信号；通过使用所述多组噪声信息中的与当前状态情况相应的一组噪声信息来确定干扰RF信号的噪声信号的幅值；并且基于RF信号的幅值和噪声信号的幅值对RF信号执行噪声滤波。
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公开(公告)号：CN102789767A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210040847.3
申请日：2012-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: G09G3/3674 , G09G3/3677 , G09G2310/0205 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G11C19/28 , G11C19/287
Abstract: 本发明提供了一种栅极驱动器和一种包括该栅极驱动器的液晶显示器，所述栅极驱动器包括接收至少两个扫描起始信号和至少四个时钟控制信号并输出多个栅极导通电压的栅极集成电路(IC)芯片，其中，基于所述至少两个扫描起始信号中的一个扫描起始信号产生所述至少四个时钟控制信号中的至少两个时钟控制信号，所述至少两个扫描起始信号的时序彼此独立，基于所述一个扫描起始信号的所述至少两个时钟控制信号的时序彼此独立。
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公开(公告)号：CN118553719A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311788299.7
申请日：2023-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/528 , H01L21/762
Abstract: 提供了半导体装置和用于制造半导体装置的方法。半导体装置包括：层间绝缘层；第一保护绝缘层，其位于层间绝缘层上；第二保护绝缘层，其位于第一保护绝缘层上；以及绝缘结构，其设置在第一保护绝缘层和第二保护绝缘层中的至少一个中，其中，绝缘结构包括：第一绝缘结构，其包括具有第一物理特性的第一材料；和第二绝缘结构，其包括具有第二物理特性的第二材料，并且第一材料和第二材料包括相同的材料，并且第一物理特性和第二物理特性是不同的物理特性。
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公开(公告)号：CN118016622A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311374703.6
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/52 , H01L23/535 , H01L23/31 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括：电路层，位于第一衬底上；第一贯穿硅通路，穿过第一衬底；第一下凸块焊盘，位于电路层上；以及第一上凸块焊盘和第二上凸块焊盘，位于第一衬底的第二表面上，第一上凸块焊盘和第二上凸块焊盘中的每一者连接到对应的第一贯穿硅通路。所述半导体封装件还包括第二半导体芯片，第二半导体芯片包括位于第二衬底的第一表面上的电路层和位于第二衬底上的电路层上的第二下凸块焊盘。所述半导体封装件还包括用于接合第一上凸块焊盘和第二下凸块焊盘的第一焊料凸块以及用于接合第二上凸块焊盘和第二下凸块焊盘的多个第二焊料凸块。
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公开(公告)号：CN117995821A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311401287.4
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/498 , H10B80/00 , H01L23/528
Abstract: 提供了半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底芯片，所述基底芯片具有前表面和与所述前表面相反的后表面，所述基底芯片包括设置在所述前表面上的凸块焊盘、晶片测试焊盘和封装测试焊盘；连接结构，所述连接结构设置在所述基底芯片的所述前表面上并且连接到所述凸块焊盘；以及半导体芯片，所述半导体芯片堆叠在所述基底芯片的所述后表面上，其中，每一个所述晶片测试焊盘在尺寸上小于所述封装测试焊盘。
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