公开(公告)号：CN111199937A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911133387.7

申请日：2019-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊成 ,  李斗焕

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件可包括：框架，具有腔并包括将框架的第一表面和第二表面彼此连接的布线结构；第一连接结构，位于框架的第二表面上并包括连接到布线结构的第一重新分布层；半导体芯片，在腔内位于第一连接结构上并具有连接到第一重新分布层的连接垫；包封剂，包封半导体芯片，覆盖框架的第一表面，并且具有与布线结构的上表面基本共面的上表面；以及第二连接结构，包括设置在包封剂和布线结构的上表面上的绝缘层、位于绝缘层上的第二重新分布层以及穿透绝缘层并将布线结构和第二重新分布层连接的过孔。

公开(公告)号：CN110875299A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910226894.9

申请日：2019-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱伶 ,  李斗焕 ,  金多禧 ,  崔在薰 ,  金炳镐

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括位于第二表面上的第一重新分布层和位于与第一重新分布层的高度不同的高度上的至少一个第二重新分布层；半导体芯片，位于连接构件的第一表面上；钝化层，位于连接构件的第二表面上并且包括开口；UBM层，通过开口连接到第一重新分布层；以及电连接结构，位于UBM层上。钝化层和UBM层之间的界面具有第一凹凸表面，钝化层和第一重新分布层之间的界面具有第二凹凸表面，第二凹凸表面连接到所第一凹凸表面，并且第二凹凸表面的表面粗糙度大于第二重新分布层的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN1235372A

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN98125263.X

申请日：1998-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  金晟泰 ,  李斗焕 ,  许元九

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76856 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明涉及一种形成金属互连的方法。在半导体衬底上形成第一导电层,其上再形成绝缘层。腐蚀部分绝缘层直到露出第一导电层的上表面,形成接触孔。至少在接触孔的底部形成阻挡层。进行第一热处理使阻挡层致密。至少在接触孔的两个侧壁上形成浸润层。在浸润层上形成第二导电层,填充接触孔。进行第二热处理,用第二导电层完全填充接触孔。该方法可以防止第一和第二导电层反应导致的产生合金、体积收缩和界面空隙,从而防止金属互连中电阻增加。