公开(公告)号：CN101017669A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610149439.6

申请日：2006-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在喆 ,  尹成龙 ,  吴薰翔 ,  金雪基

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/70 ,  G11B5/706

CPC classification number: G11B5/667

Abstract: 本发明提供了一种垂直磁性记录介质，其包括具有扩散阻挡层的软磁底层。该垂直磁性记录介质包括软磁记录底层和形成在所述软磁性底层上的记录层。所述软磁性底层包括：衬底、底层、扩散阻挡层、反铁磁层和软磁性层。该底层形成在衬底上，且扩散阻挡层形成在底层上。反铁磁层形成在扩散阻挡层上，且软磁性层形成在反铁磁层上。

公开(公告)号：CN101017667A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610148660.X

申请日：2006-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹成龙 ,  李在喆 ,  金庸洙 ,  吴薰翔

IPC: G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3929

Abstract: 本发明涉及一种磁致电阻器件，具有衬底、衬层、磁致电阻结构、以及扩散阻挡层。该衬层形成在该衬底上。该磁致电阻结构形成在该衬层上。该扩散阻挡层形成在该衬层和该磁致电阻结构之间。

公开(公告)号：CN1897119A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610101511.8

申请日：2006-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林志庆 ,  朴鲁烈 ,  金庸洙 ,  吴薰翔

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/738

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/65 ,  G11B5/667 ,  G11B5/732

Abstract: 提供了一种垂直磁记录媒质。所述垂直磁记录媒质包括：下部结构；以及形成于所述下部结构上的记录层，其中，所述记录层具有0.5或更低的平衡力2πMr2/K1以及0.8或更低的因子4πMr/Hc，其中，Mr表示残余磁化强度，K1表示垂直磁各向异性能量常数，Hc表示矫顽力。因此，即使构成记录层的晶粒之间的晶粒边界在宽度上有些不均匀，所述晶粒也能够具有几乎相同的成核场。因此，所述垂直磁记录媒质能够确保高记录密度和所记录信息的稳定性。

公开(公告)号：CN1249675C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN03141187.8

申请日：2003-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴薰翔 ,  李丙圭

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/7325

Abstract: 提供一种包括磁记录层和支撑该磁记录层的基材。在磁记录层与基材之间设置包括一非金属层的至少两层。垂直磁记录介质使用双层或三层。因此，垂直磁记录层因第三下层具有高垂直磁各向异性能量常数Ku，和因在第三下层下面的第二下层具有很小的交换偶联。因此，直磁记录层可具有良好的热稳定性、高密度记录特征和优良的SNR特征。

公开(公告)号：CN1655242A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510051776.7

申请日：2005-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴薰翔 ,  李兑孝

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/73

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/656 ,  G11B5/7325 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质包括Co基磁性记录层，支持磁性记录层的基底，和置于磁性记录层和基底之间的垂直取向底层。该垂直取向底层由含有1－65at.％Co的Ru－Co合金构成。通过得到与记录层有小的晶格失配的垂直取向底层，所述垂直磁记录介质可以获得良好的结晶性和良好的磁特性。

公开(公告)号：CN1484219A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03147266.4

申请日：2003-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丙圭 ,  吴薰翔 ,  李炅珍

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/656 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/74 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0029

Abstract: 提供一种垂直磁记录介质，具有良好的热稳定性和高的记录密度。垂直磁记录介质至少包括第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质。第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理/磁特性，并由补偿不同物理/磁特性的材料形成。第一和第二垂直磁记录层选自以下各层：用于改进垂直磁性各向异性能(Ku)的层，用于降低晶粒大小的层、用于降低磁畴大小的层、用于增加SNR的层、用于改进信号输出的层、用于降低噪音的层、用于改进晶粒大小均匀性的层，和用于改进磁畴大小均匀性的层。