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公开(公告)号：CN108257990A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711390137.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/374 , H01L21/266 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H04N5/3741 , H04N5/3742 , H04N5/37457 , H04N5/376 , H04N9/045 , H04N9/07 , H04N2209/042 , H01L27/146 , H01L27/14636 , H01L27/14645
Abstract: 图像传感器可以根据图像传感器中的各种像素结构来优化图像传感器中的每一个像素和/或每一个光电二极管的控制。电子设备可以包括图像传感器。图像传感器可以包括多个像素，每一个像素包括光电二极管和被配置为将累积在光电二极管中的电荷传输到浮置扩散区的传输晶体管、以及分别连接到像素的传输晶体管的栅电极的传输晶体管线。传输晶体管线可以接收具有不同幅度的电压。
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公开(公告)号：CN107786822A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710733108.5
申请日：2017-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李景镐
CPC classification number: H04N5/3696 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H04N5/04 , H04N5/23212 , H04N5/374 , H04N9/045 , H04N9/077
Abstract: 公开了一种图像传感器。该图像传感器包括：像素阵列单元，包括多个传输信号线和多个输出信号线以及与所述多个传输信号线和所述多个输出信号线相连的多个像素。所述多个像素中的每一个包括多个光电转换元件，所述光电转换元件配置为对入射光进行检测和光电转换。所述多个像素包括至少一个自动聚焦像素和至少一个正常像素。
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公开(公告)号：CN105529342A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510673228.1
申请日：2015-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器。所述像素可以包括：光电二极管，被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷；存储二极管，被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷；以及存储栅极，被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管。存储栅极可以包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。
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公开(公告)号：CN102194838B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110027994.2
申请日：2011-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1461 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开一种具有凸起的光接收面的背侧照明CMOS图像传感器及其制造方法。背侧照明CMOS图像传感器包括金属层、绝缘层和光电二极管。绝缘层在金属层上。光电二极管在绝缘层上，光电二极管的接收光的顶面是弯曲的。制造具有带凸起表面的光电二极管的背侧照明CMOS图像传感器的方法包括：在光电二极管的光接收面的一部分上形成小于光电二极管的岛；以及退火所述岛以形成具有凸起的光接收面的光电二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102194838A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110027994.2
申请日：2011-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1461 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开一种具有凸起的光接收面的背侧照明CMOS图像传感器及其制造方法。背侧照明CMOS图像传感器包括金属层、绝缘层和光电二极管。绝缘层在金属层上。光电二极管在绝缘层上，光电二极管的接收光的顶面是弯曲的。制造具有带凸起表面的光电二极管的背侧照明CMOS图像传感器的方法包括：在光电二极管的光接收面的一部分上形成小于光电二极管的岛；以及退火所述岛以形成具有凸起的光接收面的光电二极管。
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公开(公告)号：CN102137237A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010614974.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/341
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/3742 , H04N5/37457 , H04N9/045
Abstract: 本发明提供了互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其像素数据读出方法。CMOS图像传感器包括：第一读出线，其在水平时段期间，从拜耳(Bayer)图案的像素阵列的一列的奇数行中的共用像素组输出像素数据；以及第二读出线，其在水平时段期间，从该像素阵列的列的偶数行中的共用像素组输出像素数据，其中在水平时段期间通过第一至第四读出线输出的像素数据对应于基本拜耳图案，并且每列中从其读出像素数据的像素在每个水平时段在列方向上顺序移位。
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公开(公告)号：CN112866592B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202011051961.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , H04N25/78 , H04N5/14 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器和操作成像装置的方法。所述图像传感器包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，第一像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，第二像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第三像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第四像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，其中，第一像素的第二浮置扩散区和第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接，其中，第二像素的第三浮置扩散区和第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。
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公开(公告)号：CN113259609B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110723143.5
申请日：2017-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李景镐
IPC: H04N25/76 , H04N25/00 , H04N23/67 , H04N25/703 , H04N5/04 , H04N25/133 , H04N25/10
Abstract: 公开了一种图像传感器。该图像传感器包括：像素阵列单元，包括多个传输信号线和多个输出信号线以及与所述多个传输信号线和所述多个输出信号线相连的多个像素。所述多个像素中的每一个包括多个光电转换元件，所述光电转换元件配置为对入射光进行检测和光电转换。所述多个像素包括至少一个自动聚焦像素和至少一个正常像素。
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公开(公告)号：CN110112165B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910413887.X
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/062 , H01L31/113
Abstract: 提供了一种图像传感器，其中该图像传感器包括：包括第一感测区域的基板，第一感测区域在其中具有光电器件；分隔第一感测区域的边界隔离膜；在第一感测区域中在基板内的内反射图案膜；在基板上的红外滤光器；以及在红外滤光器上的微透镜。
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