公开(公告)号：CN102751180B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110309006.3

申请日：2011-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周浩 ,  崔濬熙 ,  李相勋 ,  宋美贞

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L41/113 ,  H01L41/311 ,  H01L41/319 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/24 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/319

Abstract: 一种制造氮化镓(GaN)薄层的方法、利用该方法制造的GaN膜结构以及包括该GaN膜结构的半导体器件，其中高品质的GaN层可以通过该方法采用悬置在基板上方的电极层而生长在大面积基板上。该方法包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成电极层；在电极层上形成第二缓冲层；部分地蚀刻牺牲层，从而形成配置为支撑第一缓冲层的至少两个支撑件并且形成在基板与第一缓冲层之间的至少一个空腔；以及在第二缓冲层上形成GaN薄层。

公开(公告)号：CN104008991A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310415442.8

申请日：2013-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵恩亨 ,  崔濬熙 ,  孙镇升 ,  文彰烈

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L21/7806 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3192 ,  H01L27/153 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1856 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/32341 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种转移半导体元件的方法，其用于将形成在非柔性衬底上的半导体元件转移到柔性衬底。此外，本发明还提供了基于转移半导体元件的方法来制造柔性半导体器件的方法。生长或形成在衬底上的半导体元件可以在保持布置的同时有效地转移到树脂层。树脂层用作支撑竖直半导体元件的柔性衬底。

公开(公告)号：CN101603168B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200810178853.9

申请日：2008-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/04 ,  H01L51/56 ,  H01L21/00

CPC classification number: H05B3/00 ,  H01L51/56 ,  H05B2214/04 ,  Y10T29/49083

Abstract: 本发明公开了微型加热器及其制造方法以及形成图案的方法。示例性实施例涉及微型加热器、微型加热器阵列、该微型加热器的制造方法以及采用微型加热器形成图案的方法。根据示例性实施例的微型加热器可以包括形成于基板上的金属图案。支撑件可以在金属图案的下面形成，支撑件将金属图案固定到基板同时将金属图案与基板间隔开。间隔物可以在基板上形成并且邻近基板，从基板到间隔物的顶表面的第一距离大于从基板到金属图案的顶表面的第二距离。微型加热器与设置在金属图案上面的目标基板之间的距离可以通过间隔物控制，从而允许在目标基板上形成较精细的图案。