公开(公告)号：CN115810579A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210920766.6

申请日：2022-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔智旻 ,  李钟旼 ,  李瑌真 ,  李全一 ,  李周益 ,  崔慜贞

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 公开半导体装置。所述半导体装置包括：基底；蚀刻停止层，在基底上；贯穿孔电极，与基底的上表面基本垂直的垂直方向上延伸穿过基底和蚀刻停止层；以及导电垫。蚀刻停止层包括与基底邻近的第一表面和与第一表面背对的第二表面。贯穿孔电极包括从蚀刻停止层的第二表面突起的突起部分。导电垫覆盖贯穿孔电极的突起部分。贯穿孔电极的突起部分是不平坦的。

公开(公告)号：CN115692347A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210836054.6

申请日：2022-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周益 ,  李钟旼 ,  崔智旻 ,  李瑌真 ,  李全一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括彼此背对的第一侧和第二侧；第一穿透结构，穿透基底；以及第二穿透结构，穿透基底，第二穿透结构与第一穿透结构间隔开，并且当从基底的第一侧观察时，第一穿透结构的面积大于第二穿透结构的面积的两倍。

公开(公告)号：CN110344026B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201910071759.1

申请日：2019-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信在 ,  韩东勋 ,  金度亨 ,  朴景旭 ,  裴钟容 ,  李先秀 ,  李寅载 ,  李全一 ,  林彩默

IPC: C23C16/455

Abstract: 提供了一种层沉积方法和层沉积设备。在层沉积方法中，将基底装载到工艺腔室中。将气体充入气体填充罐至预定充入压强。升高气体的压强至大于预定充入压强的压强。将气体导入工艺腔室中。

公开(公告)号：CN115588647A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210288474.5

申请日：2022-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李瑌真 ,  李钟旼 ,  李全一

IPC: H01L21/768

Abstract: 根据一些示例实施例的半导体器件包括：衬底；绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述衬底；晶体管，所述晶体管位于所述衬底和所述绝缘结构之间；通路绝缘层，所述通路绝缘层延伸穿过所述绝缘结构和所述衬底；多个通路结构，所述多个通路结构延伸穿过所述通路绝缘层；多个导电结构，所述多个导电结构分别连接到所述多个通路结构；以及多个凸块，所述多个凸块分别连接到所述导电结构。