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公开(公告)号:CN102237401A
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN201110113377.4
申请日:2011-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/28008 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/42364 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供了具有轻掺杂漏极(LDD)区的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。该HEMT包括:源极;漏极;栅极;沟道提供层,用于形成至少二维电子气(2DEG)沟道;以及沟道形成层,至少该2DEG沟道将要形成在沟道形成层中,其中沟道提供层包括具有不同极化率的多个半导体层,沟道提供层的部分是凹陷,多个半导体层中的位于最上层之下的一个层是蚀刻缓冲层,也是用于提供沟道的层。
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公开(公告)号:CN101290969A
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200710185796.2
申请日:2007-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了一种存储节点,具有存储节点的相变存储器件,制造相变存储器件的方法以及操作相变存储器件的方法。相变存储器件包括开关器件和连接到开关器件的存储节点。存储节点包括底部电极,形成在底部电极上的相变层,形成在相变层上的材料层以及围绕材料层形成在相变层上的上部电极。
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