公开(公告)号：CN118553719A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311788299.7

申请日：2023-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎星 ,  慎重垣 ,  李钟旼 ,  崔智旻

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了半导体装置和用于制造半导体装置的方法。半导体装置包括：层间绝缘层；第一保护绝缘层，其位于层间绝缘层上；第二保护绝缘层，其位于第一保护绝缘层上；以及绝缘结构，其设置在第一保护绝缘层和第二保护绝缘层中的至少一个中，其中，绝缘结构包括：第一绝缘结构，其包括具有第一物理特性的第一材料；和第二绝缘结构，其包括具有第二物理特性的第二材料，并且第一材料和第二材料包括相同的材料，并且第一物理特性和第二物理特性是不同的物理特性。

公开(公告)号：CN106330168A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610486421.9

申请日：2016-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎星 ,  李承贞 ,  卢镐皬 ,  朴俊冠

IPC: H03K19/0175

CPC classification number: G09G3/3688 ,  G09G3/3696 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/0291 ,  G09G2320/0252 ,  H03K19/017509

Abstract: 提供一种输出缓冲器电路、源极驱动器和生成源极驱动信号的方法。所述输出缓冲器电路包括：快速转换速率(FSR)控制器，检测输入电压的转变期间，基于关于转换斜率的信息来调节在检测到的转变期间生成的检测电流的大小，并且生成转换速率控制信号作为调节结果；以及输出缓冲器，将输入电压作为具有响应于转换速率控制信号而选择的转换速率或转换斜率的源极驱动信号而输出。